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나노구조체를 포함하는 태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014040369
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노구조체를 포함하는 태양전지 제조방법을 제공한다. 태양전지 제조방법은 제1 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계; 제1 전극 상에 전자 주개 물질과, 전자 주개 물질과 비상용성인 희생 중합체가 혼합된 혼합 박막층을 형성하는 단계; 혼합 박막층 내의 희생 중합체를 열처리에 의해 제거하여 전자 주개 물질의 나노구조체를 형성하는 단계; 전자 주개 물질의 나노구조체 상에 전자 받개 물질층을 형성하는 단계; 및 전자 받개 물질층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 간단한 방법에 의해 광활성층 내에 나노구조체를 도입할 수 있으므로 태양 전지의 제조 비용을 낮출 수 있다. 또한, 광흡수효율, 전자와 정공의 분리효율 및 이동효율을 높일 수 있어 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0026(2013.01) H01L 51/0026(2013.01) H01L 51/0026(2013.01) H01L 51/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020100045944 (2010.05.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1055117-0000 (2011.08.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.17)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 양희연 대한민국 서울특별시 서초구
3 손동익 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0314417-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0045705-94
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0416482-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
제1 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 전자 주개 물질과, 전자 주개 물질과 비상용성인 희생 중합체가 혼합된 혼합 박막층을 형성하는 단계;상기 혼합 박막층 내의 희생 중합체를 열처리에 의해 제거하여 전자 주개 물질의 나노구조체를 형성하는 단계;상기 전자 주개 물질의 나노구조체 상에 전자 받개 물질층을 형성하는 단계; 및상기 전자 받개 물질층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 희생 중합체는 폴리알킬렌글리콜인 태양전지 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 폴리알킬렌글리콜은 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜인 태양전지 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전자 주개 물질은 펜타센, 쿠마린 6, ZnPC, CuPC, TiOPC, Spiro-MeOTAD, F16CuPC, SubPc, N3, P3HT, P3KT, PT, P3OT, PCPDTBT, PCDTBT, PFDTBT, MEH-PPV, MDMO-PPV, PFO 및 PFO-DMP 중에서 선택되는 어느 하나인 태양전지 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 전자 받개 물질층은 n형 유기 반도체층 또는 n형 금속 산화물층인 태양전지 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 n형 유기 반도체층은 C60, PC61BM, PC71BM, PC81BM, PDCDT, PenPTC, PTCBI, ADIDI, PTCDA, PTCDI, NTDA, MePTC, HepPTC, Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7, 3TPYMB, 2-NPIP, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB 및 BTB 중 에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 층인 태양전지 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 n형 금속 산화물층은 ZnO, TiO2 및 SnO2 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 층인 태양전지 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 전자 주개 물질의 나노구조체는 다수의 홀을 갖는 박막형 전자 주개 물질층인 태양전지 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 전자 주개 물질의 나노구조체는 다수의 돌기로 이루어진 돌기형 전자 주개 물질층인 태양전지 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 혼합 박막층을 형성하는 단계는 스핀 코팅법에 의해 수행하는 것인 태양전지 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 혼합 박막층을 형성하기 전에, 제1 전극 상에 정공수송층을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
12 12
제1 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 전자 주개 물질과 폴리에틸렌글리콜이 혼합된 혼합 박막층을 형성하는 단계;상기 혼합 박막층 내의 폴리에틸렌글리콜을 열처리에 의해 제거하여 전자 주개 물질의 나노구조체를 형성하는 단계;상기 전자 주개 물질의 나노구조체 상에 전자 받개 물질층을 형성하는 단계; 및상기 전자 받개 물질층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부(과기부) 교육과학기술부(과기부)(한국과학재단) 기초연구사업(중견연구자지원사업) 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구