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투명하고 휘어지는 실리콘 기판 제조 방법 및 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼

  • 기술번호 : KST2014044064
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기발광 다이오드의 양극으로 사용 가능한 실리콘 기판을 얻기 위한 두께 균일도가 매우 우수한 나노 SON(Silicon On Nitride) 기판를 제조하는 방법 및 그에 따라 제조된 기판가 개시된다. 본 발명의 나노 SON 기판의 제조 방법은, 결합 기판와 기준 기판를 준비하고, 상기 기준 기판의 적어도 일면에 산화막과 질화막으로 이루어진 절연막을 형성한다. 이어서, 상기 결합 기판의 표면으로부터 소정 깊이에 불순물 이온을 저전압으로 주입하여 불순물 이온 주입부를 형성한 후, 상기 기준 기판의 절연막과 상기 결합 기판를 서로 접촉시켜 접착한다. 이어서, 저온 열처리를 수행하여 상기 결합 기판의 불순물 이온 주입부를 벽개하고, 상기 기준 기판와 접착된 상기 결합 기판의 벽개된 표면을 식각하여 나노급의 소자형성영역을 형성한다. 벽개된 표면에 대한 식각은 수소 표면 처리와 습식 식각을 사용하여 수행할 수 있다. 이렇게 만들어진 기판를 나노 SON 기판라 칭한다. 상기 나노 SON 기판의 양면에 소정 두께의 산화막과 질화막을 형성시켜 습식 식각에 있어 보호막으로 사용한다. 이어서, 기준 기판 위에 형성된 보호막을 HF 증기를 사용하여 부분적으로 식각하고, 부분적으로 드러난 기준 기판를 식각액을 사용하여 식각한다. 이때, 기준 기판의 절연막을 이루고 있는 산화막과 질화막이 식각 정지층으로 작용하여 원하는 두께의 두께 균일도가 매우 우수한 나노급의 투명하고 휘어지는 실리콘 기판을 제조할 수 있다. 광 투과 단결정 기판, SON, 식각, 유기 EL 디스플레이, 유기 발광층, 실리콘 기판, 가요성,
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01)
출원번호/일자 1020050051169 (2005.06.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1200120-0000 (2012.11.05)
공개번호/일자 10-2006-0130470 (2006.12.19) 문서열기
공고번호/일자 (20121112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이곤섭 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0314317-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.05.26 수리 (Accepted) 4-1-2008-5082579-78
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0169402-27
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0169403-73
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0212093-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0352181-94
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0352150-89
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0039027-50
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0397068-12
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0723990-40
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0723987-13
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0164274-47
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0390828-85
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0390791-84
16 등록결정서
Decision to grant
2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0657962-71
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기준 기판 및 결합 기판을 준비하는 단계;상기 기준 기판의 적어도 일측 표면 상에 절연막을 형성하는 단계;불순물 이온 주입을 통해 상기 결합 기판 내에 소자형성부 및 제거부를 형성하는 단계;상기 기준 기판의 절연막의 표면과 상기 결합 기판의 소자형성부의 표면을 결합하는 단계;상기 결합 기판을 벽개(cleavage)하여 상기 결합 기판의 제거부를 제거하는 단계;상기 벽개된 결합 기판의 표면을 습식 식각하는 단계;상기 습식 식각된 결합 기판의 표면 상에 제1보호막 및 상기 기준 기판의 타측 표면 상에 제2보호막을 형성하는 단계;상기 제2보호막의 일부분을 제거하여 상기 기준 기판의 타측 표면의 일부를 노출시키는 단계;상기 노출된 기준 기판을 식각하여 상기 절연막을 노출시키는 단계; 및상기 제1보호막 및 상기 절연막을 제거하여 상기 소자형성부의 상, 하부 표면을 노출시키는 단계를 포함하고,상기 불순물 이온 주입은 붕소 이온 주입인 기판 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 결합 기판은 그 일측 표면 상에 실리콘 산화막이 형성되어 있는 기판 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 절연막은 상기 기준 기판의 일측 표면 상에 순차적으로 적층된 질화막 및 산화막을 포함하는 기판 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 기준 기판의 절연막의 표면과 상기 결합 기판의 소자형성부의 표면을 결합하는 단계는,상기 절연막이 형성된 기준 기판의 표면과 결합 기판의 표면을 세정한 후, 접착하는 단계를 포함하는 기판 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 결합 기판을 벽개하여 상기 결합 기판의 제거부를 제거하는 단계는, 상기 접착된 기준 기판과 결합 기판을 벽개하고 열처리하여 이루어지는 기판 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 벽개된 결합 기판의 표면을 습식 식각하는 단계 이전에, 상기 벽개된 결합 기판의 표면을 수소 열처리하는 단계를 더 포함하는 기판 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 벽개된 결합 기판의 표면을 습식 식각하는 단계는상기 벽개된 결합 기판의 표면을 습식 식각하여 상기 결합 기판의 두께가 10 내지 200nm가 되도록 하는 기판 제조 방법
9 9
기준 기판 및 결합 기판을 준비하는 단계;상기 기준 기판의 적어도 일측 표면 상에 절연막을 형성하는 단계;불순물 이온 주입을 통해 상기 결합 기판 내에 소자형성부 및 제거부를 형성하는 단계;상기 기준 기판의 절연막의 표면과 상기 결합 기판의 소자형성부의 표면을 결합하는 단계;상기 결합 기판을 벽개(cleavage)하여 상기 결합 기판의 제거부를 제거하는 단계;상기 벽개된 결합 기판의 표면을 습식 식각하는 단계;상기 습식 식각된 결합 기판의 표면 상에 제1보호막 및 상기 기준 기판의 타측 표면 상에 제2보호막을 형성하는 단계;상기 제2보호막의 일부분을 제거하여 상기 기준 기판의 타측 표면의 일부를 노출시키는 단계;상기 노출된 기준 기판을 식각하여 상기 절연막을 노출시키는 단계;상기 제1보호막 및 상기 절연막를 제거하여 상기 소자형성부의 상, 하부 표면을 노출시키는 단계;상기 소자형성부의 적어도 일측 표면을 양극으로 이용하고, 상기 양극 상에 유기 EL 층 및 음극을 형성하여 유기 EL 발광 소자를 형성하는 단계; 및상기 유기 EL 발광 소자를 봉지하는 보호층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 불순물 이온 주입은 붕소 이온 주입인 유기 EL 디스플레이 제조 방법
10 10
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11 11
삭제
12 12
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13 13
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14 14
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.