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금속 산화막; 및상기 금속 산화막의 일면과 접합하는 금속 전극;을 포함하고,상기 금속 전극은, 상기 금속 산화막과 접합할 때 상기 금속 전극과 관련된 산화막을 형성하지 않거나 또는 상기 금속 산화막과 접합할 때 상기 금속 산화막의 산소를 빼앗지 않는 금속인, 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 금속 산화막은, p형(p-type)이고,상기 금속 전극은, 상기 금속 산화막과 평형상태를 유지하는 금속 또는 상기 금속 산화막과 비자발적 반응을 일으키는 금속인, 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 금속 산화막은 n형(n-type)이고,상기 금속 전극은, 상기 금속 산화막과 평형상태를 유지하는 금속 또는 상기 금속 산화막과 비자발적 반응을 일으키는 금속인, 반도체 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화막 및 상기 금속 전극이 배치되는 제1절연체; 및상기 금속 산화막 상에 배치되는 제2절연체;를 더 포함하고, 상기 금속 산화막은, 상기 제1절연체 상에 배치되고, 상기 금속 전극은, 상기 제1절연체, 상기 금속 산화막 및 상기 제2절연체 상에 배치되고, 상기 금속 산화막 양 끝단에 접합하도록 적어도 둘 이상으로 분리된, 반도체 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 전극 및 상기 금속 산화막이 배치되는 제1절연체; 및 상기 금속 산화막 상에 배치되는 제2절연체;를 더 포함하고,상기 금속 전극은, 상기 제1절연체 상에 적어도 둘 이상으로 분리되고, 상기 금속 산화막은, 상기 적어도 둘 이상으로 분리된 금속 전극들 사이에 배치되는, 반도체 소자
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제1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 전극은, 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 아연(Zn), 크로뮴(Cr), 타이타늄(Ti), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co), 망간(Mn), 니오븀(Nb), 은(Ag), 인듐(In), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 몰리브덴(Mo) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나 이상을 포함하는, 반도체 소자
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화막은, 니켈 산화막(NiO) 또는 바나듐 산화막(VOx)인, 반도체 소자
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금속 산화막과 금속 전극을 접합하는 단계; 및상기 금속 산화막과 상기 금속 전극을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 열처리하는 단계는 질소(N2), 아르곤(Ar), 산소(O2), 수소(H) 및 헬륨(He) 중 하나의 기체를 포함한 환경에서 열처리하는, 반도체 소자 제조 방법
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절연체 상에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및상기 절연체를 150°C 내지 450°C의 온도로 열처리하고, 상기 금속 산화막 상에 금속 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체 소자 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 열처리하고, 상기 금속 산화막 상에 금속 전극을 형성하는 단계는, 상기 절연체를 400°C 내지 450°C의 온도로 열처리를 하는, 반도체 소자 제조 방법
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제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 전극은, 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 아연(Zn), 크로뮴(Cr), 타이타늄(Ti), 구리(Cu), 지르코늄(Zr), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co), 망간(Mn), 니오븀(Nb), 은(Ag), 인듐(In), 바나듐(V), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 몰리브덴(Mo) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나 이상을 포함하는, 반도체 소자 제조 방법
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제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화막은, 니켈 산화막(NiO) 또는 바나듐 산화막(VOx)인, 반도체 소자 제조 방법
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