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분자를 감지하기 위한 금속-함유 나노막

  • 기술번호 : KST2015135583
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 개시에서는 금속-함유 나노막을 포함하는 센서 및 이러한 센서를 제조하기 위한 기술이 제공된다. 분자 센서, 나노막
Int. CL G01N 27/22 (2006.01.01) G01N 33/48 (2006.01.01) G01N 33/50 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080122699 (2008.12.04)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0030545 (2010.03.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 미국  |   12/197,716   |   2008.08.25
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.04)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용협 대한민국 서울특별시 서초구
2 강태준 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
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최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0837887-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047746-43
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0781024-61
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0781048-56
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0781038-00
7 우선권주장증명서류제출서(USPTO)
Submission of Priority Certificate(USPTO)		 2010.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2010-9009301-82
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0031935-09
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0171211-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 개구부를 갖는 제1 지지체; 상기 하나 이상의 개구부와 연관되고, 한 종류 이상의 분자와 상호작용하도록 구성된 금속-함유 나노막; 및 상기 한 종류 이상의 분자와 상기 금속-함유 나노막의 하나 이상의 상호작용을 감지하도록 구성된 하나 이상의 전극 을 포함하는 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막 또는 상기 하나 이상의 전극에 커플링되고, 적어도 부분적으로는 전기용량 반응에 기초하여 상기 한 종류 이상의 분자를 탐지하도록 구성된 하나 이상의 탐지 유닛을 추가로 포함하는 센서
3 3
제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 탐지 유닛이 전기용량 반응을 상기 한 종류 이상의 분자의 존재 및/또는 농도를 나타내는 반응으로서 확인하도록 구성된 센서
4 4
제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 탐지 유닛이 상기 한 종류 이상의 분자와 상기 금속-함유 나노막의 하나 이상의 상호작용에 의하여 발생한 금속-함유 나노막의 변형을 탐지하도록 구성된 센서
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막의 적어도 일부가 상기 하나 이상의 개구부 상측에 매달린 센서
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 지지체의 하나 이상의 개구부 상측에 매달린 상기 금속-함유 나노막 부분의 너비가 약 50 μm 내지 약 1000 μm인 센서
7 7
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하나 이상의 전극이 상기 금속-함유 나노막으로부터 소정의 거리에 위치한 센서
8 8
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 금속-함유 나노막이 상기 한 종류 이상의 분자와 결합하도록 구성된 센서
9 9
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하나 이상의 전극이 상기 하나 이상의 전극과 연관된 제2 지지체; 및 상기 하나 이상의 전극과 상기 금속-함유 나노막 사이의 하나 이상의 스페이서 세트 를 추가로 포함하는 센서
10 10
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막이 Ti, Cr, Ni, Cu, Zn, Ag, Pt 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 센서
11 11
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막이 추가로 탄소 나노튜브를 포함하는 센서
12 12
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막의 두께가 약 1 nm 내지 약 50 nm인 센서
13 13
한 종류 이상의 분자와 상호작용하도록 구성된 금속-함유 나노막을 제1 지지체의 하나 이상의 개구부에 연관시키는 단계; 및 하나 이상의 전극이 상기 한 종류 이상의 분자와 상기 금속-함유 나노막의 하나 이상의 상호작용을 감지하게 하는데 유효한 조건하에서 상기 금속-함유 나노막의 한 면에 하나 이상의 전극을 위치시키는 단계 를 포함하는 센서의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서, 적어도 부분적으로는 전기용량 반응에 기초하여 한 종류 이상의 분자를 탐지하도록 구성된 하나 이상의 탐지 유닛을 상기 금속-함유 나노막 또는 상기 하나 이상의 전극에 커플링하는 단계를 추가로 포함하는 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 탐지 유닛이 상기 한 종류 이상의 분자와 상기 금속-함유 나노막의 하나 이상의 상호작용에 의해서 발생한 금속-함유 나노막의 변형을 탐지하도록 구성된 방법
16 16
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막의 적어도 일부가 상기 하나 이상의 개구부 상측에 매달린 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 제1 지지체의 하나 이상의 개구부 상측에 매달린 상기 금속-함유 나노막 부분의 너비가 약 50 μm 내지 약 1000 μm인 방법
18 18
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막이 상기 한 종류 이상의 분자와 결합하도록 구성된 방법
19 19
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 지지체가 기저층; 상기 기저층의 한 면에 적층된 제1 절연 물질층; 및 상기 기저층의 다른 면에 적층된 제2 절연 물질층 을 포함하는 것인 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막을 제1 지지체의 개구부에 연관시키는 단계가 상기 기저층의 한 면에 상기 제1 절연 물질층을 적층하는 단계; 상기 기저층의 다른 면에 그 일부가 덮히지 않도록 하여 상기 제2 절연 물질층을 적층하는 단계; 상기 기저층의 다른 면에서 상기 제1 절연 물질층이 노출될 때까지 상기 기저층의 덮히지 않은 부분을 상기 지지체로부터 제거하여 하나 이상의 개구부를 형성하는 단계; 상기 제1 절연 물질층 상에 금속층을 적층하는 단계; 및 상기 금속-함유 나노막이 상기 제1 지지체의 하나 이상의 개구부 상측에 매달리게 될 때까지, 상기 하나 이상의 개구부 내에 노출된 상기 제1 절연 물질층을 상기 지지체로부터 제거하는 단계 를 포함하는 방법
21 21
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막이 Ti, Cr, Ni, Cu, Zn, Ag, Pt 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택된 금속을 포함하는 방법
22 22
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막이 추가로 탄소 나노튜브를 포함하는 방법
23 23
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속-함유 나노막의 두께가 약 1 nm 내지 약 50 nm인 방법
24 24
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하나 이상의 전극을 위치시키는 단계가 상기하나 이상의 전극을 상기 금속-함유 나노막으로부터 소정의 거리에 위치시키는 것을 포함하는 방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 하나 이상의 전극을 위치시키는 단계가 하나 이상의 전극을 제2 지지체 상에 조립하는 단계; 및 하나 이상의 스페이서 세트를 상기 하나 이상의 전극과 상기 금속-함유 나노막의 한 면 사이에 부착하는 단계 를 포함하는 것인 방법
26 26
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 센서를 사용하는 것을 포함하는 한 종류 이상의 분자의 탐지 방법
27 27
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 센서를 포함하는 한 종류 이상의 분자를 탐지하기 위한 장치
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100317124 US 미국 FAMILY

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1 US2010317124 US 미국 DOCDBFAMILY
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