| 요약 |
본 발명은 단일전자 트랜지스터 및 그의 새로운 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 에스오아이(SOI, silicon-on-insulator) 기판을 이용하여 나노 스케일 크기의 채널 폭을 가지는 나노선을 제조하고, 제작된 에스오아이 나노선에 하드 마스크로의 실리콘 질화막을 패턴한 후, 열산화 공정을 수행한다. 열산화 공정 동안 실리콘 질화막으로 둘러 쌓인 영역의 에스오아이 나노선 영역은 산화율이 작고, 실리콘 질화막이 없는 실리콘 나노선 영역은 실리콘 산화율이 크므로, 질화막의 유무에 따라 선택적으로 산화막의 두께가 결정된다. 에스오아이 나노선을 따라서 두꺼운 산화막-얇은 산화막-두꺼운 산화막이 직렬로 형성되고, 이 중 두꺼운 산화막은 포텐셜 장벽의 기능을, 얇은 산화막 아래의 실리콘 변형은 양자점 기능을 가지게 된다. 이와 같은 제조 방법을 이용한 단일 전자 트랜지스터는 선택적 산화율을 통해 자발적인 양자점을 만들어 지므로, 식각 공정으로부터 생기는 표면의 손상을 피할 수 있다. 제조된 에스오아이 단일전자 트랜지스터는 소스 전극으로 부터 양자점으로 터널링, 양자점으로부터 드레인 전극으로의 터널링에 의해 전자가 이동한다.단일전자, 트랜지스터, 에스오아이(SOI), 양자점, 나노선, 산화율
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