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1
기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 형성되는 압전층과, 상기 압전층 위에 형성되는 비압전층과, 상기 비압전층 위에 형성되는 제2 전극을 포함하는 하이브리드 에너지 하베스팅 장치
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2
기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 형성되는 비압전층과, 상기 비압전층 위에 형성되는 압전층과, 상기 압전층 위에 형성되는 제2 전극을 포함하는 하이브리드 에너지 하베스팅 장치
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3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 압전층, 상기 비압전층, 및 상기 제2 전극 각각은 박막 형태를 가지는 하이브리드 에너지 하베스팅 장치
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4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비압전층은 상기 압전층과의 연결에 기초하여 소정 값 이상의 전위 장벽(potential barrier)을 형성하는하이브리드 에너지 하베스팅 장치
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5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 압전층은, 산화아연(ZnO), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 포타슘 소디움 나이오베이트(KNN) 또는 갈륨 나이트라이드(GaN) 중 하나를 포함하고, 상기 비압전층은,아모포스실리콘(a-Si), 산화구리(Cu2O), 사파이어(Al2O3), 산화마그네슘(MgO) 또는 이산화규소(SiO2) 중 하나를 포함하는하이브리드 에너지 하베스팅 장치
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6
제1항에 있어서, 상기 비압전층과 상기 제2 전극 사이에 형성된 제2 압전층을 더 포함하는 하이브리드 에너지 하베스팅 장치
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7
제2항에 있어서, 상기 압전층과 상기 제2 전극 사이에 형성된 제2 비압전층을 더 포함하는 하이브리드 에너지 하베스팅 장치
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8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 상기 압전층과 상기 비압전층이 복수로 적층되는하이브리드 에너지 하베스팅 장치
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9
기판과, 상기 기판 위의 제1 위치에 형성되는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되는 하나 이상의 제1 압전층, 상기 제1 압전층의 사이에 형성되거나 상기 제1 압전층을 사이에 두고 상기 제1 압전층의 상단 및 하단에 형성되는 하나 이상의 제1 비압전층, 및 상기 제1 압전층과 상기 제1 비압전층 위에 위치되는 제2 전극을 이용하여 열전 하베스팅을 수행하는 열전 하베스팅부와, 상기 기판 위의 제2 위치에 형성되는 제3 전극, 상기 제3 전극 위에 형성되어 압전 하베스팅을 수행하는 하나 이상의 제2 압전층, 상기 제2 압전층의 사이에 형성되거나 상기 제2 압전층을 사이에 두고 상기 제2 압전층의 상단 및 하단에 형성되는 하나 이상의 제2 비압전층, 및 상기 제2 압전층과 상기 제2 비압전층 위에 위치되는 제4 전극을 이용하여 압전 하베스팅을 수행하는 압전 하베스팅부를 포함하는하이브리드 에너지 하베스팅 시스템
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10
제9항에 있어서, 상기 열전 하베스팅부의 구조와 상기 압전 하베스팅부의 구조는 서로 상응하는 하이브리드 에너지 하베스팅 시스템
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11
제9항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제1 압전층, 상기 제1 비압전층, 상기 제2 전극, 상기 제3 전극, 상기 제2 압전층, 상기 제2 비압전층, 및 상기 제4 전극 각각은 박막 형태를 가지는 하이브리드 에너지 하베스팅 시스템
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12
제9항에 있어서,상기 제1 비압전층은 상기 제1 압전층과의 연결에 기초하여 소정 값 이상의 전위 장벽(potential barrier)을 형성하고, 상기 제2 비압전층은 상기 제2 압전층과의 연결에 기초하여 소정 값 이상의 전위 장벽을 형성하는하이브리드 에너지 하베스팅 시스템
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13
제9항에 있어서,상기 제1 압전층과 상기 제2 압전층 각각은, 산화아연(ZnO), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 포타슘 소디움 나이오베이트(KNN) 또는 갈륨 나이트라이드(GaN) 중 하나를 포함하고, 상기 제1 비압전층과 상기 제2 비압전층 각각은,아모포스실리콘(a-Si), 산화구리(Cu2O), 사파이어(Al2O3), 산화마그네슘(MgO) 또는 이산화규소(SiO2) 중 하나를 포함하는하이브리드 에너지 하베스팅 시스템
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