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수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법(ESL/ESR MEASUREMENT METHOD OF SUBSTRATE FOR EMBEDDING PASSIVE ELEMENT)

  • 기술번호 : KST2017014279
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법이 개시된다. 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법은 수동 소자의 내장이 가능한 제1 테스트 기판을 이용하여 상기 수동 소자가 단락된 경우의 상기 제1 테스트 기판의 제1 S 파라미터를 측정하는 단계; 수동 소자의 내장이 가능한 제2 테스트 기판을 이용하여 상기 수동 소자가 개방된 경우의 상기 제2 테스트 기판의 제2 S 파라미터를 측정하는 단계; 수동 소자가 내장된 제3 테스트 기판을 이용하여 상기 제3 테스트 기판의 제3 S 파라미터를 측정하는 단계; 및 상기 제1 내지 제3 S 파라미터를 이용하여 상기 제3 테스트 기판의 등가직렬저항(ESR)과 등가직렬인덕턴스(ESL)를 연산하는 단계를 포함한다.
Int. CL G01R 31/28 (2016.04.02) G01R 27/26 (2016.04.02)
CPC G01R 31/2853(2013.01) G01R 31/2853(2013.01) G01R 31/2853(2013.01) G01R 31/2853(2013.01) G01R 31/2853(2013.01) G01R 31/2853(2013.01)
출원번호/일자 1020160022442 (2016.02.25)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0100197 (2017.09.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박화선 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0185589-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0041878-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0197096-62
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0470061-11
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0737491-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수동 소자의 내장이 가능한 제1 테스트 기판을 이용하여 상기 수동 소자가 단락된 경우의 상기 제1 테스트 기판의 제1 S 파라미터를 측정하는 단계; 수동 소자의 내장이 가능한 제2 테스트 기판을 이용하여 상기 수동 소자가 개방된 경우의 상기 제2 테스트 기판의 제2 S 파라미터를 측정하는 단계; 수동 소자가 내장된 제3 테스트 기판을 이용하여 상기 제3 테스트 기판의 제3 S 파라미터를 측정하는 단계; 및 상기 제1 내지 제3 S 파라미터를 이용하여 상기 제3 테스트 기판의 등가직렬저항(ESR)과 등가직렬인덕턴스(ESL)를 연산하는 단계를 포함하는, 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 테스트 기판은, 상기 수동 소자가 내장될 수 있고, 상기 수동 소자의 크기에 대응하는 공간이 형성되어 있는 기판; 상기 공간을 채우고, 전도성 물질로 이루어진 단락부; 상기 기판 표면에 형성된 제1 및 제2 패드; 상기 제1 패드 및 상기 제2 패드를 각각 상기 단락부와 전기적으로 연결하는 제1 블라인드 비아홀 및 제2 블라인드 비아홀; 및 상기 수동 소자를 내장하기 위한 실제 기판에 구비되는 소자들에 대응하는 등가회로부를 포함하는, 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 테스트 기판은, 기판; 상기 기판 표면에 형성된 제1 및 제2 패드; 상기 제1 패드 및 상기 제2 패드를 각각 상기 공간과 연결하는 제1 블라인드 비아홀 및 제2 블라인드 비아홀; 및 상기 수동 소자를 내장하기 위한 실제 기판에 구비되는 소자들에 대응하는 등가회로부를 포함하는, 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 테스트 기판은, 상기 수동 소자가 내장될 수 있고, 상기 수동 소자의 크기에 대응하는 공간이 형성되어 있는 기판; 상기 기판 표면에 형성된 제1 및 제2 패드; 상기 제1 패드 및 상기 제2 패드를 각각 상기 공간과 연결하는 제1 블라인드 비아홀 및 제2 블라인드 비아홀; 및 상기 수동 소자를 내장하기 위한 실제 기판에 구비되는 소자들에 대응하는 등가회로부를 포함하는, 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제3 테스트 기판은, 상기 수동 소자가 내장될 수 있는 공간이 형성되어 있는 기판; 상기 기판 표면에 형성된 제1 및 제2 패드; 상기 공간에 내장된 상기 수동 소자의 제1 단자 및 제2 단자와 각각 전기적으로 연결된 제1 블라인드 비아홀 및 제2 블라인드 비아홀; 및 상기 수동 소자를 내장하기 위한 실제 기판에 구비되는 소자들에 대응하는 등가회로부를 포함하는, 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 S 파라미터, 상기 제2 S 파라미터 및 상기 제3 S 파라미터는 상기 수동 소자에 입력되는 전압에 대한 상기 수동 소자에서 출력되는 전압의 비(比)인, 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법
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제1항에 있어서, 상기 수동 소자는 적층세라믹콘덴서(Multi layer Ceramic Condensor)인, 수동 소자 내장을 위한 기판의 ESL/ESR 측정 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 삼화콘덴서 핵심소재원천기술개발사업 1/3 [RCMS]PCB 내장형 박막 커패시터(p/F/uF) 제품 개발
2 교육부 성균관대학교 (구)일반연구자지원사업(기본연구:리서치펠로우) 3/3 Al/Al2O3 다적층 및 병렬회로 구조를 갖는 고특성 알루미늄 고체 박막 캐패시터의 전기적/기계적 특성에 관한 연구
3 미래창조과학부 성균관대학교 대학ICT연구센터 육성지원사업 4/4 차세대 AMOLED 핵심원천기술연구 및 인력양성