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정전기력을 이용한 미세채널 형성방법 및 이를 이용한미세구조물 형성방법

  • 기술번호 : KST2015160699
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 간단한 공정을 통하여 마이크로 사이즈뿐만 아니라 나노 사이즈의 채널 및 구조물을 용이하게 형성할 수 있는 마이크로/나노 채널의 형성방법과 마이크로/나노 구조물의 형성방법이 개시되어 있다. 이를 위하여 제1 기판 상에 UV 경화성 고분자 패턴을 형성하고, UV 경화성 고분자 패턴과 UV 경화성 고분자층이 형성된 제2 기판을 정전기적 인력을 사용하여 접촉시킨 후 UV 경화성 고분자 패턴과 상기 UV 경화성 고분자층의 접촉면이 중합반응에 의하여 가교결합 하도록 자외선을 조사하여 채널을 형성시킨다. 또한, 고분자 패턴과 제3 기판을 가역적으로 접합시킨 후 예비중합체(prepolymer)를 유동시켜 상기 제3 기판 상에 예비중합체 패턴을 형성한 후 가역적으로 접합된 제3 기판을 제거함으로써 미세 구조물의 형성할 수 있다. 정전기적 인력이 발생될 수 있는 고분자라면 특별한 제한없이 사용할 수 있어 적용범위가 매우 광범위하다. 그리고 마이크로뿐만 아니라 나노 사이즈의 채널이나 구조물을 기본적으로 동일한 공정으로 제조할 수 있게 된다. 또한, UV조사 여부나 조사량에 따라 가역적 또는 비가역적 접합을 자유롭게 선택하여 형성할 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC B81C 1/00071(2013.01) B81C 1/00071(2013.01) B81C 1/00071(2013.01) B81C 1/00071(2013.01)
출원번호/일자 1020087021065 (2008.08.27)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0969551-0000 (2010.07.05)
공개번호/일자 10-2008-0103541 (2008.11.27) 문서열기
공고번호/일자 (20100712) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2006/000338 (2006.01.31)
국제공개번호/일자 WO2007089050 (2007.08.09)
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.27)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서갑양 대한민국 서울특별시 관악구
2 김필남 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종혁 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 리아이피특허법률사무소 (역삼동, 흥국생명빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act		 2008.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0612548-19
2 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2010.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2010-0006679-62
3 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0279469-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
제1 기판 상에 UV 경화성 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 UV 경화성 고분자 패턴과 UV 경화성 고분자층이 형성된 제2 기판을 정전기적 인력으로 접합시키는 단계; 및 상기 접합된 UV 경화성 고분자 패턴과 상기 UV 경화성 고분자층 중합반응에 의하여 가교결합하도록 자외선을 조사하여 채널을 형성시키는 단계를 포함하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자 패턴 및 상기 UV 경화성 고분자층이 정전기적 인력을 유발시킬 수 있는 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자 패턴 및 상기 UV 경화성 고분자층이 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리우레탄(poly urethane), 폴리스테렌(poly styrene), 및 폴리메틸메타크릴레이트(Poly Methyl MethAcrylate: PMMA)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 제1 기판 및 제2 기판은 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)( Poly(Ethylene Terephthalate): PET)필름인 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자 패턴의 형성은 패터닝된 몰드를 준비하는 단계; 상기 패터닝된 몰드 상에 UV 경화성 고분자를 적하하여 도포하는 단계; 상기 도포된 UV 경화성 고분자와 접촉하도록 상기 제1 기판 을 적층하는 단계; 상기 도포된 UV 경화성 고분자가 모세관 현상에 의하여 유동하여 미세패턴이 형성되는 단계; 상기 형성된 미세패턴에 자외선을 조사하여 UV 경화성 고분자패턴을 형성시키는 단계; 및 상기 패터닝된 몰드를 상기 UV 경화성 고분자패턴이 형성된 제1 기판에서 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 미세패턴에 대한 자외선 조사가 상기 UV 경화성 고분자 패턴에 상기 UN경화성 고분자층과 가교결합할 수 있는 UV활성화그룹이 남아있도록 수행되는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
7 7
제1 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자 패턴의 형성은 패터닝된 몰드를 준비하는 단계; 상기 제1 기판 상에 상기 UV 경화성 고분자를 도포하는 단계; 상기 도포된 UV 경화성 고분자와 접촉하도록 상기 패터닝된 몰드를 상기 제1 기판 상에 적층하는 단계; 상기 도포된 UV 경화성 고분자가 모세관 현상에 의하여 유동하여 미세 패턴이 형성되는 단계; 상기 형성된 미세 패턴에 자외선을 조사하여 UV 경화성 고분자 패턴을 형성시키는 단계; 및 상기 패터닝된 몰드를 상기 UV 경화성 고분자패턴이 형성된 제1 기판에서 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
8 8
제1 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자층의 형성은 상기 제2 기판 상에 UV 경화성 고분자(42)를 스핀코팅하는 단계; 및 상기 스핀코팅된 UV 경화성 고분자에 자외선을 조사하여 UV 경화성 고분자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세 채널 형성 방법
9 9
제8 항에 있어서, 상기 스핀코팅된 UV 경화성 고분자에 대한 자외선 조사가 상기 UV 경화성 고분자층에 상기 UV 경화성 고분자 패턴과 가교결합할 수 있는 UV활성화그룹이 남아있도록 수행되는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
10 10
제1 기판 상에 UV 경화성 고분자 패턴을 형성하는 단계; 상기 UV 경화성 고분자 패턴과 제3 기판을 접촉시켜 정전기력에 의하여 상기 고분자 패턴과 제3 기판을 가역적으로 접합시키는 단계; 상기 제3 기판과 가역적으로 접합된 상기 UV 경화성 고분자 패턴에 자외선을 조사하는 단계; 상기 제3 기판과 상기 자외선이 조사된 상기 고분자 패턴 사이로 예비중합체(prepolymer)를 유동시켜 상기 제3 기판 상에 예비중합체 패턴을 형성하는 단계; 상기 예비중합체 패턴에 자외선을 조사하여 상기 예비중합체 패턴을 경화하는 단계; 및 상기 경화된 예비중합체 패턴이 형성된 상기 제3 기판으로부터 상기 UV 경화성 고분자 패턴이 형성된 제1 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하는 정전기력을 이용한 미세구조물 형성방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자 패턴은 선형 패턴이고, 상기 예비중합체 패턴은 상기 제3 기판 상에 형성된 선형구조물인 것을 특징으로 정전기력을 이용한 미세구조물 형성방법
12 12
제10 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자 패턴은 기둥 형상의 패턴이고, 상기 예비중합체 패턴은 상기 제3 기판을 부분적으로 노출시키는 홀을 가지는 형상의 구조물인 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세구조물 형성방법
13 13
제10 항에 있어서, 상기 제3 기판이 정전기력에 의하여 상기 UV 경화성 고분자 패턴과 균일하게 접촉할 수 있는 필름타입의 기판인 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세채널 형성방법
14 14
제10 항에 있어서, 상기 제3 기판이 금(Au) 또는 실리콘, 또는 글라스를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세구조물 형성방법
15 15
제10 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자 패턴과 제3 기판을 접촉시키기 전에 상기 고분자 패턴과 상기 제3 기판의 가역적 접합을 촉진시키기 위하여 상기 제3 기판 상에 플라즈마 처리를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세구조물 형성방법
16 16
제10 항에 있어서, 상기 UV 경화성 고분자 패턴에 대한 자외선 조사에 의하여 상기 예비 중합체 패턴과 가교결합할 수 있는 UV 경화성 고분자 패턴 내의 UV활성화그룹이 제거되는 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세구조물 형성방법
17 17
제10 항에 있어서, 상기 예비중합체 패턴에 대한 자외선 조사에 의한 상기 예비중합체 패턴과 상기 제3 기판 사이의 결합력이 상기 제3 기판과 가역적으로 접합된 상기 UV 경화성 고분자패턴에 대한 자외선 조사에 의한 제3 기판과 상기 UV 경화성 고분자 패턴 사이의 결합력보다 큰 것을 특징으로 하는 정전기력을 이용한 미세구조물 형성방법
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