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반도체 나노 구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159465
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 나노 구조체의 제조방법을 제공한다. 상기 반도체 나노 구조체의 제조방법은 금속산화물 분말을 수용액에 분산시키는 단계; 상기 수용액에 레이저 빔을 주사하여 상기 화합물 반도체 분말을 어블레이션(ablation)하는 단계; 상기 어블레이션된 수용액으로부터 화합물 반도체 나노입자의 분산용액을 채취하는 단계; 및 상기 채취한 분산용액을 건조함으로써 화합물 반도체 나노 입자를 수집하는 단계를 포함한다.레이저 어블레이션(laser ablation), 나노 반도체, 금속산화물 분말, 분산용액
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02172(2013.01) H01L 21/02172(2013.01) H01L 21/02172(2013.01) H01L 21/02172(2013.01) H01L 21/02172(2013.01)
출원번호/일자 1020060098129 (2006.10.09)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-0821357-0000 (2008.04.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강위경 대한민국 서울 종로구
2 이재훈 대한민국 서울 관악구
3 정영근 대한민국 서울 관악구
4 박성태 대한민국 강원 태백시 황

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0728953-60
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0652993-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0514732-50
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0826387-38
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0826413-38
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0060464-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
금속산화물 분말을 계면활성제를 함유하는 수용액에 분산시키는 단계;상기 수용액에 레이저 빔을 주사하여 상기 금속산화물 분말을 어블레이션(ablation)하는 단계;상기 어블레이션된 수용액으로부터 화합물 반도체 나노입자의 분산용액을 채취하는 단계; 및상기 채취한 분산용액을 건조함으로써 화합물 반도체 나노 입자를 수집하는 단계;를 포함하는, 균일한 형상으로 제어된 반도체 나노 구조체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 계면활성제는 SDS(sodium dodecyl sulfate;C12H25NaO4S) 또는 CTAB(cetyltrimethylammonium bromide; C19H42BrN)인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 분말은 산화아연(ZnO) 분말인 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 수용액에 레이저 빔을 주사하는 것은 상기 수용액에 초음파 진동을 가하는 동시에 레이저 빔을 주사하는 것인 반도체 나노 구조체의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 레이저 빔은 펄스 폭이 5 내지 7ns인 펄스 레이저를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노 구조체의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 화합물 반도체 나노입자 분산용액을 채취하는 것은 상기 레이저 어블레이션된 수용액을 원심분리한 후 상층용액을 취하는 것인 반도체 나노 구조체의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 화합물 반도체 나노입자 분산용액을 건조하는 것은 실리콘 기판 상에 상기 분산 용액을 취하여 떨어뜨린 후 건조하는 것인 반도체 나노 구조체의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 화합물 반도체 나노 입자를 수집한 후, 상기 수집된 화합물 반도체 나노입자를 세척하는 단계를 더욱 포함하는 반도체 나노 구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.