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나노 입자를 포함한 나노 세선 형성 방법 및 이 나노 세선을 사용하는 비휘발성 플래시 메모리 소자의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2014042922
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 나노 입자가 포함되어 있는 나노 세선을 전자빔 주입을 통해 형성하는 방법 및 형성된 나노 세선을 플로팅 게이트로 사용하는 비휘발성 플래시 메모리 소자의 제작 방법을 제공한다. 본 발명에서는 금속 나노 입자 및 나노 세선의 원료가 녹아 있는 용액을 전기방사(electrospinning) 장치를 통해 섬유 형태로 분사한 후, 열을 가해 액체 성분을 제거하여 지름이 수십 nm의 나노 세선을 형성한다. 그 후 전자빔을 나노 세선에 조사하면, 나노 세선의 지름이 10 nm 내외로 줄어듦과 동시에 나노 세선 안에 형성되어 있는 금속 산화물 나노 입자가 전자빔의 에너지를 받아 환원되어 금속 나노 입자가 된다. 본 발명에 따르면, 금속 나노 입자가 균일한 크기로 일정한 간격으로 형성되기 때문에 이를 사용한 소자들은 높은 재현성을 가질 수 있으며, 전자빔을 전체 또는 국부적으로 주입할 수 있어 나노 세선의 특정 위치에만 금속 나노 입자를 형성할 수 있다. 또한, 나노 세선을 형성하는 데 특정한 기판이 필요 없이, 형성된 나노 세선을 추출하여 다양한 소자에 바로 활용할 수 있다. 이렇게 형성한 나노 세선을 플로팅 게이트로 사용하는 비휘발성 플래시 메모리 소자는 나노 세선을 간단하게 단층 및 다층 구조로 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 27/11563 (2017.01.01) H01L 29/792 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01)
출원번호/일자 1020080102512 (2008.10.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1014596-0000 (2011.02.08)
공개번호/일자 10-2010-0043465 (2010.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 정재훈 대한민국 서울 광진구
3 신재원 대한민국 대전광역시 유성구
4 이정용 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0726575-37
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0423939-85
3 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2010.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0638881-65
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0638868-71
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0055685-30
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 나노 입자의 원료 물질 용액과 무기물 나노 세선의 원료 물질 용액을 준비하여 혼합 용액으로 제조하는 단계; 상기 혼합 용액을 전기방사(electrospinning)하여 나노 세선을 형성하는 단계; 상기 전기방사 후 상기 나노 세선을 고형화하기 위한 열처리를 실시하여 상기 나노 세선 내부에 금속 산화물 나노 입자를 형성하는 단계; 및 상기 열처리 후 상기 나노 세선에 전자빔을 주입하여 상기 금속 산화물 나노 입자를 환원시켜 금속 나노 입자로 형성하는 단계를 포함하는 나노 세선 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 나노 입자의 원료 물질 용액은 Zn 아세트산염 이수화물(Zn acetate dihydrate, Zn(CH3COO)22H2O)과 디메틸포름아미드(Dimethylformamide, DMF)의 혼합물이고, 상기 무기물 나노 세선의 원료 물질 용액은 테트라에틸 오쏘 실리케이트(Tetraethyl orthosilicate, TEOS)와 아세트산 및 폴리-4-비닐-페놀(poly-4-vinyl-phenol, PVP)의 혼합물인 것을 특징으로 하는 나노 세선 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속은 Zn, Fe, Sn, In, Cu, Ba, Ni, Zr, Ta, Al, Mg, Mn, Ga, Cd 및 Ag 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 세선 형성 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 전자빔의 주입은 진공 속에서 104 ~ 106 e/nm2의 세기로 10분 동안 실시하여 상기 나노 세선의 지름을 감소시키는 것을 특징으로 하는 나노 세선 형성 방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 형성한 나노 세선을 용매에 분산시킨 후 기판 위에 스핀 코팅을 통해 박막 형태로 증착시키는 단계; 상기 박막으로부터 상기 용매를 제거하고 상기 나노 세선으로 구성된 플로팅 게이트층을 형성하는 단계; 상기 나노 세선 사이에 빈 공간을 메우기 위해 절연체 박막을 증착하는 단계; 및 상기 나노 세선과 절연체 박막을 패터닝한 후 패턴 양측에 소스와 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 플래시 메모리 소자 제작 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 절연체 박막은 SiO2, Al2O3, Si3N4, Ta2O5, BaTiO3, PbTiO3, Ga2O3, HfO2, ZrO2, La2O3, Y2O3, HfSixOy, HfAlxOy 및 BaZrTiO3 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제작 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 나노 세선은 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제작 방법
8 8
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 형성한 나노 세선을 절연성 고분자에 분산시킨 후 기판 위에 스핀 코팅시켜 상기 절연성 고분자 안에 포함된 상기 나노 세선으로 구성된 플로팅 게이트층을 형성하는 단계; 및 상기 나노 세선과 절연체 고분자를 패터닝한 후 패턴 양측에 소스와 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 플래시 메모리 소자 제작 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 절연성 고분자는 폴리-4-비닐-페놀(poly-4-vinyl-phenol, PVP), 폴리스티렌(poly styrene, PS), 폴리메틸메타아크릴레이트(poly methyl methacrylate, PMMA) 및 폴리이미드(poly imide, PI) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제작 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 나노 세선은 다층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한양대학교 국가지정연구실 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구