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원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015112337
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자는 실리콘 웨이퍼 상면에서 원형의 주위에 도핑된 붕소 도핑층과, 붕소 도핑층을 경계로 하여 함몰홈이 형성된 실리콘 웨이퍼와, 실리콘 웨이퍼 상에 저압화학기상증착된 실리콘 질화막으로 구성되는 제1절연막과, 제1절연막 상에 형성된 하부 도넛형 전극, 및 하부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 하부 단자 전극으로 구성되는 하부 전극과, 하부 전극 상에 적층된 제2절연막과, 제2절연막 상에 형성된 압전 박막과, 압전 박막 상에 형성된 상부 도넛형 전극, 및 상부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 상부 단자 전극으로 구성되는 상부 전극으로 구성된다. 이에 따라, 본 발명은 오랜 기간동안의 사용에도 구조적으로 파괴 등이 발생하지 않도록 내구성이 우수하고, 내부응력이 낮은 실리콘 질화막을 원형의 진동판으로 제작함으로써 진동에 의한 신호특성을 다른 형태의 진동판에 비하여 높게 할 수 있으며, 식각정지층으로서 붕소 도핑층을 사용하함으로써 원형의 진동판을 용이하게 제작할 수 있다.실리콘, 진동판, 음향소자, 붕소, 멤브레인, 전극, 단자, 절연막
Int. CL H01L 41/047 (2013.01) H01L 41/29 (2013.01) H04R 7/04 (2013.01)
CPC H01L 41/311(2013.01) H01L 41/311(2013.01) H01L 41/311(2013.01) H01L 41/311(2013.01)
출원번호/일자 1020050022564 (2005.03.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0619478-0000 (2006.08.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.03.18)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이운섭 대한민국 대전 유성구
2 김용철 대한민국 경기 수원시 장안구
3 이석우 대한민국 대전 유성구
4 이승섭 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다인 대한민국 경기도 화성시 동탄기흥로*** 더퍼스트타워쓰리제**층 제****호, 제****-*호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0142456-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0050853-98
4 등록결정서
Decision to grant
2006.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0481227-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼 상면에서 원형의 주위에 도핑된 붕소 도핑층과;상기 붕소 도핑층을 경계로 하여 함몰홈이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼와;상기 실리콘 웨이퍼 상에 저압화학기상증착된 실리콘 질화막으로 구성되는 제1절연막과;상기 제1절연막 상에 형성된 하부 도넛형 전극, 및 상기 하부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 하부 단자 전극으로 구성되는 하부 전극과;상기 하부 전극 상에 적층된 제2절연막과;상기 제2절연막 상에 형성된 압전 박막과;상기 압전 박막 상에 형성된 상부 도넛형 전극, 및 상기 상부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 상부 단자 전극으로 구성되는 상부 전극을 포함하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 하부 도넛형 전극은, 상기 함몰홈의 위치에 대응되는 상기 제1절연막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제2절연막은,상기 하부 단자 전극의 일부가 외부로 노출되도록 상기 하부 단자 전극의 일부에 적층되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 상부 도넛형 전극은,상기 함몰홈의 위치에 대응되는 상기 압전 박막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
5 5
제 4항에 있어서, 상기 압전 박막은,상기 붕소 도핑층의 외부경계에 대응되는 상기 제2절연막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제1절연막은,압축응력과 인장응력이 50MPa∼300MPa의 범위내에 해당하는 실리콘 질화막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
7 7
제 1항 또는 제 6항에 있어서, 상기 제1절연막은,두께가 0
8 8
실리콘 웨이퍼를 관통하고 상면이 원형인 함몰홈이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼와;상기 실리콘 웨이퍼 상에 적층된 제1절연막과;상기 제1절연막 상에 형성된 하부 도넛형 전극, 및 상기 하부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 하부 단자 전극으로 구성되는 하부 전극과;상기 하부 전극 상에 적층된 제2절연막과;상기 제2절연막 상에 형성된 압전 박막과;상기 압전 박막 상에 형성된 상부 도넛형 전극, 및 상기 상부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 상부 단자 전극으로 구성되는 상부 전극을 포함하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제1절연막은,압축응력과 인장응력이 50MPa∼300MPa의 범위내에 해당하는 실리콘 질화막으로 구성되는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
10 10
제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제1절연막은,두께가 0
11 11
실리콘 웨이퍼에 제1산화막을 형성하는 단계와;상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 형성된 제1산화막의 원형의 주위를 식각하는 단계와;상기 식각된 부분을 통하여 상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 붕소를 도핑하는 단계와;상기 제1산화막을 제거하고, 상기 실리콘 웨이퍼 상에 제2산화막을 형성하는 단계와;상기 제2산화막 상에 제1절연막을 형성하는 단계와;상기 제2산화막의 상면에 형성된 제1절연막의 저면을 노출시키는 함몰홈을 가공하는 단계와;상기 제1절연막상에 상기 붕소 도핑층의 경계에 대응되는 하부 도넛형 전극을 구비하는 하부 전극을 형성하는 단계와;상기 하부 전극 상에 제2절연막을 형성하는 단계와;상기 제2절연막 상에 압전 박막을 형성하는 단계와;상기 압전 박막 상에 상기 붕소 도핑층의 경계에 대응되는 상부 도넛형 전극을 구비하는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 제2산화막의 상면에 형성된 제1절연막의 저면을 노출시키는 함몰홈을 가공하는 단계는,상기 실리콘 웨이퍼의 하면에 형성된 상기 제2산화막과 상기 제1절연막의 소정의 영역을 식각하는 단계와, 상기 식각하는 프로세스에 의하여 노출된 실리콘 웨이퍼 하면으로부터 상기 붕소가 도핑되는 영역의 경계내의 실리콘 웨이퍼를 이방성 식각하는 단계와, 상기 이방성 식각에 의하여 노출된 상기 실리콘 웨이퍼 상면의 상기 제2산화막을 식각하는 단계를 포함하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자의 제조 방법
13 13
제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 상기 식각된 부분을 통하여 상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 붕소를 도핑하는 단계는,1100℃∼1250℃의 범위내의 온도를 갖는 노에서 붕소를 도핑하는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자의 제조 방법
14 14
제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 제2산화막 상에 제1절연막을 형성하는 단계는,상기 제1절연막으로서 실리콘 질화막을 20∼100Å/min의 속도로 저압화학기상증착하는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.