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플렉시블 기판 상에 나노 입자를 이용한 전면 게이트 박막트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131185
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉시블(flexible) 기판 상에 나노입자를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 기판 상에 친수성의 버퍼층을 증착하여, 나노입자 필름 형성을 용이하게 할 뿐 아니라, 열처리된 나노입자를 활성층으로 이용하고, 고 유전상수의 절연체를 게이트 절연막으로 이용하며, 상기 게이트 절연막 상에 전면 게이트 전극을 형성시킴으로써, 저전압 구동이 가능하고 저온에서도 제작이 가능하도록 한 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명인 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법을 이루는 구성수단은, 플렉시블 기판 상에 친수성 물질로 버퍼층(buffer layer)을 증착 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 나노입자 필름을 형성시키고 열처리 하는 단계, 상기 나노입자 필름에 소스 전극과 드레인 전극을 형성시키는 단계, 상기 소스와 드레인 전극이 형성된 나노입자 필름 상부에 절연체를 증착시켜 게이트 절연막을 형성시키는 단계, 상기 게이트 절연막 상부에 전면 게이트 전극(topgate electrode)을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.버퍼층, 박막 트랜지스터, 나노 입자, 게이트 절연막
Int. CL H01L 29/786 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020060098467 (2006.10.10)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0792407-0000 (2008.01.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.10)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상식 대한민국 서울 송파구
2 조경아 대한민국 서울 광진구
3 김동원 대한민국 서울 금천구
4 장재원 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2006-0731351-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0040103-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0385802-65
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0676365-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0676356-04
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0694770-51
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서,플렉시블 기판 상에 친수성 물질로 버퍼층(buffer layer)을 증착 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 나노입자를 용매에 분산시켜 나노입자 용액을 마련하고, 상기 나노입자 용액에 침전제를 혼합시키고, 상기 침전제가 포함된 나노입자 용액을 상기 기판 상에 도포하여 나노입자 필름을 형성시키고 저온 열처리 하는 단계; 상기 나노입자 필름에 소스 전극과 드레인 전극을 형성시키는 단계; 상기 소스와 드레인 전극이 형성된 나노입자 필름 상부에 절연체를 증착시켜 게이트 절연막을 형성시키는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 전면 게이트 전극(top gate electrode)을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 플렉시블 기판은 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 플라스틱 기판은 PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(polyethylenapthanate), PC(polycarbonate) 및 PES(polyethylen sulfone) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 버퍼층은 친수성의 무기물 또는 친수성의 유기물인 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 친수성의 무기물은 Al2O3, HfO2, Ta2O5, La2O3 및 SiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 친수성의 무기물은 원자층증착법(ALD) 또는 스퍼터링법(sputtering)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
7 7
청구항 4에 있어서,상기 유기물은 AIDCN, Polyaniline, Cd-AA, PVP, PVA 및 PEDOT 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 유기물은 반응가스로 O3를 사용한 자외선(UV) 공정 또는 반응가스로 O2를 사용한 플라즈마 공정을 통해 표면이 친수화되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 유기물은 스핀코팅법, 스프레이법 및 프린팅법 중 어느 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 2㎚ ~ 20㎚ 사이의 범위인 것을 특징으로 플렉시블 기판 상에 하는 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
11 11
청구항 1에 있어서,상기 버퍼층은 100℃ ~ 150℃ 사이의 범위 온도에서 상기 기판 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
12 12
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13 13
청구항 1에 있어서,상기 나노입자는 HgTe, HgSe, HgS, CdTe, CdSe, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, PbTe, PbSe, PbS 및 ZnO 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
14 14
청구항 1에 있어서, 상기 침전제가 포함된 나노입자 용액을 상기 기판 상에 도포하는 방법은 스핀 코팅, 딥 코팅, 스탬핑, 스프레이 및 프린팅 방법 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
15 15
청구항 1에 있어서, 상기 열처리는 100℃ ~ 185℃ 사이에서 10분 내지 200분 동안 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
16 16
청구항 1에 있어서, 상기 게이트 절연막은 고 유전 상수의 절연체를 상기 나노입자 필름 위에 증착하여 형성하는데, 이러한 절연체로서는 Al2O3, HfO2, Ta2O5, La2O3, SiO2, AIDCN, Polyaniline, Cd-AA, PVP, PVA, PEDOT 중 선택된 어느 하나가 상기 나노입자 필름 상부에 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
17 17
청구항 16에 있어서,상기 고 유전상수의 절연체를 상기 나노입자 필름 상부에 증착할 때의 기판온도는 100℃ ~ 185℃ 사이의 범위로 하고, 상기 게이트 절연막의 두께는 10nm ~ 500nm 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터 제조 방법
18 18
나노입자를 이용한 박막 트랜지스터에 있어서,플렉시블 기판 상에 친수성 물질로 증착되어 형성되는 버퍼층(buffer layer)과;상기 버퍼층 상에 나노입자를 용매에 분산시켜 나노입자 용액을 마련하고, 상기 나노입자 용액에 침전제를 혼합시키고, 상기 침전제가 포함된 나노입자 용액을 상기 기판 상에 도포하고, 저온 열처리되어 형성된 나노입자 필름과; 상기 나노입자 필름 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극과; 상기 소스와 드레인 전극이 형성된 나노입자 필름 상부에 절연체를 증착시켜 형성되는 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 전면 게이트 전극(topgate electrode)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 상에 나노입자를 이용한 전면 게이트 박막 트랜지스터
19 19
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2 KR100777265 KR 대한민국 FAMILY
3 US07972931 US 미국 FAMILY
4 US20070228376 US 미국 FAMILY

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1 CN101047130 CN 중국 DOCDBFAMILY
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3 CN101047130 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 JP2007273949 JP 일본 DOCDBFAMILY
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6 US7972931 US 미국 DOCDBFAMILY
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