맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131865
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 터널 옥사이드, 터널 옥사이드의 상면에 서로 분리되어 형성된 제 1 전하 포획 영역들, 터널 옥사이드 내에, 제 1 전하 포획 영역들과 오버랩되지 않도록 형성된 제 2 전하 포획 영역, 제 1 전하 포획 영역들과 제 1 전하 포획 영역들 사이에 노출된 터널 옥사이드 상에 형성된 블로킹 옥사이드 및 블로킹 옥사이드 상에 형성된 콘트롤 게이트를 포함한다. 멀티 펑션, 비휘발성, 메모리
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020090037790 (2009.04.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1070755-0000 (2011.09.29)
공개번호/일자 10-2010-0118866 (2010.11.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 등록원부생성(갱신)
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.29)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전종일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, 신관 ***호 (역삼동, 과학기술회관)(리더스국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0261770-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0023184-84
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0184228-34
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0184225-08
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0552159-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 터널 옥사이드; 상기 터널 옥사이드의 상면에 서로 분리되어 형성된 제 1 전하 포획 영역들; 상기 터널 옥사이드 내에, 상기 제 1 전하 포획 영역들과 오버랩되지 않도록 형성된 제 2 전하 포획 영역; 상기 제 1 전하 포획 영역들과 제 1 전하 포획 영역들 사이에 노출된상기 터널 옥사이드 상에 형성된 블로킹 옥사이드; 및 상기 블로킹 옥사이드 상에 형성된 콘트롤 게이트를 포함하는 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전하 포획 영역은 금속 나노 크리스탈 또는 반도체 나노 크리스탈로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전하 포획 영역은 실리콘질화막 또는 비정질 폴리 실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전하 포획 영역은 상기 터널 옥사이드 내에서 상기 반도체 기판으로부터 1 nm ~ 4 nm 높이로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자
5 5
반도체 기판 상에 제 1 옥사이드층을 형성하는 단계; 상기 제 1 옥사이드층의 상면에 서로 분리하여 제 1 전하 포획층들을 형성하는 단계; 상기 제 1 옥사이드층 내에, 상기 제 1 전하 포획층들과 오버랩되지 않도록 제 2 전하 포획 영역을 형성하는 단계; 상기 제 1 전하 포획층들과 제 1 전하 포획층들 사이에 노출된 상기 제 1 옥사이드층 상에 제 2 옥사이드층를 형성하는 단계; 상기 제 2 옥사이드층 상에 콘트롤 게이트층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 옥사이드층, 상기 제 1 전하 포획층, 상기 제 2 옥사이드층, 상기 콘트롤 게이트층을 각각 식각하여 터널링 옥사이드, 제 1 전하 포획 영역들, 블로킹 옥사이드, 콘트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 2 전하 포획 영역을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 전하 포획 영역은 금속 나노 크리스탈 또는 반도체 나노 크리스탈로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 제 2 전하 포획 영역을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 전하 포획 영역은 실리콘질화막 또는 비정질 폴리 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 제 2 전하 포획 영역을 형성하는 단계에서, 상기 제 2 전하 포획 영역은 상기 제 1 옥사이드층 내에서 상기 반도체 기판으로부터 1 nm ~ 4 nm 높이로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 멀티 펑션 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.