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불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015119420
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 불소를 함유하는 금속 화합물 및 불소를 함유하는 유기물로 이루어진 군으로부터 하나 또는 둘 이상 선택된 불소 화합물 전구체; 및 물 또는 촉매를 포함하는수용액; 을 포함하는 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물, 이를 이용한 불소 금속 산화물 반도체 제조 방법 및 이를 포함하는 불소 금속 산화물 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 금속 산화물 반도체 제조 방법은 상기 박막 트랜지스터용 불소 금속 산화물 반도체 제조용 수용액 조성물을 준비하는 단계, 기판 위에 상기 수용액 조성물을 코팅하는 단계, 그리고 상기 기판에 코팅된 수용액 조성물을 열처리하여 불소 금속 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 박막 트랜지스터는 종래의 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 비해 저온 소성 온도에서도 우수한 전기적 물성을 보여준다.
Int. CL H01B 1/02 (2006.01) H01B 1/12 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020110076685 (2011.08.01)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1276707-0000 (2013.06.13)
공개번호/일자 10-2012-0023543 (2012.03.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100075803   |   2010.08.06
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.01)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배병수 대한민국 대전광역시 유성구
2 전준혁 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0595100-28
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0666660-09
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0011972-42
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0011975-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0277206-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
불소를 함유하는 금속 화합물, 불소를 함유하는 유기물 또는 이들의 혼합물인 불소 화합물 전구체; 및 물 또는 촉매를 포함하는 수용액; 을 포함하는 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
2 2
제1항에 있어서,상기 불소를 함유한 금속화합물은 메탈플루오라이드, 메탈플루오라이드하이드레이트, 메탈플루오로염, 메탈플루오로알콕사이드, 메탈플루오로옥소-올리고머 및 메탈플루오로옥소-폴리머로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상인 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
3 3
제1항에 있어서,상기 불소를 함유하는 금속 화합물의 금속은 Li, Na, K, Rb, Sc, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Te, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, B, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, P, As, Sb 및 Bi 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상인 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
4 4
제1항에 있어서,상기 불소를 함유하는 금속 화합물은 AlF3, AgF, BaF2, BiF3, BiF5, CdF2, CaF2, CeF3, CeF5, CsF2, CrF3, CoF2, CoF3, CuF2, DyF3, ErF3, EuF2, GaF3, GdF3, GeF2, GeF4, HfF4, HoF3, InF3, FeF3, LaF3, PbF2, PrF3, LiF, MgF2, MnF2, MnF3, Hg2F2, HgF2, HgF4, NaF, NbF4, NdF3, NiF2, MoF6, KF, RbF, SbF3, SbF5, ScF3, SiF4, SnF2, SnF4, SrF2, TaF5, TbF3, TiF3, TiF4, TlF, TmF3, VF3, WF5, YF3, YbF3, ZnF2, ZrF4, AlF3·zH2O, AlF3·3H2O, CrF3·4H2O, CoF2·4H2O, CuF2·zH2O, FeF3·3H2O, FeF2·4H2O, InF3·3H2O, KF·2H2O, GaF3·3H2O, ZnF2·zH2O, ZrF4·zH2O, SnF2(acac)2, SnF(OC2H5)(acac)2, SnF(OCH(CH3)2)(acac)2, SnF(OC(CH3)2C2H5)(acac)2, (CF3COCHCOCH3)2-Sn, C33H70F2Sn2, [(CH3)2CHCH2]2AlF, 및 [(CH3CH2CH2CH2)3SnF]n(여기서 z및 n은 각각 1 이상의 자연수) 으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상인 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
5 5
제1항에 있어서,상기 불소를 함유하는 유기물은 HF, NH4F, NH4F·HF, NH4HF2, C6H5F, C2H2F2, C3F3N3, CF3COOH, CF3CF2CF2CO2H, CF3CH2OH, CHF2CHF2, CHF2CF3, CHF2CH3, CF3CH2CF, CH3CF3, CBr2F2, CHF2CH2F, CF3CH2CF3, CF3CFCF2, CF3CH2F, (CH3)4NF, CH3(CH2)6F, CH3(CH2)7F, CH3(CH2)4F, (CH3)3SiF, (O2N)2C6H3F, CF3C6H4NH2, C6H4FNO, (C2H5)3N·3HF, C8H9FN2O2S·HCl, C7H8FNO3S, CH3COF, C6H5SO2F, C6H5COF, C5H5N·(HF)x, CH3C6H4SO2F, CF3(CF2)3SO2F, CF3(CF2)7SO2F, C7H7FO2S, C6H5CH2N(CH3)3F·zH2O, [CH3(CH2)3]4NF, [CH3(CH2)3]4NF·zH2O, [CH3(CH2)3]4NF·3H2O, (CH3)4N(F)·4H2O, (C2H5)4N(F)·2H2O, (C2H5)4NF·zH2O, H2NC6H3(Cl)SO2F, ICF2CF2OCF2CF2SO2F, 및 [2,4,6-(CH3)3C6H2]2BF (여기서 x 및 z 는 각각 1 이상의 자연수) 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상인 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
6 6
제1항에 있어서,상기 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물은 금속염을 포함하는 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
7 7
제6항에 있어서,상기 금속염의 음이온은 하이드록사이드, 나이트레이트, 아세테이트, 프로피오네이트, 아세틸아세토네이트, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트, 메톡사이드, 2차-부톡사이드, 3차-부톡사이드, n-프로폭사이드, i-프로폭사이드, 에톡사이드, 포스페이트, 알킬포스페이트, 퍼클로라이트, 설페이트, 아이오디데, 알킬설포네이트, 페녹사이드, 브로마이드, 및 클로라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘 이상인 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
8 8
제 1항에 있어서,상기 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물은 상기 불소 화합물 전구체가 상기 물 또는 촉매를 포함하는 수용액 내에서 착물을 형성하거나, 가수분해 및 축합반응을 하는 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
9 9
제8항에 있어서,상기 가수 분해 및 축합반응은 불소 화합물 전구체와 상기 물 또는 촉매를 포함하는 수용액 간의 반응에 의한 불소 금속 산화물 모노머 및 올리고머를 포함하는 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
10 10
제 8항에 있어서,상기 착물 형성은 금속이온을 중심으로 물, 하이드록시기, 아민기, 카르보닐기, 할로겐기, 및 시아노기에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 리간드가 배위결합을 하는 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
11 11
제 1항에 있어서,상기 촉매를 포함하는 수용액으로 염산 수용액, 황산 수용액, 질산 수용액, 불산 수용액, 붕산 수용액, 인산 수용액, 탄산 수용액, 과산화수소 수용액, 아세트산 수용액, 암모니아수, 요소 수용액으로 이루어진 군으로부터 하나이상 선택된 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물
12 12
a) 제1항 내지 11항에서 선택된 어느 한 항의 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물을 기판에 코팅하는 단계; 및 b) 코팅된 기판을 열처리하여 불소 금속 산화물 반도체를 형성하는 단계;를 포함하는 불소 금속 산화물 반도체 제조방법
13 13
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14 14
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