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트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법

  • 기술번호 : KST2016001228
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 하나 이상의 홀이 형성된 다공 부재(perforated structure) 형상의 변형 발생부를 경계로 하여 제1 액체 및 제2 액체를 제공하고, 상기 액체들 간의 작용에 의해 외부 압력의 영향을 제거한 트랜스듀서 및 트랜스듀서 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/22 (2006.01.01) G01R 27/26 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100092282 (2010.09.20)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1182969-0000 (2012.09.07)
공개번호/일자 10-2012-0030649 (2012.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.20)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 최준규 대한민국 서울특별시 관악구
3 박진혁 대한민국 경기도 시흥시 월곶중앙로번길
4 신재하 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손지원 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))
2 김강욱 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0610970-86
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0086949-16
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0644775-19
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0701139-73
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0516461-91
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표적물질(analyte)이 표면에 결합함으로써 인가되는 힘을 측정하는 트랜스듀서에 있어서, 챔버(chamber)와,상기 챔버를 제1 영역과 제2 영역으로 분리하고, 상기 제1 영역에 접하는 면에 상기 표적물질과의 결합을 위한 결합층이 제공되고, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 관통시키는 한 개 이상의 홀(hole)을 포함한 다공성 부재 형상의 변형 발생부와,상기 변형 발생부의 변형량을 측정하는 변형량 측정 부재와,상기 제1 영역에 제공되고 표적물질을 포함하는 제1 액체와,상기 제2 영역에 제공되고 상기 홀 근처에서 상기 제1 액체와 계면을 형성하는 제2 액체를 포함하고,상기 변형 발생부는 상기 결합층에 상기 표적물질이 결합함에 따라 탄성변형이 발생하는, 트랜스듀서
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 액체는 친수성(hydrophilic)의 특징을 갖고, 상기 제2 액체는 소수성(hydrophobic)의 특징을 갖는,트랜스듀서
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제2 액체는 실리콘 오일(silicone oil)인,트랜스듀서
4 4
청구항 1에 있어서,상기 변형 발생부는 Parylene 재질인,트랜스듀서
5 5
청구항 1에 있어서,상기 변형 발생부는 상기 제1 영역과 접하는 면은 친수성이 되도록 표면처리되어 있고, 상기 제2 영역과 접하는 면은 소수성이 되도록 표면처리되어 있는,트랜스듀서
6 6
청구항 1에 있어서,상기 결합층은 Au인,트랜스듀서
7 7
청구항 1에 있어서,상기 변형량 측정 부재는,상기 변형 발생부의 상기 제2 영역과 접하는 면에 제공되는 상부 전극과, 상기 제2 영역 내에 고정되어 상기 상부 전극과 정전 용량(capacitance)를 형성하도록 제공되는 하부 전극을 포함하고, 상기 변형 발생부의 변형에 따라 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 간의 정전 용량을 측정하는,트랜스듀서
8 8
청구항 1에 있어서,상기 변형량 측정 부재는,상기 변형 발생부와의 거리를 측정하는 광학 센서를 포함하고,상기 변형 발생부의 변형에 따라 상기 광학 센서와 상기 변형 발생부와의 거리를 측정하는,트랜스듀서
9 9
표적물질이 표면에 결합함으로써 인가되는 힘을 측정하는 트랜스듀서에 있어서, 챔버(chamber)와,기판과,상기 챔버를 제1 영역과 제2 영역으로 분리하고, 상기 제1 영역에 접하는 면에 상기 표적물질과의 결합을 위한 결합층이 제공되고, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역을 관통시키는 한 개 이상의 홀(hole)을 포함하여 상기 기판 상에 제공되는 다공성 부재 형상의 변형 발생부와,상기 변형 발생부의 변형량을 측정하는 변형량 측정 부재와,상기 제1 영역에 제공되고 표적물질을 포함하는 제1 액체와,상기 제2 영역에 제공되고 상기 홀 근처에서 상기 제1 액체와 계면을 형성하는 제2 액체를 포함하고,상기 변형 발생부는 상기 결합층에 상기 표적물질이 결합함에 따라 탄성변형이 발생하는, 트랜스듀서
10 10
기판(substrate)에 절연층을 증착(nitride deposition)시키는 단계와,상기 절연층의 상부에 하부 전극을 형성하는 단계와,상기 절연층의 일부 및 상기 하부 전극의 일부를 덮는 희생층을 형성하는 단계와,상기 희생층의 상부까지 연장되고, 상기 하부 전극과 이격되도록 상부 전극을 형성하는 단계와,상기 희생층을 덮도록 변형 발생부를 형성하는 단계와,상기 변형 발생부의 상부에 결합층을 형성하는 단계와,상기 결합층, 상기 변형 발생부 및 상기 상부 전극을 동시에 관통하는 홀(hole)을 형성하는 단계와,상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는,트랜스듀서의 제조방법
11 11
기판(substrate)에 상부에 하부 전극을 형성하는 단계와,상기 기판의 일부 및 상기 하부 전극의 일부를 덮는 희생층을 형성하는 단계와,상기 희생층의 상부까지 연장되고, 상기 하부 전극과 이격되도록 상부 전극을 형성하는 단계와,상기 희생층을 덮도록 변형 발생부를 형성하는 단계와,상기 변형 발생부 및 상기 상부 전극을 동시에 관통하는 홀(hole)을 형성하는 단계와,상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는,트랜스듀서의 제조방법
12 12
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 기판은 낮은 저항성을 갖는 실리콘 재질인 것을 특징으로 하는,트랜스듀서의 제조방법
13 13
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 하부 전극(33) 및 상기 상부 전극(31)은 Au 재질로 구성된,트랜스듀서의 제조방법
14 14
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 희생층이 제거된 상기 변형 발생부의 내부에 실리콘 오일을 채워넣는 단계를 더 포함하는,트랜스듀서의 제조방법
15 15
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 변형 발생부는 Parylene 재질인 것을 특징으로 하는,트랜스듀서의 제조방법
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1 한국과학재단 서울대학교 산학협력단 미래유망 융합기술 파이오니아사업 CMOS 분자 이미지 프로세서 개발 융합연구단 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발