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1
제 1 영역 및 제 2 영역을 갖는 하부층;상기 제 1 및 제 2 영역들 상에 각각 배치되는 제 1 및 제 2 도파로들을 구비하면서, 상기 하부층 상에 배치되는 제 1 코어층;상기 제 1 도파로를 덮는 클래드층; 및상기 클래드층과 상기 하부층 사이에 개재되어 상기 제 2 도파로를 덮는 제 2 코어층을 포함하되, 상기 제 2 도파로는 상기 제 1 영역으로부터 멀어질수록 감소하는 폭을 갖고 상기 제 1 도파로보다 큰 수직 두께를 갖는 광 연결 소자
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2
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 코어층은 상기 제 1 도파로의 양측에 배치되어 상기 하부층의 상기 제 1 영역을 덮는 슬랩 부분을 더 포함하는 광 연결 소자
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3
청구항 2에 있어서, 상기 제 1 도파로와 상기 슬랩 부분의 상부면들 사이의 높이 차이는 상기 제 2 도파로의 수직 두께보다 작은 광 연결 소자
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4
청구항 1에 있어서, 상기 슬랩 부분은 상기 하부층의 상기 제 2 영역을 노출시키도록 형성되는 광 연결 소자
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5
청구항 1에 있어서, 상기 제 2 도파로는 테이퍼진 구조를 갖도록 형성되어 상기 제 1 도파로로부터 이격된 팁을 구비하고, 상기 제 2 도파로의 상기 팁은 상기 제 2 코어층에 의해 덮이는 광 연결 소자
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| 6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 제 2 코어층은 외부 광 섬유에 대향하도록 배치되는 바깥 표면을 갖되, 상기 제 2 코어층의 상기 바깥 표면은 상기 외부 광 섬유의 코어에 상응하는 면적을 갖는 광 연결 소자
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7
청구항 6에 있어서, 상기 제 2 도파로의 종축 방향을 따라 측정되는 상기 제 2 코어층의 수평 폭은 실질적으로 균일한 광 연결 소자
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8
청구항 6에 있어서, 상기 제 2 도파로의 종축 방향을 따라 측정되는 상기 제 2 코어층의 수평 폭은 상기 제 1 도파로에 가까울수록 감소하는 광 연결 소자
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9
청구항 6에 있어서, 상기 제 2 도파로는 상기 제 2 코어층의 상기 바깥 표면 및 상기 제 1 도파로로부터 이격된 팁을 갖는 광 연결 소자
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10
청구항 1에 있어서, 상기 제 1 코어층은 실리콘으로 형성되고, 상기 제 2 코어층은 상기 제 1 코어층보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 형성되고,상기 클래드층은 상기 제 2 코어층보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 형성되는 광 연결 소자
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11
제 1 및 제 2 도파로들을 구비하는 제 1 코어층;상기 제 1 도파로를 덮는 클래드층; 및상기 제 2 도파로를 덮는 제 2 코어층을 포함하되, 상기 제 2 도파로는 상기 제 1 도파로로부터 멀어질수록 감소하는 폭을 갖고 상기 제 1 도파로보다 큰 수직 두께를 갖고, 상기 제 2 코어층은 상기 제 2 도파로의 종축 방향 상에 위치하는 반사면을 갖되, 상기 반사면은 상기 제 2 도파로의 종축 방향에 경사지게 형성되는 광 연결 소자
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12
청구항 11에 있어서, 상기 제 2 코어층의 상기 반사면의 경사각은 입사 광의 진행 방향을 상기 제 2 도파로에 평행한 방향에서 상기 클래드층의 상부면에 실질적으로 수직한 방향으로 변경시키도록 구성되는 광 연결 소자
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13
청구항 11에 있어서, 높은 반사율을 갖는 물질로 형성되면서 상기 반사면을 덮는 반사체를 더 포함하는 광 연결 소자
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14
청구항 11에 있어서, 상기 제 2 코어층은 그것의 상부면에 경사지게 형성되는 슬릿을 갖도록 형성되되, 상기 슬릿의 일 표면은 상기 반사면으로 이용되는 광 연결 소자
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15
청구항 11에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 코어층들의 아래에 배치되는 하부층을 더 포함하고, 상기 제 2 코어층은 상기 슬릿의 양측에 각각 배치되고 상기 하부층에 부착되는 제 1 부분 및 제 2 부분을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 부분들 사이의 상대적 배치는 상기 하부층에 의해 고정되는 광 연결 소자
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16
적어도 하나의 광 소자;상기 광 소자에 연결된 제 1 도파로;상기 제 1 도파로로부터 연장되는 제 2 도파로;상기 제 1 및 제 2 도파로들 상에 배치되는 클래드층;상기 클래드층과 상기 제 2 도파로 사이에 개재되어 상기 제 2 도파로를 덮는 제 3 도파로를 포함하되, 상기 클래드층은 상기 제 1 및 제 2 도파로들보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 형성되고, 상기 제 3 도파로는 상기 제 2 도파로보다 작고 상기 클래드층보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 형성되고, 상기 제 2 도파로는 상기 제 1 도파로로부터 멀어질수록 감소하는 폭을 갖고 상기 제 1 도파로보다 큰 수직 두께를 갖는 실리콘 포토닉스 칩
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17
청구항 16에 있어서, 상기 제 1 도파로의 양쪽 측벽들을 덮는 슬랩 도파로를 더 포함하되, 상기 제 1 도파로와 상기 슬랩 도파로의 상부면들 사이의 높이 차이는 상기 제 2 도파로의 수직 두께보다 작은 실리콘 포토닉스 칩
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18
청구항 16에 있어서, 상기 제 3 도파로는 상기 제 2 도파로의 종축 방향 상에 위치하는 반사면을 갖되, 상기 반사면은 상기 제 2 도파로의 종축 방향에 경사지게 형성되는 실리콘 포토닉스 칩
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19
청구항 18에 있어서, 높은 반사율을 갖는 물질로 형성되면서 상기 반사면을 덮는 반사체를 더 포함하는 실리콘 포토닉스 칩
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