맞춤기술찾기

이전대상기술

탄소나노튜브를 포함하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인, 그 제조방법 및 이를 이용하는 박막 트랜스듀서

  • 기술번호 : KST2016001227
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노튜브를 포함하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인, 그 제조방법 및 이를 이용하는 박막 트랜스듀서가 제공된다. 본 발명에 따른 박막 트랜스듀서용 멤브레인은 전극을 포함하는 기판, 상기 기판과 소정 간격으로 이격된 멤브레인을 포함하며, 상기 멤브레인 표면에서의 물질결합에 따라 멤브레인이 변형되는 박막 트랜스듀서용 멤브레인에 있어서, 상기 멤브레인은 절연막; 및 상기 절연막 상에 적층되며, 탄소나노튜브를 포함하는 금속막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01N 27/22 (2006.01.01) G01N 33/543 (2006.01.01) C12Q 1/6876 (2018.01.01) C01B 32/159 (2017.01.01)
CPC G01N 27/22(2013.01) G01N 27/22(2013.01) G01N 27/22(2013.01) G01N 27/22(2013.01) G01N 27/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100089336 (2010.09.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1182966-0000 (2012.09.07)
공개번호/일자 10-2012-0027637 (2012.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20120918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.13)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 정승원 대한민국 서울특별시 관악구
3 자얀티 다스 방글라데시 서울특별시 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손지원 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))
2 김강욱 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0592500-28
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0085341-00
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0621731-38
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.01 수리 (Accepted) 9-1-2012-0035546-86
7 등록결정서
Decision to grant
2012.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0486492-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극을 포함하는 기판, 상기 기판과 소정 간격으로 이격된 멤브레인을 포함하며, 상기 멤브레인 표면에서의 물질결합에 따라 멤브레인이 변형되는 박막 트랜스듀서용 멤브레인에 있어서, 상기 멤브레인은절연막; 및상기 절연막 상에 적층되며, 탄소나노튜브를 포함하는 금속막을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
2 2
전극을 포함하는 기판, 상기 기판과 소정 간격으로 이격된 멤브레인을 포함하며, 상기 멤브레인 표면에서의 물질결합에 따라 멤브레인이 변형되는 박막 트랜스듀서용 멤브레인에 있어서, 상기 멤브레인은절연막; 및상기 절연막 상에 적층된 금속막; 및 상기 금속막 상에 형성된 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 금속성 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
4 4
제 3항에 있어서, 상기 금속성 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
5 5
제 2항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 상기 금속막 상에 어레이 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
6 6
제 4항에 있어서, 상기 단일벽 탄소나노튜브에는 표적물직과 특이적으로 결합할 수 있는 탐침물질이 결합된 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
7 7
제 6항에 있어서, 상기 탐침물질은 단일 스트랜드 DNA이며, 이때 상기 단일벽 탄소나노튜브는 별도의 결합기로 기능화되지 않은 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
8 8
제 7항에 있어서, 상기 단일 스트랜드 DNA가 또 다른 단일 스트랜드 DNA와 혼성화되어 이중 스트랜드 DNA를 형성하는 경우, 상기 이중 스트랜드 DNA는 상기 단일벽 탄소나노튜브로부터 해리되어, 떨어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
9 9
멤브레인을 포함하는 박막 트랜스듀서에 있어서,기판; 및상기 기판과 소정 간격으로 이격되며, 금속막 및 상기 금속막 표면에 형성된 탄소나노튜브를 포함하는 멤브레인을 포함하며, 여기에서 상기 멤브레인은 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
10 10
제 9항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 금속성 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
11 11
제 10항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
12 12
제 9항에 있어서, 상기 멤브레인은 절연막; 상기 절면막 상에 적층된 금속막; 및 상기 금속막 상에 수직 배열된 탄소나노튜브로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
13 13
제 9항에 있어서, 상기 탄소나노튜브에는 표적물질과 특이적으로 결합할 수 있는 탐침물질이 결합하며, 상기 탐침물질과 표적물질 간의 특이적 결합에 따라 상기 탄소나노튜브로부터 결합된 탐침물질과 표적물질은 해리되어, 떨어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
14 14
제 13항에 있어서, 상기 탐침물질은 생물학적 활성물질로서, 단일 스트랜드 DNA인 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
15 15
제 14항에 있어서, 상기 단일 스트랜드 DNA와 탄소나노튜브의 결합에 따라 상기 멤브레인은 위로 휘어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
16 16
제 15항에 있어서, 상기 단일 스트랜드 DNA와 또 다른 단일 스트랜드 DNA의 상보적 혼성화에 따라, 위로 휘었던 상기 멤브레인은 다시 평탄한 상태를 회복하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 서울대학교 산학협력단 미래유망 융합기술 파이오니아사업 CMOS 분자 이미지 프로세서 개발 융합연구단 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발