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투과전자현미경용 나노유체 칩 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018010464
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시 예에 따른 투과전자현미경용 나노유체 칩의 제조 방법은, 실리콘 나이트라이드가 코팅된 하부 웨이퍼에 파릴렌 레이어를 증착하는 단계; 상기 파릴렌 레이어가 증착된 상기 하부 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 단계; 상기 파릴렌 레이어를 가열하여 활성화시키는 단계; 및 상기 파릴렌 레이어 상에 실리콘 나이트라이드가 코팅된 상부 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL G01N 1/28 (2006.01.01) B01L 3/00 (2006.01.01)
CPC G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01) G01N 1/2806(2013.01)
출원번호/일자 1020170008556 (2017.01.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0085202 (2018.07.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 대전광역시 유성구
2 장희준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0061137-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0018963-41
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0261634-07
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0531976-60
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0531977-16
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0715749-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-1149652-01
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.11.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1149651-55
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0827250-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 나이트라이드가 코팅된 하부 웨이퍼에 파릴렌 레이어를 증착하는 단계;상기 파릴렌 레이어가 증착된 상기 하부 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 단계;상기 파릴렌 레이어를 가열하여 활성화시키는 단계; 및상기 파릴렌 레이어 상에 실리콘 나이트라이드가 코팅된 상부 웨이퍼를 접착하는 단계를 포함하는 투과전자현미경용 나노유체 칩의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 파릴렌 레이어의 두께는 10nm 이상 200nm 이하인 투과전자현미경용 나노유체 칩의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 파릴렌 레이어를 증착하는 단계 이후에,상기 파릴렌 레이어 상에 스퍼터 코팅 시스템을 사용하여 크롬 레이어를 증착하는 단계를 더 포함하는 투과전자현미경용 나노유체 칩의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 파릴렌 레이어를 가열하여 활성화시키는 단계는,상기 패턴을 형성하는 단계 이후에 수행되고, 상기 상부 웨이퍼를 접착하는 단계 이전에 수행되는 초기 가열 단계; 및상기 상부 웨이퍼를 접착하는 단계 이후에 수행되고, 상기 파릴렌 레이어 및 상부 웨이퍼를 접합시키기 위하여 수행되는 재가열 단계를 포함하는 투과전자현미경용 칩의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 상부 웨이퍼를 가압하는 가압 단계를 더 포함하고,상기 재가열 단계는, 상기 가압 단계가 수행되는 동안 수행되는 투과전자현미경용 칩의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 패턴을 형성하는 단계는, 외부와 연통되는 적어도 2개 이상의 외부 채널을 형성하는 단계; 및상기 적어도 2개 이상의 외부 채널을 서로 연통시키는 나노 채널을 형성하는 단계를 포함하는 투과전자현미경용 칩의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 적어도 2개 이상의 외부 채널을 형성하는 단계는,적어도 2개 이상의 유입구를 형성하는 단계; 및1개의 토출구를 형성하는 단계를 포함하고,상기 나노 채널은 상기 적어도 2개 이상의 유입구 각각을 상기 1개의 토출구에 연통시키는 투과전자현미경용 칩의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 패턴을 형성하는 단계는, 외부와 연통되는 4개의 외부 채널을 형성하는 단계; 및 상기 4개의 외부 채널 중 서로 다른 2개의 외부 채널을 각각 서로 연통시키는 2개의 나노 채널을 형성하는 단계를 포함하고,사용자가 상기 2개의 나노 채널이 서로 교차하는 지점을 관측할 수 있도록 관측창을 형성하는 단계를 더 포함하는 투과전자현미경용 나노유체 칩의 제조 방법
9 9
실리콘 나이트라이드가 코팅된 하부 웨이퍼;상기 하부 웨이퍼에 증착되는 파릴렌 레이어; 및상기 파릴렌 레이어 상에 접착되고, 실리콘 나이트라이드가 코팅된 상부 웨이퍼를 포함하고,상기 파릴렌 레이어는 분자 결합을 통해, 상기 하부 웨이퍼 및 상부 웨이퍼 각각의 실리콘 나이트라이드에 결합하는 투과전자현미경용 나노유체 칩
10 10
제 9 항에 있어서,상기 파릴렌 레이어의 두께는 10nm이상 200nm이하인 투과전자현미경용 나노유체 칩
11 11
제 10 항에 있어서,상기 파릴렌 레이어의 표면의 제곱평균 거칠기는 5nm 이하인 투과전자현미경용 나노유체 칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 방사선기술개발사업 절대방사선량 측정을 위한 고민감도 미세유체 열량계 개발