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메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015142265
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극을 포함하는 적층물이 형성되고, 상기 합성 교환 반자성층은 제 1 자성층, 비자성층 및 제 2 자성층을 포함하며, 상기 비자성층은 상기 적층물의 교환 자기장의 크기가 1000[Oe] 이상이 되도록 하는 두께로 형성된 메모리 소자를 제시한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자 1020130090702 (2013.07.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0015602 (2015.02.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이두영 대한민국 서울 성동구
3 이승은 대한민국 서울 동작구
4 전민수 대한민국 경기 성남시 분당구
5 심태헌 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0694693-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0756659-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0855326-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0124079-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0123926-15
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0422837-76
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.07.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-0664233-72
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0104956-77
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.07.12 수리 (Accepted) 7-1-2016-0042446-63
12 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2016.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0672454-98
13 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0106317-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극의 적층물이 형성되고, 상기 합성 교환 반자성층은 제 1 자성층, 비자성층 및 제 2 자성층을 포함하며,상기 비자성층은 상기 적층물의 교환 자기장의 크기가 1000[Oe] 이상이 되도록 하는 두께로 형성된 메모리 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제 2 자성층은 상기 제 1 자성층보다 두껍게 형성된 메모리 소자
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자성층은 자성 물질과 비자성 물질이 복수회 반복 적층되며, 상기 제 2 자성층의 적층 회수가 상기 제 1 자성층보다 많은 메모리 소자
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 비자성층은 Ru를 포함하며, 0
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 비자성층은 Ru를 포함하며, 0
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 하부 전극은 다결정의 제 1 하부 전극과 비정질의 제 2 하부 전극이 적층 형성된 메모리 소자
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 다결정의 제 1 하부 전극의 결정 구조를 따라 상기 제 2 하부 전극 및 상기 자기 터널 접합이 비정질로 성장되는 메모리 소자
8 8
청구항 4에 있어서, 상기 캐핑층은 Ta 및 Ti를 포함하는 메모리 소자
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 캐핑층은 Ta를 포함하고, 상기 자기 터널 접합의 자기 저항비가 60% 이상이고, 면저항이 35Ω/㎛2 이하인 메모리 소자
10 10
청구항 8에 있어서, 상기 캐핑층은 Ti를 포함하고, 상기 교환 자기장은 2000[Oe] 이상이고, 자기 저항비는 68% 이상이며, 면저항은 25Ω/㎛2 이하인 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.