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홀이 개방된 다공성 실리콘막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015124963
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 홀이 개방된 다공성 실리콘막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 에칭용액을 이용한 전기 화학적 반응으로 다공성 실리콘막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 에칭용액을 불산(HF)과 디메틸포름아마이드(DMF)가 일정비로 혼합된 혼합 에칭용액을 선택사용하고, 상기 전기 화학적 반응의 조건인 온도, 시간, 정전류 및 표면저항 등을 최적화하여, 종래에 비해 현격하게 증가된 범위까지 두께가 확장되면서 동시에 홀이 개방된 다공성 실리콘막을 제조하는 방법에 관한 것이다.다공성 실리콘막, 실리콘 양극산화, 불산, 디메틸포름아마이드, 다공성 막
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) C09D 183/04 (2006.01) C09D 5/44 (2006.01)
CPC C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01)
출원번호/일자 1020070041093 (2007.04.27)
출원인 연세대학교 산학협력단, 삼성전기주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0096106 (2008.10.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 설용건 대한민국 서울 서대문구
2 김범택 대한민국 인천 동구
3 장재혁 대한민국 경기 성남시 분당구
4 이홍렬 대한민국 경기 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0318533-82
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0362244-68
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0364715-18
4 출원심사청구서
Request for Examination		 2007.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0383948-28
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0069738-13
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0575923-72
8 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0815927-71
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0831793-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0831791-23
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0104198-40
12 [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0104193-12
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0144312-33
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0275316-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비다공질의 실리콘을 에칭용액에 의한 전기 화학적 반응으로 다공성 실리콘막을 제조하는 방법에 있어서,상기 비다공질의 실리콘은 100 ∼ 480 ㎛ 두께 범위로 사용하고, 상기 에칭용액으로 불산(HF)과 디메틸포름아마이드(DMF)가 1 ∼ 3 : 7 ∼ 9 중량비로 혼합된 것을 사용하여 0 ∼ 50 ℃, 40분 ∼ 4시간 동안, 10 ∼ 100 mA 정전류, 110 ∼ 250 Ωcm 표면저항 조건하에서 전기 화학적 반응을 수행하여 홀(hole)이 개방된 다공성 실리콘막을 제조하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 다공성 실리콘막의 두께는 1 ㎚ ∼ 900 ㎛ 범위이고, 기공의 크기가 1
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 비다공질의 실리콘은 500 ㎛ 두께 범위로 사용하고, 상기 에칭용액으로 불산(HF)과 디메틸포름아마이드(DMF)가 2 : 8 중량비로 혼합된 것을 사용하여 0 ℃, 3 시간동안, 10 mA 정전류, 110 ∼ 250 Ωcm 표면저항하에서 전기 화학적 반응을 수행하는 것을 특징으로 하는 다공성 실리콘막의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 다공성 실리콘막의 두께는 100 ㎛ 범위이고, 기공의 크기가 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.