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박막 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015136210
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 미디엄을 포함하는 솔루션을 형성하는 솔루션 형성 단계; 상기 솔루션을 소정의 베이스 상에 분사하는 분사 단계; 및 상기 산화물 솔루션의 용매를 제거하여 상기 미디엄을 상기 베이스 상에 증착하는 증착 단계; 를 포함하며, 상기 솔루션을 베이스 상에 분사하는 단계는, 분사 장치를 통해 상기 솔루션이 잉크젯 분사되는 잉크젯 분사 단계로 구성되는 박막 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 1/04 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/24 (2006.01.01) H05K 1/09 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/0036(2013.01)
출원번호/일자 1020120146640 (2012.12.14)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1397533-0000 (2014.05.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정한영 대한민국 서울특별시 관악구
2 이정훈 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-1043679-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0112053-00
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0063303-34
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0869276-64
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0133852-34
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0133865-27
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0297169-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 산화물을 포함하는 미디엄을 포함하는 솔루션을 형성하는 솔루션 형성 단계;소정의 베이스(30)를 마련하며, 상기 베이스(30)를 가열하는 단계;상기 솔루션을 상기 베이스(30) 상에 분사하는 분사 단계; 상기 솔루션의 용매를 제거하여 상기 미디엄을 상기 베이스(30) 상에 증착하는 증착 단계; 및상기 미디엄을 환원시켜 전도성 환원물 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 박막 패턴 형성 방법에 있어서,상기 분사 단계는, 분사 장치(10)를 통해 상기 솔루션이 잉크젯 분사되는 잉크젯 분사 단계이고,상기 미디엄에 포함된 전도성 산화물은 그래핀 옥사이드를 포함하며,상기 전도성 환원물 박막은 환원된 그래핀 옥사이드를 포함하고,상기 미디엄을 환원시켜 전도성 환원물 박막을 형성하는 단계는,상기 그래핀 옥사이드를 포함하는 솔루션이 증착된 베이스(30)를 소정의 환원제 함유 용액의 증기에 노출시키는 단계를 포함하며,상기 환원제는 할로겐 원소를 포함하는 박막 패턴 형성 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 잉크젯 분사 단계는,상기 분사 장치(10)와 상기 베이스(30)의 사이의 상대적 위치를 변화시켜 베이스(30) 상에 솔루션 패턴(40)을 형성하는 단계를 포함하는 박막 패턴 형성 방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 분사 장치(10)와 상기 베이스(30) 사이의 상대적 위치 변화는,소정의 구동 장치 및 상기 구동 장치의 동작을 제어하는 제어 장치에 의해서 수행되는 박막 패턴 형성 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 잉크젯 분사 단계는,적어도 제1 잉크젯 분사 단계, 및 제2 잉크젯 분사 단계를 포함하는 박막 패턴 형성 방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 제1 잉크젯 분사 단계와 제2 잉크젯 분사 단계는,상기 베이스(30) 상의 적어도 일 부분에 중첩되게 수행되는 박막 패턴 형성 방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 제1 잉크젯 분사 단계는 상기 베이스(30)에 제1 솔루션을 잉크젯 분사하며,상기 제2 잉크젯 분사 단계는 상기 베이스(30)에 제2 솔루션을 잉크젯 분사하고,상기 제1 솔루션과 제2 솔루션은 동일한 박막 패턴 형성 방법
7 7
청구항 5에 있어서,상기 제1 잉크젯 분사 단계는 상기 베이스(30)에 제1 솔루션을 잉크젯 분사하며,상기 제2 잉크젯 분사 단계는 상기 베이스(30)에 제2 솔루션을 잉크젯 분사하고,상기 제1 솔루션과 제2 솔루션을 서로 상이한 박막 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 분사 장치(10)를 통해 분사되는 산화물 솔루션의 액적은 100 pl/drop 내지 600 pl/drop 의 범위를 갖는 박막 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서,상기 분사 장치(10)를 통해 분사되는 산화물 솔루션의 액적은 200 pl/drop 내지 400 pl/drop 의 범위를 갖는 박막 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 서울대학교 산학협력단 미래유망 융합기술 파이오니아사업 CMOS 분자 이미지 프로세서 개발 융합연구단 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발