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성장방향으로 적층된 이종구조 및 이종 도핑 구조의 나노선제조 방법

  • 기술번호 : KST2015125085
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 선택적인 영역에 수열합성을 이종구조의 나노선 및 이종 도핑 구조의 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 상에 포토레지스트를 이용한 패터닝을 템플레이트로 삼거나 혹은 기타 나노 크기의 pore로 이루어진 템플레이트을 통해 나노선을 제작하고 템플레이트 존재 하에서 최초 성장된 나노선 위에 이종구조의 나노선을 추가로 성장시켜 이종의 금속산화물 나노선, 혹은 다른 도핑물질이 첨가된 나노선들을 나노선의 성장방향으로 적층시켜 결합된 형태로 제작하여 하나의 나노선으로 만드는 방법이다. 이를 통해 나노소자의 제작에 이종구조 및 이종 도핑 구조의 나노선을 이용할 수 있다. 금속산화물반도체, 나노선, 이종구조, 이종 도핑 구조
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070137737 (2007.12.26)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0069911 (2009.07.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.26)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상우 대한민국 서울 강남구
2 백성훈 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0933722-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0055054-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0429447-49
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0083674-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 산화물 반도체 및 Silicon, Germanium 등의 반도체, 혹은 Carbon nanotube 등의 나노선 제조 가능 물질을 포토레지스트 패턴을 이용하여 이종의 물질을 순차적으로 합성하여 적층시킨 이종구조의 나노선 제조 방법
2 2
청구항 1에서 이종의 나노선의 적층 단계에서 이종의 도핑물질을 각각 순차적으로 첨가하여 제조된 이종 도핑 구조의 나노선 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.