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전자, 스핀 및 광소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장 방법

  • 기술번호 : KST2015123741
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원하는 위치에 직접 탄소나노튜브를 수평방향으로 성장시켜 직접화하는 전자 및 스핀소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장 방법에 관한 것으로, 고온의 전기로에서 산화법 및 CVD법을 이용하여 기판상에 50~1500nm 범위내의 두께를 갖는 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막상에 접촉전극 패드를 포함한 촉매금속층의 미세 패턴을 형성하는 단계와, 상기 촉매금속층 상부에 수직성장 장벽층을 형성하는 단계와, 가스압력 10~500torr 범위내의 분위기에서 화학기상증착공정(혹은 플라즈마 공정)을 이용하여 상기 촉매패턴 간에 탄소나노튜브를 직접 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.탄소나노튜브, 촉매금속, CVD 방법, 수평성장
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020000048907 (2000.08.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0376768-0000 (2003.03.06)
공개번호/일자 10-2002-0015795 (2002.03.02) 문서열기
공고번호/일자 (20030319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이윤희 대한민국 서울특별시성북구
2 주병권 대한민국 서울특별시성북구
3 장윤택 대한민국 서울특별시중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조의제 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 재승빌딩 *층 (역삼동)(프라임특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2000-0176614-32
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2001.04.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0074415-28
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2002.07.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2002.08.20 수리 (Accepted) 9-1-2002-0016646-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0349011-40
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2002.11.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0373114-16
8 의견서
Written Opinion
2002.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-0373113-60
9 등록결정서
Decision to grant
2003.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0061331-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

고온의 전기로에서 산화법 및 CVD법을 이용하여 기판상에 50~1500nm 범위내의 두께를 갖는 절연막을 형성하는 단계와;

상기 절연막상에 접촉전극 패드를 포함한 촉매금속층의 미세 패턴을 형성하는 단계와;

상기 촉매금속층 상부에 수직성장 장벽층을 형성하는 단계와;

가스압력 10~500torr 범위내의 분위기에서 화학기상증착공정(혹은 플라즈마 공정)을 이용하여 상기 촉매패턴 간에 탄소나노튜브를 직접 성장시키는 단계를 포함하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

2 2

삭제

3 3

삭제

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 촉매금속은 Ni, Ni/Ti(혹은 Nb), Co, Co/Ti(혹은 Nb), Fe, Fe/Ti(혹은 Nb), (Ni/Co)n, (Co/Ni)n및 (Co/Ni/Co)n, (Ni/Co/Ni)n을(n=1,2,3···) 및 Co/MgO 중 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 촉매금속은 3N 이상 순도를 갖고, 상온∼150℃로 80∼400nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

6 6

삭제

7 7

삭제

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 CNT 성장은 자기촉매 역할로서 비정질 탄소박막과 흑연을 사용하고 성장속도는 100(nm/분)임을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 촉매금속 패턴간 이격거리는 50nm∼10㎛임을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 CNT의 직경은 1∼50nm임을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

11 11

제 1 항에 있어서,

상기 접촉전극은 정상금속, 초전도성 금속, 자성금속류를 사용하는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

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제 1항에 있어서,

상기 수직성장 장벽층으로 산화막, 질화막, 상기 산화막과 질화막의 적층구조, 상기 산화막과 질화막의 혼성구조, SiO2, Si3N4, SiO2-Si3N4, Al2O3 중 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

13 13

제 1항에 있어서,

상기 수직 성장 장벽층으로 금속이나 상기 금속의 합금이 사용되며, 상기 금속으로 Ti, Pt, W, Nb, V, Au 가 사용되는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

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제 12항에 있어서,

상기 수직 성장 장벽층은 탑게이트(top gate)소자 구현을 위해 20∼30㎚두께로 사용하는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

15 15

제 13항에 있어서,

상기 수직 성장 장벽층은 전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 전자, 스핀 및 광 소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장방법

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1 US2002025374 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6833558 US 미국 DOCDBFAMILY
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