요약 | 본 발명은 반도체 메모리 소자의 동작에 필요한 네가티브 전압을 생성하는 반전전하펌프에 관한 것으로, 더 상세하게는 반전전하펌프에 전압조정기를 추가하여 출력전압을 용이하게 조절할 수 있는 반전전하펌프에 관한 것이다. 본 발명에 따른 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프(inverting charge pump)에 의하면 반전전하펌프에 전압조정기를 추가하여 시스템에 공급되는 전압을 변경하지 않고 전압조정기의 출력전압을 조정함으로써 최종 출력전압인 네거티브 전압을 용이하게 조정할 수 있는 효과가 있다. 네거티브 전압, 반전전하펌프, 전압조정기 |
---|---|
Int. CL | G11C 5/14 (2006.01.01) G05F 3/24 (2006.01.01) |
CPC | G11C 5/145(2013.01) G11C 5/145(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070108628 (2007.10.29) |
출원인 | 주식회사 실리콘웍스, 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0913527-0000 (2009.08.17) |
공개번호/일자 | 10-2009-0043021 (2009.05.06) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20090821) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | 심판사항 |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.10.29) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 주식회사 실리콘웍스 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 노정진 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
2 | 김인석 | 대한민국 | 서울 구로구 |
3 | 한대근 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
4 | 오형석 | 대한민국 | 충북 청주시 흥덕구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이철희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 주식회사 실리콘웍스 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 경기도 안산시 상록구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0771592-13 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.05.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.06.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0037919-21 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0594964-23 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.01.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0025451-11 |
7 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2009.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0229408-33 |
8 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2009.07.06 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2009-0033255-07 |
9 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0318804-76 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.02.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5026895-82 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.01.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5016783-22 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0059858-30 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.10.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5212820-95 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 제어전압(V1)에 응답하여 기준전압(VGH)으로부터 조정전압(Vreg)을 생성하는 전압조정기; 및 상기 조정전압(Vreg)의 정수배의 네거티브 전압을 출력하는 전하펌프부를 구비하고, 상기 전압조정기는, 상기 기준전압(VGH)과 접지전압 사이에서 동작하고 제1입력단자에 상기 제어전압(V1)이 인가되는 연산증폭기; 제1단자가 상기 기준전압(VGH)에 연결되고 게이트에 상기 연산증폭기의 출력단자가 연결되는 모스트랜지스터(M0); 제1단자가 상기 모스트랜지스터(M0)의 제2단자에 연결되는 제1저항(R1); 및 제1단자가 상기 제1저항의 제2단자에 연결되고 제2단자는 접지전압에 연결되는 제2저항(R2)을 구비하고 상기 제1저항(R1)과 상기 제2저항(R2)의 공통단자가 상기 연산증폭기의 제2단자에 연결되고, 상기 모스트랜지스터(M0)와 상기 제1저항의 공통단자로부터 상기 조정전압(Vreg)이 출력되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 전하펌프부는, 상기 조정전압(Vreg)을 반전시킨 제1출력전압(Vo1)을 생성하는 제1전하펌프회로; 및 상기 제1출력전압(Vo1)을 정수배 승압시킨 제2출력전압(Vo2)을 생성하는 제2전하펌프회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
4 |
4 제3항에 있어서, 상기 제1전하펌프회로는, 제1단자에 상기 조정전압(Vreg)이 인가되는 제1스위치소자(S1); 제1단자가 상기 제1스위치소자(S1)의 제2단자에 연결되고 제2단자는 접지되어 있는 제2스위치소자(S2); 제1단자가 상기 제1스위치소자(S1)의 제2단자 및 상기 제2스위치소자(S2)의 제1단자에 공통으로 연결되는 제1커패시터(C1); 제1단자가 상기 제1커패시터(C1)의 제2단자에 연결되고 제2단자는 접지되어 있는 제3스위치소자(S3); 제1단자가 상기 제1커패시터(C1)의 제2단자에 연결되고 제2단자가 상기 제1출력전압(Vo1)을 출력하는 제1출력전압노드에 연결되는 제4스위치소자(S4); 및 제1단자가 상기 제4스위치소자(S4)의 제2단자 및 제1출력전압노드에 공통으로 연결되고 제2단자는 접지되어 있는 제2커패시터(C2)를 구비하며, 상기 제1스위치소자 및 상기 제3스위치소자는 제1클럭신호에 응답하여 동작하고, 상기 제2스위치소자 및 상기 제4스위치소자는 제2클럭신호에 응답하여 동작하며, 상기 제1클럭신호 및 상기 제2클럭신호는 투페이스(Two Phase) 신호인 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
5 |
5 제4항에 있어서, 상기 제1전하펌프회로는, 상기 제1커패시터(C1)의 충전모드 시 상기 제1스위치소자 및 상기 제3스위치소자가 턴 온 되고, 상기 제2스위치소자 및 상기 제4스위치소자가 턴 오프 되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
6 |
6 제4항에 있어서, 상기 제1전하펌프회로는, 상기 제1출력전압의 출력모드 시 상기 제1스위치소자 및 상기 제3스위치소자가 턴 오프 되고 상기 제2스위치소자 및 상기 제4스위치소자가 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
7 |
7 제3항에 있어서, 상기 제2전하펌프회로는, 제1단자가 접지되어 있는 제5스위치소자(S5); 제1단자가 상기 제5스위치소자의 제2단자에 연결되고 제2단자에 상기 제1출력전압이 인가되는 제6스위치소자(S6); 제1단자가 상기 제5스위치소자의 제2단자 및 상기 제6스위치소자의 제1단자에 공통으로 연결되는 제3 커패시터(C3); 제1단자가 상기 제3 커패시터의 제2단자에 연결되고 제2단자에 상기 제1출력전압이 인가되는 제7스위치소자(S7); 제1단자가 상기 제3커패시터의 제2단자에 연결되고 제2단자가 상기 제2출력전압(Vo2)을 출력하는 제2출력전압노드에 연결되는 제8스위치소자(S8); 및 제1단자가 상기 제8스위치소자의 제2단자 및 상기 제2출력전압노드에 공통으로 연결되고 제2단자에 상기 제1출력전압(Vo1)이 인가되는 제4커패시터(C4)를 구비하며, 상기 제5스위치소자 및 상기 제7스위치소자는 제1클럭신호에 응답하여 동작하고, 상기 제6스위치소자 및 상기 제8스위치소자는 제2클럭신호에 응답하여 동작하며, 상기 제1클럭신호 및 상기 제2클럭신호는 투페이스(Two Phase) 신호인 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 제2전하펌프회로는, 상기 제3커패시터의 충전모드 시에는 상기 제5스위치소자 및 상기 제7스위치소자가 턴 온 되고 상기 제6스위치소자 및 상기 제8스위치소자가 턴 오프 되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
9 |
9 제7항에 있어서, 상기 제2전하펌프회로는, 상기 제2출력전압의 출력모드 시에는 상기 제5스위치소자 및 상기 제7스위치소자가 턴 오프 되고 상기 제6스위치소자 및 상기 제8스위치소자가 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
10 |
10 제3항에 있어서, 상기 제1전하펌프회로는, 제1단자가 상기 조정전압에 연결되고 게이트에 제1클럭신호가 인가되는 제1모스트랜지스터(M1); 제1단자가 상기 제1모스트랜지스터의 제2단자에 연결되고 제2단자는 접지되어 있고 게이트에 제2클럭신호가 인가되는 제2 모스트랜지스터(M2); 제1단자가 상기 제1모스트랜지스터의 제2단자 및 상기 제2모스트랜지스터의 제1단자에 공통으로 연결되는 제1 커패시터(C1); 제1단자가 상기 제1 커패시터의 제2단자에 연결되고 제2단자는 접지되어 있고 게이트에 상기 제1클럭신호가 인가되는 제3모스트랜지스터(M3); 제1단자가 상기 제3모스트랜지스터의 상기 제1단자 및 제1 커패시터의 제2 단자에 공통으로 연결되고 제2단자는 접지되어 있고 게이트에 상기 제1클럭신호의 반전된 신호가 인가되는 제4모스트랜지스터(M4); 제1단자가 상기 제1 커패시터의 제2단자에 연결되고 제2단자가 상기 제1출력전압을 출력하는 제1출력전압노드에 연결되고 게이트에 상기 제1클럭신호가 인가되는 제5모스트랜지스터(M5); 및 제1단자가 상기 제5모스트랜지스터의 제2단자 및 상기 제1출력전압노드에 공통으로 연결되고 제2단자는 접지되어 있는 제2 커패시터(C2)를 구비하며, 상기 제1클럭신호 및 상기 제2클럭신호는 투페이스(Two Phase) 신호인 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
11 |
11 제10항에 있어서, 상기 제1전하펌프회로는 상기 제1 커패시터의 충전모드 시 상기 제1모스트랜지스터, 상기 제3모스트랜지스터 및 상기 제4모스트랜지스터가 턴 온 되며 상기 제2모스트랜지스터 및 상기 제5모스트랜지스터가 턴 오프 되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
12 |
12 제10항에 있어서, 상기 제1전하펌프회로는 상기 제1 출력전압의 출력모드 시 상기 제1모스트랜지스터, 상기 제3모스트랜지스터 및 상기 제4모스트랜지스터가 턴 오프 되며 상기 제2모스트랜지스터 및 상기 제5모스트랜지스터가 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
13 |
13 제3항에 있어서, 상기 제2전하펌프회로는, 제1단자가 접지되어 있고 게이트에 제1클럭신호가 인가되는 제6모스트랜지스터(M6); 제1단자가 상기 제6모스트랜지스터의 제2단자에 연결되고 제2단자는 제1 출력전압에 연결되어 있고 게이트에 제2클럭신호가 인가되는 제7모스트랜지스터(M7); 제1단자가 상기 제6모스트랜지스터의 제2단자 및 상기 제7모스트랜지스터의 제1단자에 공통으로 연결되는 제3 커패시터(C3); 제1단자가 상기 제3 커패시터의 제2단자에 연결되고 제2단자는 제1 출력전압에 연결되어 있고 게이트에 상기 제1클럭신호가 인가되는 제8모스트랜지스터(M8); 제1단자가 상기 제8모스트랜지스터의 상기 제1단자 및 제3 커패시터의 제2단자에 공통으로 연결되고 제2단자는 상기 제1 출력전압에 연결되어 있고 게이트에 상기 제1클럭신호의 반전된 신호가 인가되는 제9모스트랜지스터(M9); 제1단자가 상기 제3 커패시터의 제2단자에 연결되고 제2단자가 제2출력전압노드에 연결되고 게이트에 상기 제1클럭신호가 인가되는 제10모스트랜지스터(M10);및 제1단자가 상기 제10모스트랜지스터의 제2단자 및 상기 제2출력전압노드에 공통으로 연결되고 제2단자는 제1 출력전압에 연결되어 있는 제4 커패시터(C4)를 구비하며, 상기 제1클럭신호 및 상기 제2클럭신호는 투페이즈(Two Phase) 신호인 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
14 |
14 제13항에 있어서, 상기 제2전하펌프회로는 상기 제3 커패시터의 충전모드 시 상기 제6모스트랜지스터, 상기 제8모스트랜지스터 및 상기 제9모스트랜지스터가 턴 온 되며 상기 제7모스트랜지스터 및 제10모스트랜지스터가 턴 오프 되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
15 |
15 제13항에 있어서, 상기 제2전하펌프회로는 상기 제2 출력전압의 출력모드 시 상기 제6모스트랜지스터, 상기 제8모스트랜지스터 및 상기 제9모스트랜지스터가 턴 오프 되며 상기 제7모스트랜지스터 및 상기 제10모스트랜지스터가 턴 온 되는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
16 |
16 제1항에 있어서, 상기 기준전압(VGH)을 생성하는 전압 승압용 DC-DC 컨버터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 |
17 |
17 삭제 |
18 |
18 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 산업자원부 | 인하대학교 | SYSTEM2010 | 선행핵심 IP 개발 및 플랫폼 개발 |
특허 등록번호 | 10-0913527-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20071029 출원 번호 : 1020070108628 공고 연월일 : 20090821 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090731 청구범위의 항수 : 4 유별 : G11C 5/14 발명의 명칭 : 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 주식회사 실리콘웍스 대전광역시 유성구... |
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
2 |
(의무자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
2 |
(권리자) 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2009년 08월 18일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 370,000 원 | 2012년 08월 17일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 444,000 원 | 2013년 09월 12일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 89,600 원 | 2014년 08월 12일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 252,000 원 | 2015년 06월 04일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 252,000 원 | 2016년 06월 08일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 252,000 원 | 2017년 06월 21일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 460,000 원 | 2018년 06월 04일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 460,000 원 | 2019년 06월 03일 | 납입 |
제 12 년분 | 금 액 | 460,000 원 | 2020년 06월 09일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0771592-13 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.05.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2008.06.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0037919-21 |
5 | 의견제출통지서 | 2008.11.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0594964-23 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.01.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0025451-11 |
7 | 거절결정서 | 2009.05.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0229408-33 |
8 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2009.07.06 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2009-0033255-07 |
9 | 등록결정서 | 2009.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0318804-76 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.02.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5026895-82 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.01.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5016783-22 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0059858-30 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.10.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5212820-95 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345096931 |
---|---|
세부과제번호 | 핵06A1718 |
연구과제명 | 차세대이동통신용다중모드그리드액세스릴레이기술개발팀 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1410055641 |
---|---|
세부과제번호 | 반도체16 |
연구과제명 | 선행핵심IP개발및플랫폼개발(고성능Display용IC의핵심IP개발) |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 인하대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200509~200608 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020090073394] | 전하 펌프 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020070120548] | 노이즈에 강한 기준 전압 발생 회로 | 새창보기 |
[1020070108628] | 출력전압을 조절할 수 있는 반전전하펌프 | 새창보기 |
[1020070084133] | 비제로 복귀 신호에서 비트의 천이점을 추출하는 회로와이를 이용한 위상 잠금 클록 복원 회로 및 상기 회로를제어하는 방법. | 새창보기 |
[1020070083379] | 기준전압 발생 장치 및 방법, 그리고 그것을 포함하는집적회로 장치 | 새창보기 |
[1020070071752] | 온도 및 전압 레벨의 변화를 보정한 전류 감지 장치 | 새창보기 |
[1020070047993] | 데이터라인 리던던시 회로 | 새창보기 |
[1020070035805] | 레벨 시프터 회로 | 새창보기 |
[1020070016642] | 확산비율 조절가능 대역 확산 클록 발생기 | 새창보기 |
[KST2016014796][한양대학교] | 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로 및 이에 있어서 감지 방법(SENSING CIRCUIT OF A MAGNETRORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND SENSING METHOD IN THE SAME) | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2016018405][경희대학교 국제캠퍼스] | 메모리 장치 및 그 동작 방법(MEMORY APPARATUS AND METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[KST2016018114][경희대학교 국제캠퍼스] | 메모리, 방사능 환경에서 메모리의 동작 방법, 전력제어 장치 및 전력제어 방법(MEMORY, OPERATION METHOD OF MEMORY, POWER CONTROL DEVICE AND POWER CONTROL METHOD IN SPACE RADIATION ENVIRONMENT) | 새창보기 |
[KST2015016895][창원대학교] | 저전압 밴드갭 기준전압 발생기 | 새창보기 |
[KST2015162484][경북대학교] | 표준 로직 공정용 승압회로 | 새창보기 |
[KST2016019690][서울대학교] | 메모리 셀의 리프레시 상태를 유지하기 위한 메모리 리프레시 장치(MEMORY REFRESH APPARATUS FOR MAINTAING REFRESH STATUS OF MEMORY CELL) | 새창보기 |
[KST2014053876][성균관대학교] | 듀얼 전하펌프 | 새창보기 |
[KST2014036146][성균관대학교] | 전압모드드라이버의수신기에서사용되는결정궤환등화기블록및이결정궤환등화기블럭을사용하는수신기 | 새창보기 |
[KST2015231178][한양대학교 에리카캠퍼스] | 고전압 발생 장치(HIGH VOLTAGE GENERATOR) | 새창보기 |
[KST2014052532][서강대학교] | 전력 증폭기의 행동 모델링 장치 및 방법 | 새창보기 |
[KST2015112557][한국과학기술원] | 전원 전압 제어 및 파워 게이팅(powergating)을 이용한 누설 전류 감소 방법 및 그방법을 이용한 반도체 장치. | 새창보기 |
[KST2016017748][연세대학교] | 전력 관리를 수행하는 반도체 장치 및 그 동작 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE MANAGING POWER BUDGET AND OPERATING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[KST2015008400][경희대학교 국제캠퍼스] | SOI 로직 회로의 바이어스 회로 | 새창보기 |
[KST2017009677][한국과학기술원] | 비휘발성 메모리 소자 및 그의 데이터 센싱 방법(NONVOLATILE MEMORY CEVICE AND ITS DATA SENSING METHOD) | 새창보기 |
[KST2014009907][한양대학교 에리카캠퍼스] | 노이즈에 강한 기준 전압 발생 회로 | 새창보기 |
[KST2015070525][] | 변환 장치 및 그의 제어 방법 | 새창보기 |
[KST2014031495][한국발명진흥회] | 금속-절연체 전이(MIT) 소자를 구비한 대전류 제어회로,그 대전류 제어회로를 포함하는 시스템 | 새창보기 |
[KST2019002388][서울대학교] | 임피던스 조절 회로 및 이를 포함하는 집적 회로 | 새창보기 |
[KST2014067098][국민대학교] | 상보성 멤리스터 어레이의 누설전류를 줄이기 위한 2단계 쓰기 회로 | 새창보기 |
[KST2014012419][한국과학기술원] | 메모리 어레이의 구동방법 | 새창보기 |
[KST2016014539][경북대학교] | 반도체 메모리 장치(Semiconductor Memory Device) | 새창보기 |
[KST2014059918][한양대학교] | 메모리의 감지 증폭회로 | 새창보기 |
[KST2016019581][포항공과대학교 산학협력단] | 리퀴지 전류를 이용한 저전력 밴드갭 기준전압 발생 회로(A LEAKAGE-BASED STARTUP-FREE BANDGAP REFERENCE GENERATOR) | 새창보기 |
[KST2016020166][한양대학교 에리카캠퍼스] | 반도체 메모리 장치의 프리차지 제어 회로 및 방법(Method and Circuit for Controlling Precharge of Semiconductor Memory Device) | 새창보기 |
[KST2014007751][한국과학기술원] | 저전력 고속 반도체 소자 | 새창보기 |
[KST2015012939][연세대학교] | 전압 레귤레이터, 그것의 동작 방법, 및 그것을 포함하는 동적 전압 및 주파수 스케일링 시스템 | 새창보기 |
[KST2016006797][고려대학교] | 기준 전압 발생기를 포함하는 메모리 장치(MEMORY DEVICE INCLUDING REFERENCE VOLTAGE GENERATOR) | 새창보기 |
[KST2014035670][성균관대학교] | 임피던스 매칭 및 프리앰퍼시스를 위한 전압 조절기, 임피던스 매칭 및 프리앰퍼시스를 위한 전압 조절 방법, 이 전압 조절기를 포함하는 전압모드 드라이버 및 이 전압 조절 방법을 이용하는 전압모드 드라이버 | 새창보기 |
[KST2016010889][서울대학교] | 반도체 장치 및 그 동작 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[KST2015083069][한국전자통신연구원] | 스타트 업 회로 및 그것을 구비한 밴드갭 기준전압 발생기 | 새창보기 |
번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
---|---|---|---|---|---|
1 | 2009101005866 | 2009원5866 | 2007년 특허출원 제0108628호 거절결정불복심판 | 2009.06.25 | 2009.07.31 |