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비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015084020
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상변화 물질을 이용한 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 전극 간에 칼코게나이드 나노와이어를 형성하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자는 표면상에 홈이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 홈을 기준으로 두 개의 영역으로 분리되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층의 각 영역의 상부에 형성되는 제 2 전극층; 및 상기 홈의 상부에서 상기 제 1 전극층의 절단면 사이에 형성되는 칼코게나이드 나노와이어로 구성된다. 본 발명은 칼코게나이드 나노와이어로 구성되는 스위치 소자를 제공함으로써, 종래의 스위치 소자와 달리 비휘발성의 프로그래머블 스위치 소자를 제공할 수 있다. 재구성형 LSI, 프로그래머블 스위치, 상변화 메모리, 비휘발성
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) H01H 36/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020080047400 (2008.05.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0968889-0000 (2010.07.01)
공개번호/일자 10-2009-0063059 (2009.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070128711   |   2007.12.12
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.22)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전 서구
2 정순원 대한민국 충북 청원군
3 유병곤 대한민국 대전 유성구
4 이승윤 대한민국 대전 유성구
5 박영삼 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0362781-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011308-06
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0078372-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0251129-38
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0251138-49
8 등록결정서
Decision to grant
2010.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0273527-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
표면상에 홈이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 홈을 기준으로 두 개의 영역으로 분리되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층의 각 영역의 상부에 형성되는 제 2 전극층; 및 상기 홈의 상부에서 상기 제 1 전극층의 절단면 사이에 형성되는 칼코게나이드 나노와이어 를 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극층의 각 영역은, 사각형 모양의 제 1 패턴; 및 상기 제 1 패턴에 연결되며 상기 홈의 상부로 절단면이 노출되는 선 모양의 제 2 패턴 을 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극층의 두께 및 상기 제 2 패턴의 폭은 5nm 내지 50 nm인 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극층은 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co) 또는 철(Fe)을 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
5 5
표면상에 홈이 형성된 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 내부에 복수의 금속 나노도트를 포함하면서 상기 홈을 기준으로 분리되는 두 개의 패턴으로 형성되는 전극층; 및 상기 홈의 상부에서 상기 복수의 금속 나노도트 중 상기 전극층의 패턴 사이로 노출된 금속 나노도트 사이에 형성되는 칼코게나이드 나노와이어 를 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
6 6
제 5항에 있어서, 상기 복수의 금속 나노도트는 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co) 또는 철(Fe)을 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자
7 7
기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극층을 두 개의 제 1 패턴 및 상기 두 개의 제 1 패턴의 사이에 위치하는 선 모양의 제 2 패턴으로 패터닝하는 단계; 상기 두 개의 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴의 상부에 제 2 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 2 패턴의 상부에 위치하는 상기 제 2 전극층의 소정 영역을 식각하여 두 개의 패턴으로 패터닝하는 단계; 상기 제 2 전극층의 패턴 사이로 노출되는 상기 제 2 패턴을 식각하는 단계; 상기 제 2 전극층의 패턴 사이로 노출되는 상기 기판의 표면을 식각하여 홈을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 전극층의 패턴 사이로 노출된 상기 제 2 패턴의 절단면 사이에 칼코게나이드 나노와이어를 형성하는 단계 를 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 칼코게나이드 나노와이어를 형성하는 단계에서, 상기 칼코게나이드 나노와이어는 기체-액체-고체법을 이용하여 형성되는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 제조 방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 제 1 전극층의 두께 및 상기 제 2 패턴의 폭은 5nm 내지 50nm인 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 제조 방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 제 1 전극층은 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co) 또는 철(Fe)을 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 제조 방법
11 11
기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 금속 박막층을 증착하고 증착된 상기 금속 박막층을 두 개의 영역으로 패터닝하는 단계; 상기 금속 박막층에 열 에너지를 인가하여 복수의 금속 나노도트를 형성하는 단계; 상기 복수의 금속 나노도트가 형성된 영역에 전극층을 증착하고, 상기 증착된 전극층을 두 개의 영역으로 패터닝하는 단계; 상기 전극층의 패턴 사이로 노출된 상기 기판의 표면을 식각하여 홈을 형성하는 단계; 및 상기 복수의 금속 나노도트 중 상기 전극층의 패턴 사이로 노출된 금속 나노도트 사이에 칼코게나이드 나노와이어를 형성하는 단계 를 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 칼코게나이드 나노와이어를 형성하는 단계에서, 상기 칼코게나이드 나노와이어는 기체-액체-고체법을 이용하여 형성되는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 제조 방법
13 13
제 11항에 있어서, 상기 금속 박막층의 두께는 5nm 내지 20nm인 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 제조 방법
14 14
제 11항에 있어서, 상기 복수의 금속 나노도트는 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co) 또는 철(Fe)을 포함하는 비휘발성 프로그래머블 스위치 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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