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고분자 박막 안에 포함된 나노입자를 이용한 다중 준위 플래시 기억소자

  • 기술번호 : KST2014043197
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 박막 안에 포함된 나노입자를 이용한 다중 준위 플래시 기억소자가 개시된다. 본 발명에 따른 다중 준위 플래시 기억소자는 제1 고분자 물질 내에 제1 나노입자가 분산되어 있는 제1 전하 포획층과, 제1 전하 포획층 상에 형성되며 제2 고분자 물질 내에 제2 나노입자가 분산되어 있는 제2 전하 포획층을 구비한다. 본 발명에 따르면, 기억 상태의 저장에 정공과 전자가 모두 이용되고 정공 포획층과 전자 포획층이 공간적으로 분리되어 있어, 게이트의 두께와 소자의 구동전압을 감소시킬 수 있으며, 소자의 데이터 유지능력도 우수하게 된다. 그리고 각 전하 포획층이 고분자 물질 내에 나노입자가 분산된 형태로 형성되므로, 스핀 코팅 방법과 손쉬운 방법으로 소자를 제작할 수 있게 되어 전체적인 공정이 간단하게 되고 비용이 적게 소요된다. 플래시 기억소자, 다중 준위, 나노 입자, 코어-셀
Int. CL H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 27/11563 (2017.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/792 (2006.01.01)
CPC H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01)
출원번호/일자 1020080083840 (2008.08.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1006867-0000 (2011.01.03)
공개번호/일자 10-2010-0025180 (2010.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20110112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 정재훈 대한민국 서울 광진구
3 이대욱 대한민국 경기 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0610667-08
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0620924-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0037907-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0291229-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0516085-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0516092-20
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0595186-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판; 상기 기판 상에 형성되며 제1 고분자 물질 내에 제1 나노입자가 분산되어 있는 제1 전하 포획층; 상기 제1 전하 포획층 상에 형성되며 제2 고분자 물질 내에 제2 나노입자가 분산되어 있는 제2 전하 포획층; 및 상기 제2 전하 포획층 상에 형성된 게이트 전극;을 포함하고, 상기 제1 나노입자는 전자를 포획하고, 상기 제2 나노입자는 정공을 포획하는 것을 특징으로 하는 다중 준위 플래시 기억소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 나노입자의 가전자대의 에너지 준위(Ev,1)는 상기 제1 고분자 물질에서 전자가 채워져 있는 가장 높은 에너지 준위(EHOMO,1)보다 작고, 상기 제2 나노입자의 전도대의 에너지 준위(Ec,2)는 상기 제2 고분자 물질에서 전자가 비어 있는 가장 낮은 에너지 준위(ELUMO,2)보다 큰 것을 특징으로 하는 다중 준위 플래시 기억소자
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 나노입자 및 상기 제2 나노입자는 코어(core)-셀(shell) 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 다중 준위 플래시 기억소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 나노입자의 코어는 GaP, ZnSe, InP, CdTe, CdSe 및 CdS 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어지고, 상기 제1 나노입자의 셀은 AlSb, GaAs, ZnTe, ZnSe, InP, GaSb 및 AlAs 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 준위 플래시 기억소자
6 6
제4항에 있어서, 상기 제2 나노입자의 코어는 AlSb, GaAs, GaSb, InP 및 ZnTe 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어지고, 상기 제2 나노입자의 셀은 GaP, ZnO, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe 및 InP 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 준위 플래시 기억소자
7 7
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 고분자 물질과 상기 제2 고분자 물질은 PVP(poly vinyl pyrrolidone), PS(poly sterene), PMMA(poly methyl methacrylate) 및 BPDA-PDA(poly(biphenyl dianhydride-p-phenylene diamine) 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 준위 플래시 기억소자
8 8
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 기판은 Si, Ge, AlAs, GaAs, GaSb, GaN, InP, InSb, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, PbS 및 PbTe 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 준위 플래시 기억소자
9 9
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 전하 포획층의 두께보다 상기 제2 전하 포획층의 두께가 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 다중 준위 플래시 기억소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한양대학교 산학협력단 국가지정연구실사업 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구