| 1 |
1
고온의 전기로에서 산화법 및 CVD법을 이용하여 기판상에 50~1500nm 범위내의 두께를 갖는 절연막을 형성하는 단계와; 상기 절연막상에 접촉전극 패드를 포함한 촉매금속층의 미세 패턴을 형성하는 단계와; 상기 촉매금속층 상부에 수직성장 장벽층을 형성하는 단계와; 가스압력 10~500torr 범위내의 분위기에서 화학기상증착공정(혹은 플라즈마 공정)을 이용하여 상기 촉매패턴 간에 탄소나노튜브를 직접 성장시키는 단계를 포함하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 촉매금속은 Ni, Ni/Ti(혹은 Nb), Co, Co/Ti(혹은 Nb), Fe, Fe/Ti(혹은 Nb), (Ni/Co)n, (Co/Ni)n및 (Co/Ni/Co)n, (Ni/Co/Ni)n을(n=1,2,3···) 및 Co/MgO 중 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 촉매금속은 3N 이상 순도를 갖고, 상온∼150℃로 80∼400nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 CNT 성장은 자기촉매 역할로서 비정질 탄소박막과 흑연을 사용하고 성장속도는 100(nm/분)임을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 촉매금속 패턴간 이격거리는 50nm∼10㎛임을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서, 상기 CNT의 직경은 1∼50nm임을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 접촉전극은 정상금속, 초전도성 금속, 자성금속류를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 12 |
12
제 1항에 있어서, 상기 수직성장 장벽층으로 산화막, 질화막, 상기 산화막과 질화막의 적층구조, 상기 산화막과 질화막의 혼성구조, SiO2, Si3N4, SiO2-Si3N4, Al2O3 중 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 13 |
13
제 1항에 있어서, 상기 수직 성장 장벽층으로 금속이나 상기 금속의 합금이 사용되며, 상기 금속으로 Ti, Pt, W, Nb, V, Au 가 사용되는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 14 |
14
제 12항에 있어서, 상기 수직 성장 장벽층은 탑게이트(top gate)소자 구현을 위해 20∼30㎚두께로 사용하는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
| 15 |
15
제 13항에 있어서, 상기 수직 성장 장벽층은 전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법
|
