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ALD 공정을 이용한 박막을 제조하기 위해,
선구 물질 주입, 퍼지 가스 주입, 플라즈마 유입, 및 퍼지 가스 주입을 1 사이클로 2회 이상 수행하며,
전체 사이클을 기판에 흡착되는 선구 물질이 과포화하는 초기 단계와, 포화 상태를 유지하는 후기 단계의 두 단계로 구분하여 수행하되,
상기 초기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간은 후기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간에 대해 2∼10배로 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
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제1항에 있어서,
상기 선구 물질은 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택되어 이루어지는 금속 물질로 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
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제1항에 있어서,
상기 선구 물질은 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택되어 이루어지는 비금속 물질로 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
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삭제
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제1항에 있어서,
상기 초기 단계와 후기 단계는 동일한 기판 온도를 유지하면서 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
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7
제6항에 있어서,
상기 초기 단계와 후기 단계는 기판의 온도가 50℃∼500℃의 범위에서 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
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8
제1항에 있어서,
상기 흡착되는 선구 물질의 두께가 50Å∼1000Å가 되도록 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
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9
제1항에 있어서,
상기 초기 단계의 기판 온도는 후기 단계의 기판 온도에 대해 100℃ 이하의 온도차를 갖는 범위 내에서 높게 설정하여 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
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ALD 공정을 이용한 박막을 제조하기 위해,
선구 물질 주입, 퍼지 가스 주입, 플라즈마 유입 및 퍼지 가스 주입을 1 사이클로 2회 이상 수행하며,
전체 공정은 기판에 흡착되는 선구 물질이 과포화하는 초기 단계와, 포화 상태를 유지하는 후기 단계의 두 단계로 구분하여 수행하되,
상기 초기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간은 후기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간에 대해 2~10배로 수행하고,
상기 선구 물질은 금속 또는 비금속의 단일 원소 또는 복합 원소를 포함하고,
상기 ALD 공정의 초기 단계와 후기 단계는 50℃∼500℃의 기판 온도에서 선구 물질의 흡착 두께가 50Å∼1000Å을 유지하도록 수행하되, 이때 초기 단계의 기판 온도는 후기 단계의 기판 온도와 비교하여 동일하거나, 100℃ 이하의 온도차 범위로 높게 설정된 온도에서 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
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