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실리콘 웨이퍼 상면에서 원형의 주위에 도핑된 붕소 도핑층과;상기 붕소 도핑층을 경계로 하여 함몰홈이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼와;상기 실리콘 웨이퍼 상에 저압화학기상증착된 실리콘 질화막으로 구성되는 제1절연막과;상기 제1절연막 상에 형성된 하부 도넛형 전극, 및 상기 하부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 하부 단자 전극으로 구성되는 하부 전극과;상기 하부 전극 상에 적층된 제2절연막과;상기 제2절연막 상에 형성된 압전 박막과;상기 압전 박막 상에 형성된 상부 도넛형 전극, 및 상기 상부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 상부 단자 전극으로 구성되는 상부 전극을 포함하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
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제 1항에 있어서, 상기 하부 도넛형 전극은, 상기 함몰홈의 위치에 대응되는 상기 제1절연막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제2절연막은,상기 하부 단자 전극의 일부가 외부로 노출되도록 상기 하부 단자 전극의 일부에 적층되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 상부 도넛형 전극은,상기 함몰홈의 위치에 대응되는 상기 압전 박막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
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제 4항에 있어서, 상기 압전 박막은,상기 붕소 도핑층의 외부경계에 대응되는 상기 제2절연막 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
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제 1항에 있어서, 상기 제1절연막은,압축응력과 인장응력이 50MPa∼300MPa의 범위내에 해당하는 실리콘 질화막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
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제 1항 또는 제 6항에 있어서, 상기 제1절연막은,두께가 0
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실리콘 웨이퍼를 관통하고 상면이 원형인 함몰홈이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼와;상기 실리콘 웨이퍼 상에 적층된 제1절연막과;상기 제1절연막 상에 형성된 하부 도넛형 전극, 및 상기 하부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 하부 단자 전극으로 구성되는 하부 전극과;상기 하부 전극 상에 적층된 제2절연막과;상기 제2절연막 상에 형성된 압전 박막과;상기 압전 박막 상에 형성된 상부 도넛형 전극, 및 상기 상부 도넛형 전극과 전기적으로 연결되는 상부 단자 전극으로 구성되는 상부 전극을 포함하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
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제 8항에 있어서, 상기 제1절연막은,압축응력과 인장응력이 50MPa∼300MPa의 범위내에 해당하는 실리콘 질화막으로 구성되는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자
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제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 제1절연막은,두께가 0
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실리콘 웨이퍼에 제1산화막을 형성하는 단계와;상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 형성된 제1산화막의 원형의 주위를 식각하는 단계와;상기 식각된 부분을 통하여 상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 붕소를 도핑하는 단계와;상기 제1산화막을 제거하고, 상기 실리콘 웨이퍼 상에 제2산화막을 형성하는 단계와;상기 제2산화막 상에 제1절연막을 형성하는 단계와;상기 제2산화막의 상면에 형성된 제1절연막의 저면을 노출시키는 함몰홈을 가공하는 단계와;상기 제1절연막상에 상기 붕소 도핑층의 경계에 대응되는 하부 도넛형 전극을 구비하는 하부 전극을 형성하는 단계와;상기 하부 전극 상에 제2절연막을 형성하는 단계와;상기 제2절연막 상에 압전 박막을 형성하는 단계와;상기 압전 박막 상에 상기 붕소 도핑층의 경계에 대응되는 상부 도넛형 전극을 구비하는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 제2산화막의 상면에 형성된 제1절연막의 저면을 노출시키는 함몰홈을 가공하는 단계는,상기 실리콘 웨이퍼의 하면에 형성된 상기 제2산화막과 상기 제1절연막의 소정의 영역을 식각하는 단계와, 상기 식각하는 프로세스에 의하여 노출된 실리콘 웨이퍼 하면으로부터 상기 붕소가 도핑되는 영역의 경계내의 실리콘 웨이퍼를 이방성 식각하는 단계와, 상기 이방성 식각에 의하여 노출된 상기 실리콘 웨이퍼 상면의 상기 제2산화막을 식각하는 단계를 포함하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자의 제조 방법
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제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 상기 식각된 부분을 통하여 상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 붕소를 도핑하는 단계는,1100℃∼1250℃의 범위내의 온도를 갖는 노에서 붕소를 도핑하는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자의 제조 방법
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제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 제2산화막 상에 제1절연막을 형성하는 단계는,상기 제1절연막으로서 실리콘 질화막을 20∼100Å/min의 속도로 저압화학기상증착하는 것을 특징으로 하는 원형 진동판을 갖는 마이크로 음향소자의 제조 방법
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