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금속산화물 박막 및 그 제조 방법, 금속산화물 박막용 용액

  • 기술번호 : KST2015126136
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수계 또는 비수계 용매에 용해된 금속수산화물과, 상기 금속수산화물의 용해도를 제어하기 위한 산염기 적정제를 포함하는 금속산화물 반도체 박막용 용액을 제공한다. 또한 다른 금속 수산화물 첨 가를 통하여 소자의 안정성을 향상 시키고, 추가 적으로 다른 금속 수산화물 첨가를 통하여 소자의 반도체적 성능을 향상 시키기 위한 용액을 합성한다. 상기 용액을 기판에 도포하고 각종 열처리 장비를 이용하여 열처리하여 저온에서 고품질의 금속산화물 박막을 얻을 수 있다. 상기 박막은 광학적으로 투명하여 각종 전자 소자용 박막이나 태양전지, 각종 센서, 메모리 소자 등에 활용될 수 있다.
Int. CL C09D 1/00 (2006.01) C09D 5/24 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110016949 (2011.02.25)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1212626-0000 (2012.12.10)
공개번호/일자 10-2011-0101058 (2011.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20121214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100019634   |   2010.03.05
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.25)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문주호 대한민국 서울특별시 서대문구
2 전태환 대한민국 충청남도 천안시 서북구
3 정양호 대한민국 서울특별시 송파구
4 송근규 대한민국 경기도 용인시 수지구
5 김아름 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0137840-76
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098668-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0401008-68
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0564311-74
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0701006-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수계 또는 비수계 용매에 용해된 금속수산화물; 그리고,상기 금속수산화물의 용해도를 제어하기 위한 산염기 적정제를 포함하며,상기 금속수산화물의 농도는 0
2 2
제1항에 있어서,상기 금속수산화물은 알루미늄 수산화물 (Al(OH)3), 아연 수산화물 (Zn(OH)2), 갈륨 수산화물 (Ga(OH)3), 인듐 수산화물 (In(OH)3), 주석 수산화물(Sn(OH)4) 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제1 금속수산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
3 3
제2항에 있어서,상기 금속수산화물은 바이어스 안정성 향상을 위해 이트륨 수산화물 (Y(OH)3), 지르코늄 수산화물 (Zr(OH)4), 하프늄 수산화물 (Hf(OH)4), 스칸듐 수산화물 (Sc(OH)3), 갈륨 수산화물 (Ga(OH)3), 란탄니움 수산화물 (La(OH)3) 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제2 금속수산화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
4 4
제3항에 있어서,상기 제1 금속수산화물 및 상기 제2 금속수산화물은 1: 0 ~ 0
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 금속수산화물 및 상기 제2 금속수산화물은 1: 0 ~ 0
6 6
제3항에 있어서,상기 산염기 적정제는 암모니아, 테트라 메틸 암모니움 수산화물, 메틸아민, 우레아, 아세트산, 염산, 질산, 황산, 과산화수소 및 이들의 조합에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
7 7
제3항에 있어서,상기 금속수산화물은 저온에서의 성능향상을 위해 리튬 수산화물 (Li(OH), 티타늄 산화물(Ti(OH)), 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제3 금속수산화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
8 8
제7항에 있어서,상기 제1 금속수산화물, 상기 제2 금속수산화물 및 상기 제3 금속수산화물은 1: 0 ~ 0
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 금속수산화물은 아연 수산화물 (Zn(OH)2)인 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
10 10
제8항에 있어서,상기 산염기 적정제는 암모니아, 테트라 메틸 암모니움 수산화물, 메틸아민, 우레아, 아세트산, 염산, 질산, 황산, 과산화수소 및 이들의 조합에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
11 11
제2항에 있어서,상기 산염기 적정제는 암모니아, 테트라 메틸 암모니움 수산화물, 메틸아민, 우레아, 아세트산, 염산, 질산, 황산, 과산화수소 및 이들의 조합에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
12 12
제2항에 있어서,상기 금속수산화물은 저온에서의 성능향상을 위해 리튬 수산화물 (Li(OH), 티타늄 산화물(Ti(OH)), 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제3 금속수산화물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
13 13
제12항에 있어서,상기 제1 금속수산화물과 상기 제3 금속수산화물은 1: 0 ~ 0
14 14
제13항에 있어서, 상기 제1 금속수산화물과 상기 제3 금속수산화물은 1: 0 ~ 0
15 15
제12항에 있어서,상기 산염기 적정제는 암모니아, 테트라 메틸 암모니움 수산화물, 메틸아민, 우레아, 아세트산, 염산, 질산, 황산, 과산화수소 및 이들의 조합에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
16 16
제1항에 있어서,상기 산염기 적정제는 암모니아, 테트라 메틸 암모니움 수산화물, 메틸아민, 우레아, 아세트산, 염산, 질산, 황산, 과산화수소 및 이들의 조합에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
17 17
제1항에 있어서, 상기 금속수산화물은 지르코늄 수산화물 (Zr(OH)4), 하프늄 수산화물 (Hf(OH)4), 알루미늄 수산화물 (Al(OH)3), 이트리움 수산화물 (Y(OH)3), 가돌리늄 수산화물 (Gd(OH)3), 란탄니움 수산화물 (La(OH)3) 및 이들의 조합에서 선택되는 제4 금속수산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
18 18
제17항에 있어서,상기 산염기 적정제는 암모니아, 테트라 메틸 암모니움 수산화물, 메틸아민, 우레아, 아세트산, 염산, 질산, 황산, 과산화수소 및 이들의 조합에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
19 19
제1항에 있어서,상기 금속수산화물은 아연 수산화물 (Zn(OH)2), 인듐 수산화물 (In(OH)3), 주석 수산화물 (Sn(OH)4), 알루미늄 수산화물(Al(OH)3) 및 이들의 조합에서 선택되는 제5 금속수산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
20 20
제1항의 조성물을 기판에 도포하는 단계; 그리고상기 조성물이 도포된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 형성 방법
21 21
제20항에 있어서,상기 열처리는 100℃ ~ 350℃의 범위에서 진공 또는 환원 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 형성 방법
22 22
제20항에 있어서,상기 기판은 유연성 기판, 투명 기판 또는 유리기판인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 형성 방법
23 23
제20항에 있어서,상기 열처리는 핫플레이트, 컨벡션 오븐, 박스로, 또는 마이크로웨이브를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 형성 방법
24 24
제1항의 조성물을 기판에 도포하고 열처리를 진행하여 형성한 금속 산화물 박막
25 25
제24항에 있어서, 상기 기판은 유연성 기판, 투명 기판 또는 유리기판인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막
26 26
제24항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 박막
27 27
알루미늄 수산화물 (Al(OH)3), 아연 수산화물 (Zn(OH)2), 갈륨 수산화물 (Ga(OH)3),인듐 수산화물 (In(OH)3), 주석 수산화물(Sn(OH)4) 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제1 금속수산화물;이트륨 수산화물 (Y(OH)3), 지르코늄 수산화물 (Zr(OH)4), 하프늄 수산화물 (Hf(OH)4), 스칸듐 수산화물 (Sc(OH)3), 갈륨 수산화물 (Ga(OH)3), 란탄니움 수산화물 (La(OH)3) 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제2 금속수산화물; 리튬 수산화물 (Li(OH), 티타늄 산화물(Ti(OH)), 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제3 금속수산화물; 그리고상기 금속수산화물들의 용해도를 제어하기 위한 산염기 적정제를 포함하며,상기 금속수산화물들의 전체 농도는 0
28 28
제27항에 있어서,상기 제1 금속수산화물, 상기 제2 금속수산화물 및 상기 제3 금속수산화물은 1: 0 ~ 0
29 29
제28항에 있어서,상기 제1 금속수산화물, 상기 제2 금속수산화물 및 상기 제3 금속수산화물은 1: 0 ~ 0
30 30
제27항에 있어서,상기 산염기 적정제는 암모니아, 테트라 메틸 암모니움 수산화물, 메틸아민, 우레아, 아세트산, 염산, 질산, 황산, 과산화수소 및 이들의 조합에서 선택되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막용 조성물
31 31
제30항에 있어서,상기 산염기 적정제는 0
32 32
알루미늄, 아연, 갈륨, 인듐, 주석 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제1 금속;이트륨, 지르코늄, 하프늄, 스칸듐, 갈륨, 란탄니움 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제2 금속; 리튬, 티타늄 및 이들을 조합한 물질 중에서 선택되는 제3 금속을 포함하며,상기 제1 금속, 상기 제2 금속 및 상기 제3 금속은 1: 0 ~ 0
33 33
제32항에 있어서,상기 제1 금속, 상기 제2 금속 및 상기 제3 금속은 1: 0 ~ 0
34 34
제7항의 조성물을 기판에 도포하고 열처리하여 반도체 박막을 형성하는 단계;상기 반도체 박막 상에 제17항의 조성물을 도포하고 열처리하여 절연성 박막을 형성하는 단계; 그리고상기 절연막 상에 제19항의 조성물을 도포하고 열처리하여 도전성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10032923 US 미국 FAMILY
2 US20150137115 US 미국 FAMILY
3 WO2011108884 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2011108884 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10032923 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2015137115 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.