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전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116713
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 형태는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 형태에 따른 전계효과 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 절연층; 상기 절연층 상에 배치되는 전극; 상기 기판의 일측에 배치되고, 상기 기판과 에너지 밴드(energy band) 구조가 다른 제1 반도체 층; 및 상기 기판의 타측에 배치되고, 상기 기판과 에너지 밴드 구조가 다른 제2 반도체 층; 을 포함하고, 상기 기판의 에너지 밴드 갭(energy band gap)은 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 에너지 밴드 갭보다 크다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/0611(2013.01) H01L 29/0611(2013.01) H01L 29/0611(2013.01) H01L 29/0611(2013.01)
출원번호/일자 1020130111686 (2013.09.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0031900 (2015.03.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 허재 대한민국 대전 유성구
3 임성묵 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0850493-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0047534-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0575825-03
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1027570-89
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-1138687-92
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1138688-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0189881-85
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2015.04.22 불수리 (Non-acceptance) 7-1-2015-0017462-73
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2015.04.22 수리 (Accepted) 7-1-2015-0017461-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치된 절연층;상기 절연층 상에 배치되는 전극;상기 기판의 일측에 배치되고, 상기 기판과 에너지 밴드(energy band) 구조가 다른 제1 반도체 층; 및상기 기판의 타측에 배치되고, 상기 기판과 에너지 밴드 구조가 다른 제2 반도체 층; 을 포함하고,상기 기판의 에너지 밴드 갭(energy band gap)은 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 에너지 밴드 갭보다 큰, 전계효과 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 반도체 층과 상기 기판의 경계면 및 상기 기판과 상기 제2반도체 층의 경계면에 공핍 영역(depletion region)이 형성되지 않는, 전계효과 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 p형 불순물을 포함하고,상기 기판의 밸런스 밴드(valence band)는 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 밸런스 밴드보다 낮은, 전계효과 트랜지스터
4 4
제2항에 있어서,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 n형 불순물을 포함하고,상기 기판의 컨덕션 밴드(conduction band)는 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 컨덕션 밴드보다 높은, 전계효과 트랜지스터
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 진성 반도체를 포함하는, 전계효과 트랜지스터
6 6
기판 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계;상기 절연층 상에 전극을 형성하는 전극 형성 단계;상기 전극을 패터닝(patterning)하는 패터닝 단계;상기 절연층 및 상기 기판을 식각하는 식각 단계;상기 기판의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 제1 반도체 층을 상기 식각된 기판의 일측에 형성하고, 상기 기판의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 제2 반도체 층을 상기 식각된 기판의 타측에 형성하는 제1 반도체 층 및 제2 반도체 층 형성 단계; 및상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층에 불순물을 주입하는 이온주입(Ion Implantation) 단계; 를 포함하는, 전계효과 트랜지스터의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 이온주입 단계는,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층에 상기 기판의 밸런스 밴드보다 높은 밸런스 밴드를 갖도록 p형 불순물을 주입하는 단계인, 전계효과 트랜지스터의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 이온주입 단계는,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층에 상기 기판의 컨덕션 밴드보다 낮은 컨덕션 밴드를 갖도록 n형 불순물을 주입하는 단계인, 전계효과 트랜지스터의 제조방법
9 9
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 진성 반도체를 포함하는, 전계효과 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.