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비휘발성 자기 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015141529
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 터널링 접합(MTJ)를 이용한 비휘발성 자기 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 메모리 소자는 순차 적층된 자기고정층, 비자성 절연층 및 자기자유층을 포함하는 자기 터널링 접합(MTJ)을 데이터 저장부로서 사용하는 비휘발성 자기 메모리 소자로서, 상기 자기자유층은 코발트(Co) 또는 코발트계 합금으로 이루어진 연자성 물질에 지르코늄(Zr)이 첨가된 하나 이상의 연자성 비정질 합금층을 포함한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 27/224(2013.01) H01L 27/224(2013.01) H01L 27/224(2013.01) H01L 27/224(2013.01) H01L 27/224(2013.01)
출원번호/일자 1020120063366 (2012.06.13)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0139692 (2013.12.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박완준 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0471025-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0075480-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0342710-02
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0705953-02
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0705914-21
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0814638-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
순차 적층된 자기고정층, 비자성 절연층 및 자기자유층을 포함하는 자기 터널링 접합(MTJ)을 데이터 저장부로서 사용하는 비휘발성 자기 메모리 소자로서, 상기 자기자유층은 코발트(Co) 또는 코발트계 합금으로 이루어진 연자성 물질에 지르코늄(Zr)이 첨가된 하나 이상의 연자성 비정질 합금층 및 상기 비자성 절연층과 상기 연자성 비정질 합금층 사이에 비자성 금속층을 포함하는 이중층을 갖는 적층 구조를 포함하며,상기 적층 구조는 상기 비자성 절연층 상에서 상기 이중층이 복수회 반복 적층되어 복수의 연자성 비정질 합금층들이 서로 자기적으로 결합되는 비휘발성 자기 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 연자성 비정질 합금층은 CoZr 및 CoFeZr중 어느 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 비휘발성 자기 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 연자성 비정질 합금층 내의 상기 지르코늄 함량은 5 원자% 내지 40 원자%의 범위 내인 것을 특징으로 하는 비휘발성 자기 메모리 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 연자성 비정질 합금층은 임계 두께 미만에서는 수직자화 구동되고 상기 임계 두께를 초과하는 두께에서는 수평자화 구동되며, 상기 임계 두께는 0
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 비자성 금속층은, Rh, Hf, Pd, Pt, Ta, Os, Ge, Ir, Au, 및 Ag 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 자기 메모리 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 비자성 금속층의 두께(T1)에 대한 상기 연자성 비정질 합금층의 두께(T2)의 비(T2/T1)는, 0
8 8
삭제
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 자기고정층은 수직자화된 것을 특징으로 하는 비휘발성 자기 메모리 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 자기자유층 상에 추가 적층된 비자성 절연층 및 자기고정층을 더 포함하여, 대칭적 MTJ 구조를 포함하는 비휘발성 자기 메모리 소자
11 11
제 1 항에 있어서,상기 MTJ에 직렬 연결된 다이오드를 포함하며, 상기 MTJ 및 상기 다이오드는 제 1 방향 및 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 배열되고, 상기 MTJ 중 상기 제 1 방향으로 배열된 MTJ의 일단은 제 1 배선에 연결되고, 상기 다이오드 중 상기 제 2 방향으로 배열된 다이오드의 타단은 제 2 배선에 연결되어 어드레싱되는 비휘발성 자기 메모리 소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 다이오드는 양방향 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 자기 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09006848 US 미국 FAMILY
2 US20130334632 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013334632 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9006848 US 미국 DOCDBFAMILY
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