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기판 상부에 형성되며 상호 분리된 제1감지전극 및 제2감지전극;
상기 제1 및 제2감지전극 사이의 상기 기판에 형성된 트렌치; 및
상기 제1 및 제2감지전극에 접하고, 상기 트렌치에 의해 상기 기판으로부터 물리적으로 부양된 복수의 나노선 감지소재
를 포함하는 부양형 나노선 센서
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1감지전극 및 제2감지전극 사이에 형성된 절연막을 더 포함하는 부양형 나노선 센서
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4
제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 나노선 감지소재는 화학종 또는 빛에 반응하여 전기전도도가 변화하는 소재인 부양형 나노선 센서
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제1항에 있어서,
상기 기판은 실리콘, GaAs, 유리, 플라스틱 및 세라믹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 부양형 나노선 센서
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6
제1항에 있어서,
상기 트렌치는 폭에 대비하여 깊이가 큰 값을 갖는 부양형 나노선 센서
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7
제1항에 있어서,
상기 제1감지전극 및 제2감지전극은 빗살형태를 갖고, 상기 빗살형태가 서로 엇갈린 구조를 갖는 부양형 나노선 센서
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8
제1항에 있어서,
상기 제1감지전극과 상기 제2감지전극은 0
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9
제4항에 있어서,
상기 나노선 감지소재는 탄소, 실리콘, 텅스텐산화물, 주석산화물, 인듐산화물, 티타늄산화물 및 아연산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 물질이 1nm ~ 500nm 범위의 폭 및 1um ~ 100um 범위의 길이는 갖는 나노선을 포함하는 부양형 나노선 센서
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10
제4항에 있어서,
상기 나노선 감지소재는 1nm ~ 10nm 범위의 폭 및 1um ~ 100um 범위의 길이는 갖는 탄소나노튜브를 포함하는 부양형 나노선 센서
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기판을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;
상기 트렌치로 인하여 돌출된 상기 기판 상부에 제1감지전극 및 제2감지전극을 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2감지전극에 접하고, 상기 트렌치로 인해 상기 기판으로부터 물리적으로 부양되는 복수의 나노선 감지소재를 형성하는 단계
를 포함하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 제1감지전극 및 제2감지전극을 형성하는 단계는,
비등방성 진공 증착법을 이용하여 실시하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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제12항에 있어서,
상기 제1감지전극 및 제2감지전극은 금속 섀도우 마스크(metal shadow mask)를 이용하여 형성하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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제12항에 있어서,
상기 비등방성 진공 증착법은 전자빔증착법(Electron Beam Evaporation) 또는 열증발증착법(Thermal Evaporation)을 포함하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 트렌치는 폭에 대비하여 깊이가 큰 값을 갖도록 형성하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 트렌치는 DRIE(deep reactive ion etch)방법으로 형성하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 제1 및 제2감지전극을 형성하기 이전에,
상기 트렌치를 포함하는 기판 표면에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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18
제 17항에 있어서,
상기 절연막은 열산화법(thermal oxidation) 또는 원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)중 어느 한 방법을 사용하여 형성하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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19
제 11항에 있어서,
상기 나노선 감지소재를 형성하는 단계는,
복수개의 나노선을 형성하는 단계;
상기 복수개의 나노선을 용액에 분산하는 단계;
상기 용액에 분산된 나노선을 상기 제1감지전극 및 제2감지전극 상부에 이송하는 단계; 및
상기 용액을 제거하는 단계
를 포함하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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제19항에 있어서,
상기 분산된 나노선을 상기 제1감지전극 및 제2감지전극 상부에 이송하는 단계는 drop coating, spin coating, spray coating 및 dip coating 으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법을 사용하는 부양형 나노선 센서의 제조방법
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