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다수의 가중치를 저장하고 다수의 입력 신호에 따라 제어되는 다수의 비휘발성 메모리 소자 및 상기 다수의 비휘발성 메모리 소자에 연결되는 비트라인을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및상기 비트라인의 신호로부터 상기 다수의 입력 신호에 대응하는 입력 벡터와 상기 다수의 가중치에 대응하는 가중치 벡터의 내적에 대응하는 연산 신호를 출력하는 연산 출력 회로를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이는 상기 다수의 비휘발성 메모리 소자가 직렬 연결된 셀 스트링을 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 다수의 비휘발성 메모리 소자는 각각 상기 다수의 가중치 중 대응하는 가중치를 저장하고, 상기 다수의 입력 신호 중 대응하는 입력 신호에 따라 제어되는 게이트와 인접한 비휘발성 메모리 소자와 연결되는 소스와 드레인을 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이는 비트라인 선택 신호에 따라 상기 셀 스트링과 상기 비트라인을 연결하는 비트라인 선택 스위치 및 소스라인 선택 신호에 따라 상기 셀 스트링을 소스 라인에 연결하는 소스라인 선택 스위치를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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5
청구항 1에 있어서, 상기 다수의 입력 신호를 다수의 펄스 입력 신호로 변환하여 상기 다수의 비휘발성 메모리 소자에 제공하는 입력 회로를 더 포함하고,상기 다수의 펄스 입력 신호는 각각 대응하는 입력 신호의 값에 대응하는 펄스 폭을 가지는 펄스 신호인 비휘발성 메모리 장치
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6
청구항 1에 있어서, 상기 연산 출력 회로는 상기 비트라인에 정전류를 제공하는 제 1 전류원을 포함하고, 상기 비트라인의 신호는 상기 정전류에 의해 유도되는 전압 신호인 비휘발성 메모리 장치
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7
청구항 6에 있어서, 상기 연산 출력 회로는 상기 비트라인의 전압에 따라 연산 전류를 생성하는 제 2 전류원을 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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8
청구항 7에 있어서, 상기 연산 출력 회로는 상기 연산 전류에 따라 전하를 충전하는 커패시터를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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9
청구항 8에 있어서, 연산 출력 회로는 샘플링 클록에 따라 상기 연산 전류를 상기 커패시터에 인가하는 샘플링 스위치를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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10
청구항 9에 있어서, 상기 연산 출력 회로는 리셋 신호에 따라 상기 커패시터를 방전시키는 리셋 스위치를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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11
청구항 7에 있어서, 상기 제 2 전류원은 상기 비트라인 전압과 피드백 전압의 차이를 증폭하는 연산 증폭기;상기 연산 증폭기의 출력 전압이 게이트에 인가되고 소스 또는 드레인 중 어느 하나로부터 상기 연산 전류가 출력되는 트랜지스터; 및상기 트랜지스터의 소스 또는 드레인 중 나머지 하나와 전원 전압 사이에 연결되는 저항을 포함하되, 상기 피드백 전압은 상기 소스 또는 드레인 중 나머지 하나의 저압인 비휘발성 메모리 장치
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12
청구항 1에 있어서, 상기 다수의 입력 신호와 상기 다수의 가중치로부터 캘리브레이션 신호를 생성하는 캘리브레이션 회로를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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13
청구항 12에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이는 미리 결정된 가중치를 가지고 상기 캘리브레이션 신호에 따라 제어되며 상기 다수의 비휘발성 메모리 소자에 연결되는 캘리브레이션용 비휘발성 메모리 소자를 더 포함하되, 상기 비트라인의 전압은 상기 캘리브레이션용 비휘발성 메모리 소자에 인가되는 상기 캘리브레이션 신호와 상기 미리 결정된 가중치에 따라 조절되는 비휘발성 메모리 장치
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14
청구항 13에 있어서, 상기 다수의 입력 신호 및 상기 캘리브레이션 신호를 다수의 펄스 입력 신호 및 펄스 캘리브레이션 신호로 변환하여 상기 다수의 비휘발성 메모리 소자와 상기 캘리브레이션용 비휘발성 메모리 소자에 제공하는 입력 회로를 더 포함하고,상기 다수의 펄스 입력 신호 및 상기 펄스 캘리브레이션 신호는 각각 대응하는 입력 신호의 값 또는 펄스 캘리브레이션 신호의 값에 대응하는 펄스 폭을 가지는 펄스 신호인 비휘발성 메모리 장치
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15
청구항 1에 있어서, 상기 비휘발성 메모리 장치는 낸드 플래시 메모리 장치인 비휘발성 메모리 장치
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