1 |
1
나노입자를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서,기판에 나노입자 필름을 형성시키고 열처리 하는 단계; 상기 나노입자 필름에 소스 전극과 드레인 전극을 형성시키는 단계; 상기 소스와 드레인 전극이 형성된 나노입자 필름 상부에 절연체를 증착시켜 게이트 절연막을 형성시키는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 전면 게이트 전극(topgate electrode)을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판 및 플라스틱 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 플라스틱 기판은 PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(polyethylenapthanate) 및 PC(polycarbonate) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
4 |
4
청구항 1에 있어서, 상기 나노입자 필름을 형성시키는 단계는,나노입자를 용매에 분산시켜 나노입자 용액을 마련하는 과정, 상기 나노입자 용액에 침전제를 혼합시키는 과정, 상기 침전제가 포함된 나노입자 용액을 상기 기판 상에 증착하는 과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
5 |
5
청구항 4에 있어서,상기 나노입자는 HgTe, HgSe, HgS, CdTe, CdSe, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, PbTe, PbSe, PbS 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
6 |
6
청구항 4에 있어서, 상기 침전제가 포함된 나노입자 용액을 상기 기판 상에 증착하는 방법은 스핀 코팅, 딥 코팅, 스탬핑, 스프레잉 및 프린팅 방법 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 열처리는 100℃ ~ 400℃ 사이에서 10분 내지 200분 동안 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
8 |
8
청구항 1에 있어서, 상기 게이트 절연막은 고 유전 상수의 절연체를 상기 나노입자 필름 위에 증착하여 형성하는데, 이러한 절연체로서는 무기물인 Al2O3, HfO2, Ta2O5, La2O3, SiO2,유기물인 AIDCN, Polyaniline, CdAA, PVP, PEDOT 중 어느 하나가 상기 나노입자 필름 상부에 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 고 유전상수의 절연체를 상기 나노입자 필름 상부에 증착할 때의 기판온도는 100℃ ~ 400℃ 사이의 범위로 하고, 상기 게이트 절연막의 두께는 10nm ~ 500nm 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
|
10 |
10
청구항 1 또는 청구항 9 중 어느 한 항에 기재된 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법에 의하여 제조되는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터
|