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플래시 메모리 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015141572
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플래시 메모리 소자 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 플래시 메모리 소자는 기판, 상기 기판 상에 배치된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 배치된 플로팅 게이트, 상기 플로팅 게이트의 상부면 및 측면 상에 배치된 게이트간 절연막, 및 상기 게이트간 절연막 상에 배치된 제어 게이트를 구비한다. 상기 게이트간 절연막은 상기 플로팅 게이트의 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두껍다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020120113982 (2012.10.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0047818 (2014.04.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 강남구
2 유주형 대한민국 서울 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0833434-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 배치된 다수 개의 플로팅 게이트들;상기 플로팅 게이트의 상부면 및 측면 상에 배치되되, 상기 플로팅 게이트의 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두꺼운 게이트간 절연막; 및상기 게이트간 절연막 상에 배치된 제어 게이트를 포함하는 플래시 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트간 절연막은 상기 플로팅 게이트의 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트들 사이에서의 두께에 비해 두꺼운 플래시 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 게이트간 절연막은 적어도 두 층의 블로킹 절연막들을 구비하고, 상기 블로킹 절연막들 중 한 층은 상기 플로팅 게이트의 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두꺼운 플래시 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 플로팅 게이트의 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두꺼운 블로킹 절연막은, 나머지 블로킹 절연막에 비해 유전율이 높은 플래시 메모리 소자
5 5
제3항에 있어서,상기 게이트간 절연막은 적어도 제1 블로킹 절연막, 제2 블로킹 절연막, 및 제3 블로킹 절연막을 구비하고,상기 제2 블로킹 절연막은 상기 플로팅 게이트의 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두꺼운 플래시 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서,상기 제2 블로킹 절연막은 상기 제1 및 제2 블로킹 절연막들에 비해 유전율이 높은 플래시 메모리 소자
7 7
제6항에 있어서,상기 각 블로킹 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막(SiNx), 알루미늄 산화막, 티타늄 산화막, 지르코늄 산화막, 하프늄 산화막, 란탄 산화막, 니오븀 산화막, 세륨 산화막, 이트륨 산화막, 탄탈륨 산화막, 몰리브덴 산화막, 텅스텐 산화막, LaAlO3, 금속 실리케이트, 금속 티타네이트, SBT (SrBi2Ta2O9), BST (Ba1-xSrxTiO3(0003c#x003c#1)), PST (PbScxTa(1-x)O3(0003c#x003c#1)), 및 이들 중 둘 이상의 복합물인 플래시 메모리 소자
8 8
제6항에 있어서,상기 제1 및 제3 블로킹 절연막들은 실리콘 산화막들이고,상기 제2 블로킹 절연막은 실리콘 질화막인 플래시 메모리 소자
9 9
기판 상에 게이트 절연막과 플로팅 게이트를 형성하는 단계;상기 플로팅 게이트의 상부면 및 측면 상에, 상기 플로팅 게이트의 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두꺼운 게이트간 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트간 절연막 상에 제어 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 플래시 메모리 소자 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 게이트간 절연막을 형성하는 단계는,적어도 두 층의 블로킹 절연막들을 형성하는 단계를 구비하고, 상기 블로킹 절연막들 중 한 층은 상기 플로팅 게이트 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두껍게 형성하는 플래시 메모리 소자 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 플로팅 게이트 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두꺼운 블로킹 절연막은, 나머지 블로킹 절연막에 비해 유전율이 높은 플래시 메모리 소자 제조방법
12 12
제10항에 있어서,상기 게이트간 절연막을 형성하는 단계는 제1 블로킹 절연막, 제2 블로킹 절연막, 및 제3 블로킹 절연막을 차례로 적층하는 단계들을 구비하되,상기 제2 블로킹 절연막을 상기 플로팅 게이트 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두껍게 형성하는 플래시 메모리 소자 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 제2 블로킹 절연막을 상기 플로팅 게이트 상부면 상에서의 두께가 상기 플로팅 게이트 측면 상에서의 두께에 비해 두껍게 형성하는 것은,상기 제2 블로킹 절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 플로팅 게이트 측면 상에 형성된 상기 제2 블로킹 절연막을 식각하는 단계를 포함하는 플래시 메모리 소자 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 플로팅 게이트 측면 상에 형성된 상기 제2 블로킹 절연막을 식각하는 것은 이방성 식각법을 사용하여 수행하는 플래시 메모리 소자 제조방법
15 15
제12항에 있어서,상기 제1 및 제3 블로킹 절연막들은 실리콘 산화막들이고,상기 제2 블로킹 절연막은 실리콘 질화막인 플래시 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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