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탄소 나노 튜브 기반 전자 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015124371
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자막을 이용한 탄소 나노튜브(CNT)의 합성 방법에 관해 기술된다. 기질은 고분자막에 보호되며, 그 위에 촉매층이 형성된다. 탄소 나노튜브 합성시 기질은 활성 분위기로부터 보호되며 특히 촉매와 기질 간의 반응을 제한한다. 고분자막으로부터는 기질과 탄소 나노튜브의 결합을 강화하는 탄화물 본딩층을 얻게 된다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020090114634 (2009.11.25)
출원인 고려대학교 산학협력단, 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0057986 (2011.06.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤호규 대한민국 서울특별시 서초구
2 김웅 대한민국 서울특별시 동대문구
3 김형석 대한민국 서울특별시 구로구
4 박민 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0725418-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-5024962-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0044090-34
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0386878-19
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0712381-08
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0638434-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전성 기질; 도전성 기질에 고정된 탄소 나노튜브; 그리고 상기 탄소 나노튜브와 도전성 기질의 사이에 개재되어 이들 간의 전기적 연결을 형성하는 탄소-기반 도전성 본딩층;을 구비하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 기질은 탄소 파이퍼, 탄소 페이퍼, 실리콘계 판재 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 본딩층은 고분자의 열처리에 의해 얻어진 탄화물인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브와 본딩층의 사이에 촉매층이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 촉매층은 상기 탄소 나노튜브가 성장되는 Fe 층과, Fe층의 하부에 마련되어 상기 본딩층에 접촉되는 Al층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자
6 6
전도성 기질에 전도성 기질의 표면을 보호하는 고분자막을 형성하는 단계; 상기 고분자막 위에 촉매층을 형성하는 단계; 그리고 상기 촉매층 이용해 탄소 나노튜브를 성장시키면서 상기 고분자막을 열적으로 분해하는 단계;를 포함하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 전도성 기질은 탄소 파이버, 탄소 페이퍼, 실리콘계 판재 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자의 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 고분자막은 DGEBA(Di-Glycidyl Ether of Bisphenol A)를 포함하는 에폭시, 폴리이미드(PI), 폴리우레탄(PU), 아미노수지(amino resin) 중의 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 고분자막에는 경화제로서 4'4-diamino diphenyl methane 및 촉매제로 1-benzyl-2-methylimidazole을 포함시키는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자의 제조방법
10 10
제 6 항 내지 제 9 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 촉매층을 형성하는 단계는; 상기 고분자막에 Al층을 형성하는 단계;와 상기 Al층 위에 Fe층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브의 합성은 가수 화학기상증착법에 의해 진행하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브-기반 전자 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술평가원 한국과학기술연구원 차세대 소재 성형기술 개발사업 전도성 필러 표면처리 및 고분자 복합화 기술개발(2차년도)