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에이엘디법을 이용한 금속 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015141233
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자층 증착 방법을 통해 금속 박막을 형성시키기 위해 선구 물질이 흡착되는 기판의 과포화상태를 유도하여 리간드 분해시 유입되는 플라즈마의 영향을 감안하여 선구 물질의 노출 시간을 달리하는 단계를 포함시켜 선구 물질의 포화 반응을 효과적으로 일어나게 도와주는 공정을 실시하도록 하는 ALD법을 이용한 금속 박막 형성 방법을 제공하는데 그 특징이 있다. 또한, 본 발명은 원자층 증착법을 이용한 박막의 증착에서 초기 공정을 달리하여 금속 또는 비금속 물질의 증착율을 향상시키는데 있다. 또한, 본 발명은 얇은 두께에서도 우수한 전기적 특성을 유지할 수 있도록 적절한 플라즈마 유입으로 불순물을 용이하게 제거시키는데 있다. 또한, 본 발명은 선구 물질의 종류에 따른 포화 시간과 가스 유량 등을 적절히 체크하여 효과적으로 수행하는데 있다. 원자층, 증착율, 플라즈마, ALD
Int. CL C23C 16/06 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01)
CPC C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01) C23C 16/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070102394 (2007.10.11)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0947098-0000 (2010.03.04)
공개번호/일자 10-2008-0033103 (2008.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20100310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060098795   |   2006.10.11
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.11)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기 남양주시
2 고명균 대한민국 서울 성동구
3 김범용 대한민국 서울 관악구
4 김웅선 대한민국 서울 강동구
5 문준호 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0728785-20
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0347978-70
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0638630-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0638625-70
6 등록결정서
Decision to grant
2010.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0065983-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
ALD 공정을 이용한 박막을 제조하기 위해, 선구 물질 주입, 퍼지 가스 주입, 플라즈마 유입, 및 퍼지 가스 주입을 1 사이클로 2회 이상 수행하며, 전체 사이클을 기판에 흡착되는 선구 물질이 과포화하는 초기 단계와, 포화 상태를 유지하는 후기 단계의 두 단계로 구분하여 수행하되, 상기 초기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간은 후기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간에 대해 2∼10배로 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 선구 물질은 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택되어 이루어지는 금속 물질로 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 선구 물질은 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택되어 이루어지는 비금속 물질로 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 초기 단계와 후기 단계는 동일한 기판 온도를 유지하면서 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 초기 단계와 후기 단계는 기판의 온도가 50℃∼500℃의 범위에서 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 흡착되는 선구 물질의 두께가 50Å∼1000Å가 되도록 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 초기 단계의 기판 온도는 후기 단계의 기판 온도에 대해 100℃ 이하의 온도차를 갖는 범위 내에서 높게 설정하여 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
10 10
삭제
11 11
ALD 공정을 이용한 박막을 제조하기 위해, 선구 물질 주입, 퍼지 가스 주입, 플라즈마 유입 및 퍼지 가스 주입을 1 사이클로 2회 이상 수행하며, 전체 공정은 기판에 흡착되는 선구 물질이 과포화하는 초기 단계와, 포화 상태를 유지하는 후기 단계의 두 단계로 구분하여 수행하되, 상기 초기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간은 후기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간에 대해 2~10배로 수행하고, 상기 선구 물질은 금속 또는 비금속의 단일 원소 또는 복합 원소를 포함하고, 상기 ALD 공정의 초기 단계와 후기 단계는 50℃∼500℃의 기판 온도에서 선구 물질의 흡착 두께가 50Å∼1000Å을 유지하도록 수행하되, 이때 초기 단계의 기판 온도는 후기 단계의 기판 온도와 비교하여 동일하거나, 100℃ 이하의 온도차 범위로 높게 설정된 온도에서 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.