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이온성 고분자-금속 복합체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160032
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온성 고분자 막 및 상기 이온성 고분자 막을 사이에 두고 서로 대향되는 금속 전극들을 포함하되, 상기 금속 전극들 중 적어도 하나의 전극은 서로 전기적으로 연결되어 있는 나노구조물들을 구비하는 이온성 고분자-금속 복합체 및 이의 제조방법이 제공된다.
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/28 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020080082707 (2008.08.25)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0024041 (2010.03.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.25)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용협 대한민국 서울특별시 서초구
2 김성준 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0601675-52
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0104337-59
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0662113-89
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0022451-74
6 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0364942-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이온성 고분자 막; 및 상기 이온성 고분자 막을 사이에 두고 서로 대향되는 금속 전극들을 포함하되, 상기 금속 전극들 중 적어도 하나의 전극은 서로 전기적으로 연결되어 있는 나노구조물들을 구비하는 이온성 고분자-금속 복합체
2 2
제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자 막은 이온성 기를 가지는 불화탄소계 고분자 또는 이온성 기를 가지는 스티렌/디비닐벤젠계 고분자를 포함하는 이온성 고분자-금속 복합체
3 3
제2항에 있어서, 상기 이온성 기는 술포네이트 기 또는 카복실레이트 기인 이온성 고분자-금속 복합체
4 4
제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자 막은 전극들 사이에 전압 인가시 굽힘 변형이 일어나는 이온성 고분자-금속 복합체
5 5
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노구조물들은 상기 전극 내부에 포함되어 있거나, 전극의 표면 또는 전극과 이온성 고분자 막 사이의 계면에 위치하는 이온성 고분자-금속 복합체
6 6
제1항에 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노구조물들이 상기 이온성 고분자 막의 굽힘 변형에 의해 신장되는 쪽의 전극에 적어도 형성되는 이온성 고분자-금속 복합체
7 7
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노구조물들이 상기 이온성 고분자-금속 복합체의 굽힘 변형 시에도 전기적 연결이 유지되는 이온성 고분자-금속 복합체
8 8
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노구조물들은 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 구비하는 이온성 고분자-금속 복합체
9 9
제8항에 있어서, 상기 나노와이어가 금속, 금속 합금, 금속 황화물, 금속 칼코겐, 금속 할로겐 또는 반도체로 구성되는 이온성 고분자-금속 복합체
10 10
이온성 고분자 막을 제공하는 공정; 상기 이온성 고분자 막 양면에 제1 금속 층을 형성하는 공정; 및 상기 제1 금속 층 위에 서로 전기적으로 연결되어 있는 나노구조물들의 층을 형성하는 공정 을 포함하는 이온성 고분자-금속 복합체의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 나노구조물들의 층 위에 제2 금속 층을 형성하는 공정을 더 포함하는 이온성 고분자-금속 복합체의 제조방법
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 금속 층을 형성하는 공정은 물리적 증착, 전기화학 침전 또는 무전해 도금의 방법으로 수행되는 이온성 고분자-금속 복합체의 제조방법
13 13
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 나노구조물들은 나노와이어 또는 탄소나노튜브를 구비하는 이온성 고분자-금속 복합체의 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 나노와이어가 금속, 금속 합금, 금속 황화물, 금속 칼코겐, 금속 할로겐 또는 반도체로 구성되는 이온성 고분자-금속 복합체의 제조방법
15 15
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 나노구조물들의 층을 형성하는 공정은 스프레이 코팅, 스핀 코팅 또는 딥 코팅의 방법으로 수행되는 이온성 고분자-금속 복합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.