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서로 대향하여 위치하고 전도성 천을 포함하는 제1 전극 및 제2 전극, 그리고상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 위치하는 고분자층을 포함하고,상기 전도성 천은 천, 그리고 금속, 전도성 고분자, 또는 이들의 조합인 전도성 재료를 포함하며,상기 고분자층은 오목한 패턴을 가지고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 볼록한 패턴을 가지는천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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제1항에서,상기 고분자층은 상기 제1 전극의 일면 및 상기 제2 전극의 일면과 접촉하여 위치하는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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제1항에서,상기 전도성 천은 상기 천에 존재하는 빈 공간 사이로 상기 전도성 재료가 빠져 나온 형상을 가지는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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삭제
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제1항에서,상기 고분자층은 polyvinylidene fluoride (PVDF), poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)], 또는 이들의 조합인 압전 고분자를 포함하는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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제1항에서,상기 고분자층은 silicone rubber, polydimethylsiloxane (PDMS), polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene (PE), polyethylene terephthalate (PET), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polyarylate (PAR), ethylene vinyl acetate (EVA), polyimide (PI), polyamide (PA), 또는 이들의 조합인 유연한 (flexible) 고분자를 포함하는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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제1항에서,상기 고분자층은 zinc oxide (ZnO), lead zirconate titanate (PZT), lead titanate (PbTiO3), lithium niobate (LiNbO3), potassium niobate (KNbO3), barium titanate (BaTiO3), bismuth ferrite (BiFeO3), carbon 나노튜브(nanotube), carbon 나노파이버(nanofiber), silver 나노와이어(nanowire) 및 silver 나노입자(nanoparticle) 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 더 포함하는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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제1항에서,상기 천은 면(cotton), 실크(silk), 울(wool), 나일론(nylon), polyester, polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PET), polytetrafluoroethylene (PTFE), polycarbonate (PC), polyarylate (PAR), ethylene vinyl acetate (EVA), polyimide (PI) 및 polyamide (PA) 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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제1항에서,상기 전도성 고분자는 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly(p-phenylene sulfide) (PPS), polyaniline (PANI), polypyrrole (PPY), polyacetylene (PAC), poly(3-hexylthiophene) (P3HT), poly(p-phenylene vinylene) (PPV) 및 polythiphene 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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제1항에서, 상기 금속은 aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), nickel (Ni), zinc (Zn), iron (Fe) 및 cobalt (Co) 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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제1항에서,상기 제1 전극이 상기 고분자층과 대면하는 면의 반대 쪽 면 위에 제1 보호층을 포함하고,상기 제2 전극이 상기 고분자층과 대면하는 면의 반대 쪽 면 위에 제2 보호층을 포함하는천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터
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고분자 조성물을 사용하여 고분자층을 제작하는 단계, 천 위에 금속, 전도성 고분자, 또는 이들의 조합인 전도성 재료가 적용된 전도성 천을 준비하는 단계,상기 전도성 천 위에 상기 고분자층을 적층시키고 상기 고분자층 위에 또 다른 전도성 천을 적층시켜 이종구조의 적층체를 제작하는 단계, 상기 이종구조의 적층체를 80 ℃ 이상 120 ℃ 이하의 온도 및 15 MPa 내지 30 MPa 압력의 조건에서 압착시키는 단계, 상기 이종구조의 적층체를 80 ℃ 내지 160 ℃의 온도에서 열처리하는 단계, 그리고상기 이종구조의 적층체를 폴링(poling)하는 단계를 포함하는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터 제조방법
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제12항에서,상기 고분자층은 테이프 캐스팅(tape casting) 기법을 이용하여 제작되는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터 제조방법
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제12항에서,상기 전도성 재료는 스프레이 코팅(spray coating), 침지법(dipping method), 전해도금(electroplating), 무전해도금(electroless-plating), 진공열증착(thermal evaporation), 스퍼터링(sputtering), 물리적 증착법(physical vapor deposition), 화학기상증착법(chemical vapor deposition) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition)을 이용하여 상기 천 위에 적용되는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터 제조방법
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제12항에서, 상기 이종구조의 적층체를 압착하기 이전에 상기 이종구조의 적층체의 상부 및 하부에 각각 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터 제조방법
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제1항 내지 제3항, 또는 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 천 기반 웨어러블 압전 에너지 하베스터를 포함하는 웨어러블 장치
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