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가스 감지용 금속 산화물의 제조 방법에 있어서,(a) 고분자 용액을 전기방사법(elecrospinning)에 의해 방사하여 나노섬유인 템플릿을 형성하는 단계;(b) 상기 템플릿 상에 가스 감지용 금속 산화물 박막을 원자층증착법에 의하여 증착하여, 상기 금속 산화물 박막이 상기 템플릿을 둘러싸는 중간 구조물을 형성하는 단계;(c) 상기 중간 구조물을 열처리하여 상기 템플렛을 제거함으로써, 상기 중간 구조물로부터 금속 산화물 나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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제1 항에 있어서,(a) 단계에 의해 형성된 상기 템플릿에 대하여 150℃ 내지 350℃의 온도에서 안정화 열처리를 하는 단계를 더 포함하는 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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제1 항에 있어서,(b) 단계에서, 상기 원자층증착법은 100 ℃ 내지 300℃ 에서 진행하는 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은 아연 산화물, 주석 산화물, 바나듐 산화물, 타이타늄 산화물, 인듐 산화물 및 텅스텐 산화물로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나의 박막인 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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제1 항에 있어서,(a) 단계에서,상기 나노섬유인 상기 템플릿의 직경 및 길이를 조절함으로써, 상기 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 내부 직경 및 길이를 결정하는 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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제1 항에 있어서,(b) 단계에서,상기 원자층증착법의 증착주기를 조절함으로써, 상기 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 벽 두께를 결정하는 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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제1 항에 있어서,(b) 단계의 원자층증착법에 의해 형성되는 상기 금속 산화물 박막은 비정질 상태이며, (c) 단계의 상기 중간 구조물을 열처리하는 공정은 상기 비정질 상태인 상기 금속 산화물 박막을 결정화시키는,가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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제1 항에 있어서,(b) 단계의 상기 금속 산화물 박막은 비정질 상태인 주석 산화물 박막이며, (c) 단계에서 상기 주석 산화물 박막의 결정화에 의하여, 상기 금속 산화물 나노튜브가 결정질 주석 산화물 나노입자를 포함하는, 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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제8 항에 있어서,(c) 단계에서,상기 중간 구조물의 상기 열처리는 400℃ 이상 900℃ 미만의 온도에서 진행되는 가스 감지용 금속 산화물 나노튜브의 제조 방법
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감지 대상 가스와 반응할 수 있는 외벽 및 내벽을 가지며, 벽 두께가 5 ~ 40 nm 이고, 길이가 1 um 이상인 복수의 주석 산화물 나노튜브의 네트워크 구조물; 및상기 네트워크 구조물에 전원을 인가하는 전극을 포함하고,상기 복수의 주석 산화물 나노튜브는 결정질 나노입자를 포함하는금속 산화물 가스 센서
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제10 항에 있어서,상기 주석 산화물 나노튜브의 벽의 두께가 하나의 결정질 나노입자의 크기와 동일한 금속 산화물 가스 센서
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