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에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법

  • 기술번호 : KST2015127833
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 제 1 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 금속 박막 상에 열처리하여 상기 제 1 금속 박막을 제 1 금속 실리사이드로 변태시키는 단계; 상기 제 1 금속 실리사이드 상에 제 2 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 제 2 금속 박막을 촉매로 VLS(Vapor Liquid Solid) 성장법에 이용하여 상기 금속 실리사이드 상에 제 2 금속-나노선 소스 성분으로 된 용적방울(droplet)을 형성하는 단계; 상기 용적방울이 형성된 부분에 반도체 기판에 수직이 되도록 반도체 나노선을 성장시키는 단계; 및 상기 제 1 금속 실리사이드가 하부에 노출되도록 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 금속 디실리사이드, 나노선
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/20 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020080120359 (2008.12.01)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1028491-0000 (2011.04.04)
공개번호/일자 10-2010-0061975 (2010.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20110411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.01)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손현철 대한민국 서울특별시 강남구
2 고대홍 대한민국 경기도 고양시 일산서구
3 김종기 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0826394-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0058246-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0427953-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0771162-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0771160-07
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0106323-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
반도체 기판상에 제 1 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 금속 박막 상에 열처리하여 상기 제 1 금속 박막을 제 1 금속 실리사이드로 변태시키는 단계; 상기 제 1 금속 실리사이드 상에 제 2 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 제 2 금속 박막을 촉매로 VLS(Vapor Liquid Solid) 성장법에 이용하여 상기 금속 실리사이드 상에 제 2 금속-나노선 소스 성분으로 된 용적방울(droplet)을 형성하는 단계; 상기 용적방울이 형성된 부분에 반도체 기판에 수직이 되도록 반도체 나노선을 성장시키는 단계; 및 상기 제 1 금속 실리사이드가 하부에 노출되도록 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 박막의 형성은, 상기 반도체 기판의 자연 산화막을 제거하는 단계;를 수행한 후에 형성하는 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 자연 산화막은, 불산 희석 용액(BOE)을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은, Si, Ge, C, Ga, As, P, B, Zn, Se, S, Cd, Sn, Al, In, SiGe, GaAs, AlGaAs, GaAsP, InAs, Sn, InAsP, InGaAs, AlAs, InP, GaP, ZnSe, CdS, ZnCdS, CdSe 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 박막은, Ni, Ti, Co, Fe 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
6 6
제 1 항에 있어서, 제 2 금속 박막은, Au, Pt, Al, Ti, Ga, In, Fe, Ni, Co, GaN, InN, SiC, TiN 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 박막을 제 1 금속 실리사이드로 변태시킨 후에, 상기 제 1 금속 박막 중에서 상기 제 1 금속 실리사이드로 변태되지 않은 상기 제 1 금속 박막을 황산과 과산화수소 혼합 용액으로 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 황산과 과산화수소 혼합 용액은, 상기 황산과 과산화수소가 6:1의 비율인 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 황산과 과산화수소 혼합 용액은, 80℃로 가열한 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 박막은, 두께가 100 Å 인 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속 박막은, 두께가 5~10 Å인 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속 박막은, 스퍼터링(sputtering), 이온빔 증착법, 화학 증착법 및 플라즈마 증착법 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 VLS 성장법은, 400 내지 900 ℃에서 인-시튜(in-situ)로 반응 가스를 50 내지 400 sccm의 속도로 흘려주는 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 반응 가스는, 디클로로 실란(DCS, dichlorosilane), 테트라클로로 실란(TCS, Tetrachloro silane), 실란(SiH4) 및 이들의 조합 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 에피텍시얼 금속 실리사이드를 이용한 나노선 성장방법
16 16
삭제
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