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성능이 향상된 나노 복합물 전자 소자 제조 방법 및 그 나노 복합물 소자

  • 기술번호 : KST2015125441
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 나노 복합물 전자 소자 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 나노와이어가 분산된 나노와이어-고분자 용액을 준비하는 단계와, (b) 미리 패터닝한 전극 구조를 갖고 있는 기판 상의 전극 사이로 상기 용액을 떨어뜨리는 단계와, (c) 상기 용액을 건조시키는 단계와, (d) 상기 전극 사이에 건조된 나노와이어-고분자 모재에 압력을 인가하여, 나노와이어들을 서로 결합시켜 연속적인 전기적 전도 경로를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01)H01L 21/02601(2013.01)H01L 21/02601(2013.01)H01L 21/02601(2013.01)H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020090028741 (2009.04.03)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1076607-0000 (2011.10.19)
공개번호/일자 10-2010-0110421 (2010.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20111026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.03)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 최지혁 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 강달영 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0201296-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0063397-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0073575-38
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0165854-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0165849-87
7 등록결정서
Decision to grant
2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564465-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 나노와이어가 분산된 나노와이어-고분자 용액을 준비하는 단계와, (b) 미리 패터닝한 전극 구조를 갖고 있는 기판 상의 전극 사이로 상기 용액을 떨어뜨리는 단계와, (c) 상기 용액을 건조시키는 단계와, (d) 상기 전극 사이에 건조된 나노와이어-고분자 모재에 압력을 인가하여, 나노와이어들을 서로 결합시켜 연속적인 전기적 전도 경로를 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 (b) 단계에 앞서, 상기 나노와이어-고분자 용액에 대해 음파 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 나노와이어는 ZnO 나노와이어인 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 고분자 용액은 PVP(poly(4-vinyl phenol)) 용액인 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
5 5
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 압력은 300 kPa 내지 600 kPa인 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 압력은 600 kPa인 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
7 7
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 압력을 인가하면서 상기 나노와이어-고분자 모재를 가열하는 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 압력을 인가하면서 상기 나노와이어-고분자 모재를 상기 고분자의 유리 전이 온도(Tg) 이상의 온도에서 가열하는 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
9 9
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서, 상기 용액을 드랍 캐스팅, 스핀 코팅 및 잉크 젯 프린팅 중 어느 한 가지 방법에 의해서 상기 전극 사이로 떨어뜨리는 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
10 10
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노와이어-고분자 용액 중에서 나노와이어의 양은 상기 고분자 용액의 양에 대해 1 wt% 내지 6 wt%인 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 나노와이어-고분자 용액 중에서 나노와이어의 양은 상기 고분자 용액의 양에 대해 6 wt%인 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
12 12
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 소자는 센서, 트랜지스터, 태양광발전 소자 중 하나인 것을 특징으로 하는 나노 복합물 전자 소자 제조 방법
13 13
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 방법에 따라 제조되는 나노 복합물 전자 소자로서, 기판과; 기판 상에 패터닝된 전극과; 상기 전극 사이에 형성된 나노복합물로서, 이 나노복합물은 나노와이어-고분자 용액을 기반으로 하는 나노와이어-고분자 모재로 이루어지며, 고분자 모재 중의 나노와이어들이 외부로부터 인가되는 압력에 의해 서로 결합하여 연속적인 전기적 경로를 형성하고 있는 것인 나노복합물 을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노복합물 전자 소자
14 14
기판과, 상기 기판 상에 패터닝된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 두 전극 사이에 형성된 나노복합물로서, 이 나노복합물은 나노와이어-고분자 용액을 기반으로 하는 나노와이어-고분자 모재로 이루어지며, 고분자 모재 중의 나노와이어들이 외부로부터 인가되는 압력에 의해 서로 결합하여 연속적인 전기적 경로를 형성하고 있는 것인 나노복합물 을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 나노와이어는 ZnO 나노와이어인 것을 특징으로 하는 트랜지스터
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 고분자 모재는 PVP(poly(4-vinyl phenol)) 모재인 것을 특징으로 하는 트랜지스터
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 PVP 모재 중의 ZnO 나노와이어의 양은 PVP의 양에 대해 1 wt% 내지 6 wt%인 것을 특징으로 하는 트랜지스터
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 PVP 모재 중의 ZnO 나노와이어의 양은 PVP의 양에 대해 6 wt%인 것을 특징으로 하는 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울대학교 연세대학교 산학협력단 시스템 집적 반도체 기술 개발 계면제어 및 후처리 기술 개발