맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

질화물 박막 구조 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015135564
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 박막 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 질화물이 아닌 기판 위에 질화물 박막을 형성하게 되면 기판과 질화물 박막간의 격자상수 차이에 의하여 많은 결함이 생기게 된다. 또한 기판과 질화물 박막간의 열팽창 계수 차이에 의하여 기판이 휘어지는 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결하고자, 속이 비어 있는 입자, 즉 중공 구조물을 기판 상에 도포한 다음 그 위에 질화물 박막을 성장시킨 박막 구조 및 그 형성 방법을 제안한다. 본 발명에 따르면, 중공 구조물에 의한 ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth) 효과를 얻을 수 있어 고품질의 질화물 박막을 형성할 수 있으며, 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 본 발명에 따른 박막 구조를 LED와 같은 발광 소자로 제작시 광추출 효율이 증가되는 효과가 있다. 뿐만 아니라 기판의 열팽창 계수가 질화물 박막에 비하여 더 큰 경우에는 질화물 박막 안의 중공 구조물 압축에 따라 질화물 박막의 전체 응력이 감소되어 기판의 휘어짐을 방지하는 효과도 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090083292 (2009.09.04)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1101780-0000 (2011.12.27)
공개번호/일자 10-2010-0029704 (2010.03.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080088044   |   2008.09.08
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020110135332;
심사청구여부/일자 Y (2009.09.04)
심사청구항수 17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤의준 대한민국 서울특별시 강남구
2 차국헌 대한민국 서울특별시 서초구
3 김종학 대한민국 서울특별시 구로구
4 오세원 대한민국 서울특별시 강남구
5 우희제 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 헥사솔루션 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0545160-93
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0571332-04
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0131780-31
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0309140-69
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0309153-52
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0658827-59
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.12.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0993274-88
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0993249-46
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2011.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0997703-67
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2011.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0763254-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
기판; 상기 기판 상에 도포된 다수의 중공 구조물; 및 상기 기판 위로 형성된 2층 이상의 막으로 이루어진 질화물 박막을 포함하고, 상기 2층 이상의 막 사이에 도포된 다수의 중공 구조물을 더 포함하며, 상기 기판 쪽에 가까운 중공 구조물일수록 중공의 크기가 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
6 6
제5항에 있어서, 상기 중공 구조물은 상기 질화물 박막과 굴절률에 차이가 있는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
7 7
기판; 상기 기판 상에 도포된 다수의 중공 구조물; 및 상기 기판 위로 형성된 2층 이상의 막으로 이루어진 질화물 박막을 포함하고, 상기 2층 이상의 막 사이에 도포된 다수의 중공 구조물을 더 포함하며, 상기 기판 쪽에 가까운 중공 구조물일수록 중공의 크기는 동일하되 도포 밀도가 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
8 8
제7항에 있어서, 상기 중공 구조물은 상기 질화물 박막과 굴절률에 차이가 있는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
9 9
기판; 상기 기판 상에 도포된 다수의 중공 구조물; 및 상기 기판 위로 형성된 질화물 박막을 포함하고, 상기 기판의 열팽창 계수가 상기 질화물 박막에 비하여 크고 상기 중공 구조물이 상기 질화물 박막에 의해 압축된 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조
10 10
삭제
11 11
기판 상에 다수의 중공 구조물을 도포하는 단계; 및 상기 기판 위로 질화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기판의 열팽창 계수가 상기 질화물 박막에 비하여 크게 선택하고, 상기 질화물 박막을 형성하는 단계 이후 냉각시키는 과정에서 상기 질화물 박막에 의해 상기 중공 구조물을 압축시켜 상기 기판의 휘어짐을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
12 12
기판 상에 다수의 중공 구조물을 도포하는 단계; 및 상기 기판 위로 질화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 중공 구조물을 도포하는 단계는 상기 기판과 중공 구조물이 서로 다른 전하를 띠게 하여 상기 기판에 상기 중공 구조물이 정전기력으로 부착되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
13 13
기판 상에 다수의 중공 구조물을 도포하는 단계; 및 상기 기판 위로 질화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 중공 구조물을 도포하는 단계는, 상기 기판 상에 다수의 코어-쉘 구조물을 도포하는 단계; 및 상기 코어-쉘 구조물의 쉘 부분은 남기고 코어 부분을 제거하여 중공 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조물을 도포하는 단계는 상기 기판과 코어-쉘 구조물이 서로 다른 전하를 띠게 하여 상기 기판에 상기 코어-쉘 구조물이 정전기력으로 부착되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조물은 용매에 분산시켜 상기 기판 상에 도포하며, 상기 기판과 코어-쉘 구조물이 띠는 전하의 세기 및 상기 용매의 농도 중 적어도 어느 하나를 조절하여 상기 코어-쉘 구조물의 도포 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조물로서 전하를 띠는 구조물을 선택하고 상기 기판은 상기 코어-쉘 구조물과 서로 다른 전하를 띠게 하도록 상기 기판 상에 고분자 전해질을 코팅하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 고분자 전해질은 PAH[poly(allylamine hydrochloride)]와 PSS[poly(sodium 4-styrene-sulfonate)]를 레이어-바이-레이어(layer-by-layer) 방법으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
18 18
제13항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조물의 코어 부분은 유기 물질 또는 무기 물질로 제작된 비드이고 쉘 부분은 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 티타니아(TiO2), 지르코니아(ZrO2), 이트리아(Y2O3)-지르코니아, 산화구리(CuO, Cu2O) 및 산화탄탈륨(Ta2O5) 중 적어도 어느 하나이며, 상기 코어 부분을 제거하는 단계는 가열, 산소를 포함하는 가스와의 화학 반응, 용매와의 화학 반응 중 적어도 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 쉘 부분은 층별로 물질의 종류를 달리하는 다층의 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
20 20
제13항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조물을 도포한 후에 상기 중공 구조물의 기계적 특성 조절을 위한 후처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
21 21
기판 상에 다수의 중공 구조물을 도포하는 단계; 및 상기 기판 위로 질화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 질화물 박막을 형성하기 전에 상기 기판 위로 완충층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 완충층을 형성하는 단계와 상기 질화물 박막을 형성하는 단계 각각은, 반응기의 압력, 온도 및 5족 전구체 : 3족 전구체 비율을 일정하게 하는 단계; 및 상기 5족 전구체와 3족 전구체를 일정한 속도로 주입하여 상기 기판 위에 질화물의 층을 성장시키는 단계로 이루어진 막 성장 공정을 적어도 1회씩 포함하며, 상기 반응기 압력은 10~1000 torr, 온도는 300~1200 ℃, 5족 전구체 : 3족 전구체 비율은 1 ~ 1000000인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 질화물 박막을 형성하는 단계는 상기 막 성장 공정을 1회 수행한 후 상기 반응기 압력을 변화시켜 다음 막 성장 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 구조 형성 방법
23 23
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102150286 CN 중국 FAMILY
2 JP05070359 JP 일본 FAMILY
3 JP24502461 JP 일본 FAMILY
4 KR101466037 KR 대한민국 FAMILY
5 US08847362 US 미국 FAMILY
6 US20110156214 US 미국 FAMILY
7 WO2010027230 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2010027230 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102150286 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102150286 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE112009002065 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 DE112009002065 DE 독일 DOCDBFAMILY
5 JP2012502461 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5070359 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2011156214 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8847362 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2010027230 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
10 WO2010027230 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 전략기술개발사업 고효율 조명용 광반도체 기술 개발