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실리콘 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014033403
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 박막 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘 박막 형성 방법은, (S1) 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 제조하는 단계; (S2) 상기 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및 (S3) 상기 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 열처리하는 단계를 포함한다. 본 발명의 실리콘 박막 형성 방법에 따르면, 액상 공정을 이용함으로써 간단하고 저렴한 공정으로 실리콘 박막을 형성할 수 있다. 또한, 기판 위에 대면적의 박막을 용이하게 제조할 수 있고, 유기 화합물의 조성, 열처리 또는 광학 처리 공정 조건을 조절함에 의해 사용되는 소자에 적합하도록 실리콘 박막의 물리적, 전기적 물성을 변화시킬 수 있다. 본 발명의 실리콘 박막 형성 방법은 태양전지, 박막 트랜지스터, 유기발광다이오드, 이미지 센서 등 다양한 제품의 제조에 폭 넓게 활용될 수 있다.실리콘 박막, 실리콘 유기 화합물, 열처리, 광학처리
Int. CL H01L 51/30 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 51/0094(2013.01) H01L 51/0094(2013.01) H01L 51/0094(2013.01)
출원번호/일자 1020090026601 (2009.03.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1114293-0000 (2012.02.02)
공개번호/일자 10-2009-0103840 (2009.10.01) 문서열기
공고번호/일자 (20120305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080029259   |   2008.03.28
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.27)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남재도 대한민국 서울특별시 강남구
2 부용순 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이평찬 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 김시은 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0187336-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0031768-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0509919-66
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0014975-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0014991-55
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0342066-43
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0647335-04
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0647334-58
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0056525-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 제조하는 단계;[화학식 1] 여기서, R1 및 R2는 탄소원자가 20개 미만인 탄화수소기이고, [화학식 2] 여기서, R3 및 R4 는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, R5는 탄소원자가 5 미만인 탄화수소기임
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 (S1) 단계에서 상기 박막 형성용 조성물은 상기 실리콘 유기 화합물을 용매에 용해시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 박막 형성용 조성물에서 상기 실리콘 유기 화합물의 함량은 상기 용매 100 중량부에 대하여 0
7 7
제1항에 있어서,상기 (S2) 단계에서는 상기 박막 형성용 조성물을 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 와이어 코팅, 오프셋 프린팅 또는 커튼 코팅으로 상기 기판에 도포하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱 또는 세라믹으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 (S3) 단계는 100 내지 1200℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 (S3) 단계는 질소, 헬륨, 아르곤 및 수소로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기체 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 기판에 도포된 박막 형성용 조성물을 노광시켜 광학처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 형성 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 광학처리 시 노광은 0
13 13
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되며,상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에서 실리콘 사슬은 선형, 환형 또는 새장 형상이고, n1 및 n2는 4 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막을 포함하는 태양전지:[화학식 1] 여기서, R1 및 R2는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, [화학식 2] 여기서, R3 및 R4는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, R5는 탄소원자가 5 미만인 탄화수소기임
14 14
삭제
15 15
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되며,상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에서 실리콘 사슬은 선형, 환형 또는 새장 형상이고, n1 및 n2는 4 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막을 포함하는 트랜지스터:[화학식 1] 여기서, R1 및 R2는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, [화학식 2] 여기서, R3 및 R4는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, R5는 탄소원자가 5 미만인 탄화수소기임
16 16
삭제
17 17
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 실리콘 유기 화합물을 포함하는 박막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 열처리함에 의해 형성되며,상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에서 실리콘 사슬은 선형, 환형 또는 새장 형상이고, n1 및 n2는 4 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막을 포함하는 유기발광다이오드:[화학식 1] 여기서, R1 및 R2는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, [화학식 2] 여기서, R3 및 R4는 탄소원자가 20 미만인 탄화수소기이고, R5는 탄소원자가 5 미만인 탄화수소기임
18 18
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.