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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2014027661
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 본 발명은 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치에 관한 것으로, 기판 상에 차례로 배치된 버퍼막 및 반도체막, 상기 반도체막 상에 차례로 배치된 절연패턴 및 게이트 전극패턴을 포함하는 게이트 패턴, 상기 게이트 패턴 하부의 반도체막을 채널영역으로 한정하고, 상기 게이트 패턴 외측의 상기 반도체막에 불순물이 주입되어 상기 채널영역의 양쪽 측면들과 연결된 소오스 및 드레인, 상기 게이트 패턴을 갖는 상기 기판 전면을 덮는 보호막, 상기 소오스 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 소오스를 관통하여 상기 소오스와 전기적으로 연결된 제1금속전극 및 상기 드레인 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 드레인을 관통하여 상기 드레인과 전기적으로 연결된 제2금속전극을 포함한다. 상기와 같은 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치에 의해, 소오스와 드레인 영역에 금속을 침투시켜 박막 트랜지스터의 구동 시에 전류를 분산시킴으로써 전하의 이동도, 박막 트랜지스터의 수명 및 성능을 향상시킬 수 있다. 박막 트랜지스터, TFT, 평판 표시장치, 유기발광 다이오드 |
|---|---|
| Int. CL | G02F 1/136 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080127918 (2008.12.16) |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1021479-0000 (2011.03.04) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0069270 (2010.06.24) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110316) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.12.16) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최병덕 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 2 | 이준신 | 대한민국 | 서울 서초구 |
| 3 | 정성욱 | 대한민국 | 경기도 수원시 권선구 |
| 4 | 장경수 | 대한민국 | 서울 서대문구 |
| 5 | 조재현 | 대한민국 | 경상북도 경산시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인정직과특허 | 대한민국 | 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0864321-51 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.06.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.07.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0045097-97 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0330466-32 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2010.09.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0631304-35 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2010.10.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0700214-21 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.11.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0789131-48 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0789125-74 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0105241-90 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 차례로 버퍼막, 예비 채널영역, 절연막 및 게이트 전극막을 형성하는 단계; 상기 예비 채널영역의 일 영역을 노출시키도록 상기 게이트 전극막 및 상기 절연막을 차례로 패터닝하여 게이트 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 패턴을 마스크로 상기 노출된 예비 채널영역을 불순물로 도우핑하여 채널영역을 한정하고, 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 소오스 및 상기 드레인 영역을 갖는 상기 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 소오스 및 상기 드레인 영역 상에 형성된 상기 보호막의 일영역 하부를 식각하여 상기 버퍼막을 노출시키는 제1콘택홀 및 제2콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 전면에 상기 제1콘택홀 및 상기 제2콘택홀을 채우는 금속전극막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1콘택홀 및 상기 제2콘택홀을 형성하는 단계는 상기 소오스 및 상기 드레인 영역 상에 형성된 상기 보호막의 일 영역을 노출시키도록 상기 보호막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 갖는 상기 기판에 식각공정을 수행함으로써 상기 노출된 보호막을 식각하여 상기 소오스 및 상기 드레인의 일영역을 노출시키는 단계; 상기 노출된 소오스 및 상기 노출된 드레인 영역을 식각하여 상기 버퍼막의 일영역을 노출시키는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 형성방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 금속전극막을 형성한 후에 상기 제1콘택홀과 상기 제2콘택홀 사이에 형성된 상기 보호막 상의 상기 금속전극막을 식각하여 상기 보호막을 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 형성방법 |
| 4 |
4 기판 상에 차례로 버퍼막, 예비 채널영역, 절연막 및 게이트 전극막을 형성하는 단계; 상기 예비 채널영역의 일 영역을 노출시키도록 상기 게이트 전극막 및 상기 절연막을 차례로 패터닝하여 게이트 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 패턴을 마스크로 상기 노출된 예비 채널영역을 불순물로 도우핑하여 채널영역을 한정하고, 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 소오스 및 상기 드레인 영역을 갖는 상기 기판의 전면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 소오스, 상기 드레인 영역 및 상기 게이트 패턴 상에 형성된 상기 보호막의 일영역 하부를 식각하여 상기 버퍼막을 노출시키는 제1콘택홀, 제2콘택홀 및 제3콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 전면에 상기 제1콘택홀, 상기 제2콘택홀 및 상기 제3콘택홀을 채우는 금속전극막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1콘택홀, 상기 제2콘택홀 및 상기 제3콘택홀을 형성하는 단계는 상기 소오스 영역, 상기 드레인 영역 및 상기 게이트 패턴 상에 형성된 상기 보호막의 일 영역을 노출시키도록 상기 보호막 상에 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트 패턴을 갖는 상기 기판에 식각공정을 수행함으로써 상기 노출된 보호막을 식각하여 상기 소오스, 상기 드레인 및 상기 게이트 패턴의 일영역을 노출시켜 제1예비 콘택홀, 제2예비 콘택홀 및 제3콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 상기 제1예비 콘택홀, 상기 제2예비 콘택홀 및 상기 제3콘택홀을 갖는 상기 기판 상에 상기 제1예비 콘택홀 및 상기 제2예비 콘택홀을 노출시키는 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2포토레지스트 패턴을 갖는 상기 기판에 식각공정을 수행함으로써 상기 노출된 소오스 및 상기 노출된 드레인 영역을 관통하여 상기 버퍼막을 노출시켜 제1콘택홀 및 제2콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 제2포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 형성방법 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서, 상기 금속전극막을 형성한 후에 상기 제1콘택홀과 상기 제3콘택홀 사이에 형성된 상기 보호막 상의 상기 금속전극막 및 상기 제3콘택홀과 상기 제2콘택홀 사이에 형성된 상기 보호막 상의 상기 금속전극막을 식각하여 상기 보호막을 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 형성방법 |
| 7 |
7 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인 영역 각각의 두께는 10nm 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 형성방법 |
| 8 |
8 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 채널영역은 비정질 실리콘, 나노결정 실리콘, 마이크로결정 실리콘, 3-5족 반도체, 2-6족 반도체 및 다결정 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 형성방법 |
| 9 |
9 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 금속전극막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 형성방법 |
| 10 |
10 기판 상에 차례로 배치된 버퍼막 및 반도체막; 상기 반도체막 상에 차례로 배치된 절연패턴 및 게이트 전극패턴을 포함하는 게이트 패턴; 상기 게이트 패턴 하부의 반도체막을 채널영역으로 한정하고, 상기 게이트 패턴 외측의 상기 반도체막에 불순물이 주입되어 상기 채널영역의 양쪽 측면들과 연결된 소오스 및 드레인; 상기 게이트 패턴을 갖는 상기 기판 전면을 덮는 보호막; 상기 소오스 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 소오스를 관통하여 상기 소오스와 전기적으로 연결된 제1금속전극; 및 상기 드레인 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 드레인을 관통하여 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결된 제2금속전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 게이트 전극패턴 상의 상기 보호막의 일영역을 관통하여 상기 게이트 전극과 연결된 제3금속전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 제1금속전극 및 상기 제2금속전극의 각각은 알루미늄 전극 또는 알루미늄 합금 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 13 |
13 제 10 항에 있어서, 상기 채널영역은 비정질 실리콘, 나노결정 실리콘, 마이크로결정 실리콘, 3-5족 반도체, 2-6족 반도체 및 다결정 실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 14 |
14 제 10 항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인 영역 각각의 두께는 10nm 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 15 |
15 기판 상에 차례로 배치된 버퍼막 및 반도체막; 상기 반도체막 상에 차례로 배치된 절연패턴 및 게이트 전극패턴을 포함하는 게이트 패턴; 상기 게이트 패턴 하부의 반도체막을 채널영역으로 한정하고, 상기 게이트 패턴 외측의 상기 반도체막에 불순물이 주입되어 상기 채널영역의 양쪽 측면들과 연결된 소오스 및 드레인; 상기 게이트 패턴을 갖는 상기 기판 전면을 덮는 보호막; 상기 소오스 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 소오스를 관통하여 상기 소오스와 전기적으로 연결된 제1금속전극; 상기 드레인 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 드레인을 관통하여 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결된 제2금속전극; 상기 제2금속전극을 갖는 상기 기판을 덮은 보호절연막; 및 상기 보호절연막을 갖는 상기 기판 상에 배치되어 상기 드레인 영역과 전기적으로 연결된 유기발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 게이트 전극 상의 상기 보호막의 일영역을 관통하여 상기 게이트 전극패턴과 연결된 제3금속전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치 |
| 17 |
17 제 15 항에 있어서, 상기 제1금속전극, 상기 제2금속전극 및 상기 제3금속전극의 각각은 알루미늄 전극 또는 알루미늄 합금 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시장치 |
| 18 |
18 제 15 항에 있어서, 상기 소오스 및 상기 드레인 영역 각각의 두께는 10nm 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 평판 표시장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08022398 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20100148155 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010148155 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8022398 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1021479-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081216 출원 번호 : 1020080127918 공고 연월일 : 20110316 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110223 청구범위의 항수 : 16 유별 : G02F 1/136 발명의 명칭 : 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치 존속기간(예정)만료일 : 20160305 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2011년 03월 07일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2014년 01월 06일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2015년 01월 15일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0864321-51 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.06.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2010.07.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0045097-97 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2010.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0330466-32 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2010.09.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0631304-35 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2010.10.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0700214-21 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.11.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0789131-48 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0789125-74 |
| 9 | 등록결정서 | 2011.02.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0105241-90 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술번호 | KST2014027661 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 성균관대학교 |
| 기술명 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치에 관한 것으로, 기판 상에 차례로 배치된 버퍼막 및 반도체막, 상기 반도체막 상에 차례로 배치된 절연패턴 및 게이트 전극패턴을 포함하는 게이트 패턴, 상기 게이트 패턴 하부의 반도체막을 채널영역으로 한정하고, 상기 게이트 패턴 외측의 상기 반도체막에 불순물이 주입되어 상기 채널영역의 양쪽 측면들과 연결된 소오스 및 드레인, 상기 게이트 패턴을 갖는 상기 기판 전면을 덮는 보호막, 상기 소오스 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 소오스를 관통하여 상기 소오스와 전기적으로 연결된 제1금속전극 및 상기 드레인 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 드레인을 관통하여 상기 드레인과 전기적으로 연결된 제2금속전극을 포함한다. 상기와 같은 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치에 의해, 소오스와 드레인 영역에 금속을 침투시켜 박막 트랜지스터의 구동 시에 전류를 분산시킴으로써 전하의 이동도, 박막 트랜지스터의 수명 및 성능을 향상시킬 수 있다. 박막 트랜지스터, TFT, 평판 표시장치, 유기발광 다이오드 |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | . |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345071098 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1605 |
| 연구과제명 | 정보기술분야밀착형산학협력인재양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415115392 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035225 |
| 연구과제명 | 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
| [1020120009173] | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020120009172] | 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020120009171] | 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020110143182] | 정전 분무 인쇄 장치 | 새창보기 |
| [1020110143098] | 수직 채널 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [1020110131467] | 고명암비 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | 새창보기 |
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