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HFCVD(hot filament chemical vapor deposition) 방법을 이용한 다이아몬드 고속성장방법에 있어서, 수소와 탄화수소를 포함하는 전구체 가스의 유량을 제어하여 원자상수소의 농도를 조절함과 함께, 원자상수소에 의해 식각되어 탄소원의 과포화도를 증가시키는 고상 탄소원을 HFCVD 장치의 챔버 내에 구비시키며, 상기 고상 탄소원은 흑연구조물이며, 상기 흑연구조물은 HFCVD 장치의 고융점 필라멘트와 다이아몬드 증착기판 사이에 구비되며, 상기 흑연구조물은 기체의 이동 공간인 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전구체 가스는 다이아몬드가 성장되는 기판의 단위면적 1cm2당 2∼500sccm의 유량이 공급되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전구체 가스의 유량이 증가하면 원자상수소의 농도 및 다이아몬드 박막의 증착속도가 증가하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고상 탄소원은 흑연기판이며, 상기 흑연기판 상에 다이아몬드 입자가 구비되며, 상기 다이아몬드 입자 상에 다이아몬드가 성장하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장방법
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다이아몬드 합성의 반응 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에 구비되어 기판의 장착 공간을 제공함과 함께 기판 온도를 제어하는 수냉 블록;상기 기판 상부의 이격된 위치에 구비되는 고융점 필라멘트; 상기 챔버 내에 수소와 탄화수소를 포함하는 전구체 가스를 공급하는 전구체 가스 공급부; 및 상기 전구체 가스로부터 발생된 원자상수소에 의해 식각되어 탄소원의 과포화도를 증가시키는 고상 탄소원을 포함하여 이루어지며, 상기 고상 탄소원은 흑연구조물이며, 상기 흑연구조물은 상기 고융점 필라멘트와 기판 사이에 구비되며, 상기 흑연구조물은 기체의 이동 공간인 개구부를 구비하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장장치
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제 7 항에 있어서, 상기 전구체 가스 공급부는 다이아몬드가 성장되는 기판의 단위면적 1cm2당 2∼500sccm의 유량이 공급되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장장치
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제 7 항에 있어서, 상기 전구체 가스의 유량이 증가하면 원자상수소의 농도 및 다이아몬드 박막의 증착속도가 증가하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드의 고속성장장치
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