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나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법에 있어서,기판 상에 친수성의 무기물 또는 친수성의 유기물로 버퍼층(buffer layer)을 증착 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 나노입자 필름을 형성시키고 열처리 하는 단계; 상기 나노입자 필름에 소스 전극과 드레인 전극을 형성시키는 단계; 상기 소스와 드레인 전극이 형성된 나노입자 필름 상부에 절연물질을 증착시켜 터널링 게이트 절연막을 형성시키는 단계;상기 터널링 게이트 절연막 상부에 나노입자를 증착시켜 나노 부유 게이트를 형성시키는 단계;상기 나노 부유 게이트 상부에 절연물질을 증착시켜 콘트롤 게이트 절연막을 형성시키는 단계;상기 콘트롤 게이트 절연막 상부에 전면 게이트 전극(topgate electrode)을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 유리 기판 및 플라스틱 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서,상기 플라스틱 기판은 PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(polyethylenapthanate), PC(polycarbonate) 및 PES(polyethylen sulfone) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 친수성의 무기물은 Al2O3, HfO2, Ta2O5, La2O3 및 SiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 친수성의 무기물은 원자층증착법(ALD) 또는 스퍼터링법(sputtering)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 유기물은 AIDCN, Polyaniline, Cd-AA, PVP, PVA 및 PEDOT 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 유기물은 반응가스로 O3를 사용한 자외선(UV) 공정 또는 반응가스로 O2를 사용한 플라즈마 공정을 통해 표면이 친수화되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 7에 있어서,상기 유기물은 스핀코팅법, 스프레이법 및 프린팅법 중 어느 하나를 이용하여 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 2㎚ ~ 20㎚ 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층은 100℃ ~ 150℃ 사이의 범위 온도에서 상기 기판 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노입자 필름을 형성시키는 단계는,나노입자를 용매에 분산시켜 나노입자 용액을 마련하는 과정, 상기 나노입자 용액에 침전제를 혼합시키는 과정, 상기 침전제가 포함된 나노입자 용액을 상기 기판 상에 증착하는 과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 나노입자는 HgTe, HgSe, HgS, CdTe, CdSe, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, PbTe, PbSe, PbS 및 ZnO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 침전제가 포함된 나노입자 용액을 상기 기판 상에 증착하는 방법은 스핀 코팅, 딥 코팅, 스탬핑, 스프레잉 및 프린팅 방법 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 열처리는 100℃ ~ 185℃ 사이에서 10분 내지 200분 동안 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 터널링 게이트 절연막 및 콘트롤 게이트 절연막은 고 유전 상수의 절연물질을 증착하여 형성하는데, 이러한 절연물질로서는 Al2O3, HfO2, Ta2O5, La2O3, SiO2 와 같은 무기물이나 AIDCN, Polyaniline, Cd-AA, PVP, PVA, PEDOT과 같은 유기물 중 어느 하나가 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 16에 있어서,상기 고 유전상수의 절연물질을 증착할 때의 기판온도는 100℃ ~ 185℃ 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 16에 있어서,상기 터널링 게이트 절연막의 두께는 2nm ~ 20nm 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 18에 있어서,상기 콘트롤 게이트 절연막의 두께는 10nm ~ 500nm 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 나노 부유 게이트를 형성시키는 나노 입자는 반도체 나노 입자 또는 금속 나노 입자인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 20에 있어서,상기 반도체 나노 입자는 HgTe, HgSe, HgS, CdTe, CdSe, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, PbTe, PbSe, PbS 및 ZnO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 20에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Au, Ag 및 Pt 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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청구항 20에 있어서,상기 나노 부유 게이트는 상기 나노 입자를 상기 터널링 게이트 절연막 상에 스핀코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법
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나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자에 있어서,기판 상에 친수성 물질로 증착되어 형성되는 버퍼층(buffer layer)과;상기 버퍼층 상에 증착되어 열처리되는 나노입자 필름과; 상기 나노입자 필름 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극과; 상기 소스와 드레인 전극이 형성된 나노입자 필름 상부에 절연물질이 증착되어 형성되는 터널링 게이트 절연막과;상기 터널링 게이트 절연막 상부에 나노입자가 증착되어 형성되는 나노 부유 게이트와;상기 나노 부유 게이트 상부에 절연물질이 증착되어 형성되는 콘트롤 게이트 절연막과;상기 콘트롤 게이트 절연막 상부에 형성되는 전면 게이트 전극(topgate electrode)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자
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청구항 1 또는 청구항 23 중 어느 한 항에 기재된 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자 제조 방법에 의하여 제조되는 나노입자를 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자
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