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관통형전극 및 그의 형성방법

  • 기술번호 : KST2014027846
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도금공정이 매우 빠르게 진행될 수 있을 뿐만 아니라 기공율이 최소화된 관통형전극의 형성방법 및 그에 따라 형성된 관통형전극에 관한 것이다. 본 발명에 의한 관통형전극의 형성방법은, 기판에 형성된 관통공의 하부에 도전성 페이스트를 채우는 단계; 상기 도전성 페이스트가 채워진 상기 기판의 밑면에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막의 표면에 보호막을 부착하는 단계; 및 상기 금속막을 시드층으로 하여 상기 관통공에 상기 도전성 페이스트로부터 반대쪽방향으로 내부전극을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 관통공의 일부를 도전성 페이스트로 채워, 금속시드층 형성시 관통공의 벽면에 금속이 증착되는 것을 막을 수 있다. 이에 의하여 내부에 기공이 형성되는 것을 방지함으로써, 높은 전류밀도를 사용할 수 있어 전해도금공정의 시간을 줄일 수 있다. 또한, 관통공의 일부를 도전성 페이스트로 채워 내부에 전극이 성장하는 거리를 단축시킴으로써, 전해도금공정의 시간이 크게 줄어드는 효과가 있다. 기판, 배선, 관통형전극, 도전성 페이스트, 시드층
Int. CL H05K 3/42 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01)
CPC H05K 3/4038(2013.01) H05K 3/4038(2013.01) H05K 3/4038(2013.01) H05K 3/4038(2013.01) H05K 3/4038(2013.01)
출원번호/일자 1020090056648 (2009.06.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1048489-0000 (2011.07.05)
공개번호/일자 10-2010-0138224 (2010.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20110711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서수정 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 김윤식 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0384266-46
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0570622-21
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0028925-24
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0028926-70
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0368623-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 형성된 관통공의 하부에 도전성 페이스트를 채우는 단계; 상기 도전성 페이스트가 채워진 상기 기판의 밑면에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막의 표면에 보호막을 부착하는 단계; 및 상기 관통공의 내부에 상기 금속막을 시드층으로 하여 상기 도전성 페이스트로부터 위쪽으로 내부전극을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 관통형전극의 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 관통형전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 보호막을 제거하고 상기 금속막을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관통형전극의 형성방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 금속막을 패터닝하는 공정이 사진공정과 식각공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 관통형전극의 형성방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 관통공이 건식 식각공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 관통형전극의 형성방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 도전성 페이스트가 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 관통공의 일부에 채워지는 것을 특징으로 하는 관통형전극의 형성방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 금속막이 스퍼터링 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 관통형전극의 형성방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 내부전극을 전해도금 방법에 의하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 관통형전극의 형성방법
8 8
기판에 형성된 관통공의 내부에 형성된 관통형전극에 있어서, 상기 관통공의 하부에 채워진 도전성 페이스트; 상기 도전성 페이스트의 밑면에 증착되고 패터닝된 금속막; 및 상기 관통공 내부의 상기 도전성 페이스트의 윗부분에 위치하고, 상기 금속막을 시드층으로 하여 전해도금법으로 성장시킨 내부전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 관통형전극
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.