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2 단자 마그네틱 메모리 셀과 스핀 ＦＥＴ를 이용한 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2014040720
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 10 nm 이하에서도 소자 특성이 열화되지 않고, 신뢰성을 확보할 수 있는 새로운 개념의 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 소자는 워드라인과, 비트라인과, 워드라인과 비트라인 사이에 설치되는 2 단자 마그네틱 메모리 셀(2-terminal magnetic memory cell)과, 워드라인과 비트라인의 일단에 설치되는 스핀 FET(spin-field effect transistor)를 구비한다.
Int. CL H01L 27/11502 (2017.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) G11C 11/16 (2006.01.01) H01L 21/8238 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1020090106097 (2009.11.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1048353-0000 (2011.07.05)
공개번호/일자 10-2010-0051552 (2010.05.17) 문서열기
공고번호/일자 (20110714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080110233   |   2008.11.07
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0678869-29
2 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2009.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0694409-16
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0085611-19
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0078365-91
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0354186-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
워드라인; 비트라인; 상기 워드라인과 비트라인 사이에 설치되는 2 단자 마그네틱 메모리 셀(2-terminal magnetic memory cell); 및 상기 워드라인과 비트라인의 일단에 설치되는 스핀 FET(spin-field effect transistor);를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 2 단자 마그네틱 메모리 셀은 제1 강자성층, 제1 절연층, 제2 강자성층, 제2 절연층 및 전도층이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 스핀 FET의 소스 영역과 드레인 영역은 제1 강자성층, 제1 절연층, 제2 강자성층, 제2 절연층 및 전도층이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 강자성층과 제2 강자성층은 반금속(half-metal)로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 반금속은 호이슬러 합금(Heusler alloy)인 것을 특징으로 하는 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 호이슬러 합금은 Co2FeAl0
7 7
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 절연층과 제2 절연층은 Al2O3 및 MgO 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 소자
8 8
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 2 단자 마그네틱 메모리 셀을 이루는 제1 강자성층과 제2 강자성층 및 상기 스핀 FET의 소스 영역과 드레인 영역을 이루는 제1 강자성층과 제2 강자성층은 동일한 자성 물질로 이루어지고, 상기 2 단자 마그네틱 메모리 셀을 이루는 제1 절연층과 제2 절연층 및 상기 스핀 FET의 소스 영역과 드레인 영역을 이루는 제1 절연층과 제2 절연층은 동일한 절연 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메모리 소자
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.