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a)탐침 현미경 팁의 표면 전체에 고체 박막 마스크를 증착시키고,b)상기 고체 박막 마스크가 증착된 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 마찰시켜 상기 증착된 고체 박막 마스크 중 탐침 현미경 팁의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크만을 제거한 후,c)상기 끝부분만 고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁의 표면 전체에 링커 분자막을 증착시키고,d)상기 링커 분자막이 증착된 탐침 현미경 팁을 나노구조물 용액에 침지시켜 상기 링커 분자에 나노구조물이 흡착되도록 한 후, e)상기 탐침 현미경 팁에 증착된 고체 박막 마스크를 제거하는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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a)탐침 현미경 팁의 표면 전체에 고체 박막 마스크를 증착시키고,b)상기 고체 박막 마스크가 증착된 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 마찰시켜 상기 증착된 고체 박막 마스크 중 탐침 현미경 팁의 끝부분에 증착된 고체 박막 마스크만을 제거한 후,c)상기 끝부분만 고체 박막 마스크가 제거된 탐침 현미경 팁의 표면 전체에 흡착시키고자 하는 물질을 증착시키고,d)상기 탐침 현미경 팁에 증착된 고체 박막 마스크를 제거하는 고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 b)단계는,상기 탐침 현미경 팁의 끝부분을 고체 표면에 접촉시킨 후, 2nN ~ 100nN의 힘을 이용하여 가로 10um, 세로 10um의 영역에 1초 ~ 1일간 스캔하는고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 b)단계는,씨엠피(CMP, Chemical Mechanical Polishing)를 사용하는고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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제 1항에 있어서,상기 c)단계는,상기 탐침 현미경 팁을 링커분자 용액에 1초 ~ 10일 동안 침지시킨 후, 무수헥산으로 씻어내는고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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제 1항에 있어서,상기 c)단계는,밀폐된 용기 내에서 링커분자 용액을 가열하여 증기를 발생시키고, 상기 증기를 탐침 현미경 팁에 1초 ~ 10일 동안 접촉시키는고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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제 1항에 있어서,상기 d)단계는,상기 탐침 현미경 팁을 나노구조물 용액에 1시간 이상 침지시키는고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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제 1항에 있어서,상기 d)단계는,상기 나노구조물 용액을 스퍼터링(sputtering) 또는 이배퍼레이터(evaporator)를 사용하여 흡착시키는고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,고체 박막 마스크는,알루미늄(Al,aluminium)인고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 링커분자 용액은,아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane) 용액인고체 박막 마스크를 이용한 나노구조물 및 흡착물질의 흡착방법
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