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다이아몬드 고속성장방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015122229
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대면적의 다이아몬드를 합성함과 함께 다이아몬드 합성 속도를 증진시킬 수 있는 다이아몬드 고속성장방법 및 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 다이아몬드 고속성장방법은 HFCVD(hot filament chemical vapor deposition) 방법을 이용한 다이아몬드 고속성장방법에 있어서, 수소와 탄화수소를 포함하는 전구체 가스의 유량을 제어하여 원자상수소의 농도를 조절함과 함께, 원자상수소에 의해 식각되어 탄소원의 과포화도를 증가시키는 고상 탄소원을 HFCVD 장치의 챔버 내에 구비시키는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C30B 29/04 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) C01B 31/06 (2006.01)
CPC C30B 29/04(2013.01) C30B 29/04(2013.01) C30B 29/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120071532 (2012.07.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1252669-0000 (2013.04.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.02)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
2 박종극 대한민국 서울 서초구
3 이욱성 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0525012-79
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0527158-72
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2012.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2012.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2012-0055200-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0713224-08
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0081417-09
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0081416-53
8 등록결정서
Decision to grant
2013.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0215087-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
HFCVD(hot filament chemical vapor deposition) 방법을 이용한 다이아몬드 고속성장방법에 있어서, 수소와 탄화수소를 포함하는 전구체 가스의 유량을 제어하여 원자상수소의 농도를 조절함과 함께, 원자상수소에 의해 식각되어 탄소원의 과포화도를 증가시키는 고상 탄소원을 HFCVD 장치의 챔버 내에 구비시키며, 상기 고상 탄소원은 흑연구조물이며, 상기 흑연구조물은 HFCVD 장치의 고융점 필라멘트와 다이아몬드 증착기판 사이에 구비되며, 상기 흑연구조물은 기체의 이동 공간인 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전구체 가스는 다이아몬드가 성장되는 기판의 단위면적 1cm2당 2∼500sccm의 유량이 공급되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전구체 가스의 유량이 증가하면 원자상수소의 농도 및 다이아몬드 박막의 증착속도가 증가하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 고상 탄소원은 흑연기판이며, 상기 흑연기판 상에 다이아몬드 입자가 구비되며, 상기 다이아몬드 입자 상에 다이아몬드가 성장하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
다이아몬드 합성의 반응 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되어 기판의 장착 공간을 제공함과 함께 기판 온도를 제어하는 수냉 블록;상기 기판 상부의 이격된 위치에 구비되는 고융점 필라멘트; 상기 챔버 내에 수소와 탄화수소를 포함하는 전구체 가스를 공급하는 전구체 가스 공급부; 및 상기 전구체 가스로부터 발생된 원자상수소에 의해 식각되어 탄소원의 과포화도를 증가시키는 고상 탄소원을 포함하여 이루어지며, 상기 고상 탄소원은 흑연구조물이며, 상기 흑연구조물은 상기 고융점 필라멘트와 기판 사이에 구비되며, 상기 흑연구조물은 기체의 이동 공간인 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장장치
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 전구체 가스 공급부는 다이아몬드가 성장되는 기판의 단위면적 1cm2당 2∼500sccm의 유량이 공급되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장장치
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 전구체 가스의 유량이 증가하면 원자상수소의 농도 및 다이아몬드 박막의 증착속도가 증가하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장장치
10 10
삭제
11 11
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12 12
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1 US2014004032 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국표준과학연구원 소재원천기술개발사업 경원소 공유결합형 초경도 박막합성 기술(2M29240)