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광원; 및 상기 광원으로부터 출력되는 광의 자기적 횡파 모드(transverse magnetic mode; 이하 TM모드라 함) 성분에 의하여 여기되는 장거리 표면플라즈몬 폴라리톤(long-range surface plasmon polariton: LR-SPP)을 도파시키는 스트립 형태의 금속선이 구비된 금속광도파로; 및 상기 금속광도파로로부터 출력되는 광을 수신하는 광 수신 소자 를 포함하는 광배선 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 광원은 TM 모드가 발진하는 측면 방출 광원 칩을 포함하는 광배선 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 광원은 전기적 횡파 모드(transverse electric mode; 이하 TE모드라 함)가 발진하는 측면 방출 광원 칩을 포함하고, 상기 측면 방출 광원 칩으로부터 출력되는 광의 TE 모드 성분을 TM 모드 성분으로 변환하여 상기 금속광도파로로 출력하는 반파장판을 더 포함하는 광배선 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 광원은 TE 모드가 발진하는 측면 방출 광원 칩을 포함하고, 상기 측면 방출 광원 칩 및 상기 금속선은, 상기 측면 방출 광원 칩으로부터 출력되는 광의 TE 모드의 파면이 상기 스트립 형태의 금속선의 너비 방향에 수직으로 입사되도록 배열된 광배선 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 광원은 상기 금속선의 길이 방향에 직교하도록 배열되는 표면 방출 광원 칩을 포함하는 광배선 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 금속광도파로의 금속선의 두께는 5 내지 200㎚이고, 상기 금속선의 폭은 0
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제 7 항에 있어서, 상기 금속광도파로는 상기 금속선에 접하는 유전체층을 구비하며, 상기 유전체층은 저손실 고분자를 포함하는 광배선 모듈
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제 8 항에 있어서, 상기 저손실 고분자는 할로겐 원소 또는 중수소를 포함하는 고분자를 포함하는 광배선 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 금속광도파로의 금속선은 금, 은, 구리, 이들의 합금, 및 이들이 적층된 합금 금속선으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 광배선 모듈
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