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반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로

  • 기술번호 : KST2015142534
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요약 본 발명은 외부 데이터를 분주시켜 다중 분주 데이터를 생성하는 데이터 분주부, 상기 다중 분주 데이터를 제 1 타이밍과 제 2 타이밍에 샘플링하여 샘플링 데이터를 생성하는 데이터 샘플링부, 상기 샘플링 데이터의 데이터 천이 여부를 판별하고 그 결과에 따라 상기 제 1 타이밍과 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터 중 하나를 선택하여 선택 데이터로서 출력하는 데이터 선택부, 및 상기 선택 데이터를 상기 외부 데이터의 논리 레벨과 동일한 내부 데이터로 복원시키는 데이터 복원부를 포함한다.
Int. CL G11C 7/10 (2015.01.01) G11C 7/22 (2015.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080032996 (2008.04.10)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0925387-0000 (2009.10.30)
공개번호/일자 10-2009-0107631 (2009.10.14) 문서열기
공고번호/일자 (20091109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.10)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용주 대한민국 서울 강동구
2 최해랑 대한민국 서울 성동구
3 권오경 대한민국 서울 송파구
4 송준용 대한민국 경북 구미시
5 신민석 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성남 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **(문정동) 에이치비즈니스파크 C동 ***호(에스엔케이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0255192-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0081047-81
4 보정요구서
Request for Amendment
2009.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0009842-88
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-5006809-12
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2009-0012120-74
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0179116-00
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0350909-65
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0350911-57
10 등록결정서
Decision to grant
2009.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0438818-96
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
외부 데이터를 분주시켜 다중 분주 데이터를 생성하는 데이터 분주부; 상기 다중 분주 데이터를 제 1 타이밍과 제 2 타이밍에 샘플링하여 샘플링 데이터를 생성하는 데이터 샘플링부; 상기 샘플링 데이터의 데이터 천이 여부를 판별하고 그 결과에 따라 상기 제 1 타이밍과 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터 중 하나를 선택하여 선택 데이터로서 출력하는 데이터 선택부; 및 상기 선택 데이터를 상기 외부 데이터의 논리 레벨과 동일한 내부 데이터로 복원시키는 데이터 복원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 타이밍과 상기 제 2 타이밍은 서로 다른 타이밍인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 다중 분주 데이터는 제 1 분주 데이터, 제 2 분주 데이터, 제 3 분주 데이터, 및 제 4 분주 데이터를 포함하며, 상기 데이터 분주부는 상기 외부 데이터의 라이징 타이밍에 천이하는 라이징 데이터, 및 상기 외부 데이터의 폴링 타이밍에 천이하는 폴링 데이터를 생성하고, 상기 라이징 데이터의 라이징 타이밍에 천이하는 상기 제 1 분주 데이터, 상기 라이징 데이터의 폴링 타이밍에 천이하는 상기 제 2 분주 데이터, 상기 폴링 데이터의 라이징 타이밍에 천이하는 상기 제 3 분주 데이터, 및 상기 폴링 데이터의 폴링 타이밍에 천이하는 상기 제 4 분주 데이터을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 데이터 분주부는 상기 외부 데이터에 응답하여 상기 라이징 데이터를 생성하는 제 1 라이징 트리거부, 상기 외부 데이터에 응답하여 상기 폴링 데이터를 생성하는 제 1 폴링 트리거부, 상기 라이징 데이터에 응답하여 상기 제 1 분주 데이터를 생성하는 제 2 라이징 트리거부, 상기 라이징 데이터에 응답하여 상기 제 2 분주 데이터를 생성하는 제 2 폴링 트리거부, 상기 폴링 데이터에 응답하여 상기 제 3 분주 데이터를 생성하는 제 3 라이징 트리거부, 및 상기 폴링 데이터에 응답하여 상기 제 4 분주 데이터를 생성하는 제 3 폴링 트리거부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 다중 분주 데이터는 제 1 분주 데이터, 제 2 분주 데이터, 제 3 분주 데이터, 및 제 4 분주 데이터를 포함하며, 상기 데이터 샘플링부는 상기 제 1 분주 데이터를 상기 제 1 타이밍과 상기 제 2 타이밍에 샘플링하여 상기 제 1 샘플링 데이터를 생성하는 제 1 샘플러, 상기 제 2 분주 데이터를 상기 제 1 타이밍과 상기 제 2 타이밍에 샘플링하여 상기 제 2 샘플링 데이터를 생성하는 제 2 샘플러, 상기 제 3 분주 데이터를 상기 제 1 타이밍과 상기 제 2 타이밍에 샘플링하여 상기 제 3 샘플링 데이터를 생성하는 제 3 샘플러, 및 상기 제 4 분주 데이터를 상기 제 1 타이밍과 상기 제 2 타이밍에 샘플링하여 상기 제 4 샘플링 데이터를 생성하는 제 4 샘플러를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 샘플링 데이터는 제 1 샘플링 데이터, 제 2 샘플링 데이터, 제 3 샘플링 데이터, 및 제 4 샘플링 데이터를 포함하며, 상기 데이터 선택부는 상기 제 1 샘플링 데이터의 천이를 판별하고 그 결과에 따라 상기 제 1 샘플링 데이터에서 상기 제 1 타이밍 또는 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터중 하나를 선택하여 상기 제 1 선택 데이터로서 출력하는 제 1 선택부, 상기 제 2 샘플링 데이터의 천이를 판별하고 그 결과에 따라 상기 제 2 샘플링 데이터에서 상기 제 1 타이밍 또는 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터중 하나를 선택하여 상기 제 2 선택 데이터로서 출력하는 제 2 선택부, 상기 제 3 샘플링 데이터의 천이를 판별하고 그 결과에 따라 상기 제 3 샘플링 데이터에서 상기 제 1 타이밍 또는 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터중 하나를 선택하여 상기 제 3 선택 데이터로서 출력하는 제 3 선택부, 및 상기 제 4 샘플링 데이터의 천이를 판별하고 그 결과에 따라 상기 제 4 샘플링 데이터에서 상기 제 1 타이밍 또는 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터중 하나를 선택하여 상기 제 4 선택 데이터로서 출력하는 제 4 선택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 4 선택부 각각은 이전 샘플링 데이터와 현재 샘플링 데이터의 값을 비교하여 생성된 선택 신호에 따라 상기 현재 샘플링 데이터에서 상기 제 1 타이밍 또는 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터를 선택적으로 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 4 선택부 각각은 상기 이전 샘플링 데이터를 저장하는 저장부, 상기 저장부의 출력과 상기 현재 샘플링 데이터의 값을 비교하여 상기 선택 신호를 생성하는 선택 신호 생성부, 및 상기 선택 신호에 따라 상기 현재 샘플링 데이터에서 상기 제 1 타이밍 또는 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터를 선택하여 출력하는 선택 데이터 출력부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 선택 신호 생성부는 상기 저장부의 출력과 상기 현재 샘플링 데이터의 값이 동일한지 다른지에 따라 상기 선택 신호의 레벨을 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 선택 신호 생성부는 상기 저장부의 출력과 상기 현재 샘플링 데이터를 입력으로 하는 익스클루시브 오어 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 선택 데이터 출력부는 상기 선택 신호의 레벨에 따라 상기 제 1 타이밍에 샘플링된 데이터 또는 상기 제 2 타이밍에 샘플링된 데이터를 선택적으로 출력하는 멀티 플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 선택 데이터는 제 1 선택 데이터, 제 2 선택 데이터, 제 3 선택 데이터, 및 제 4 선택 데이터를 포함하며, 상기 데이터 복원부는 상기 제 1 내지 제 4 선택 데이터의 조합으로 상기 내부 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 데이터 복원부는 상기 제 1 내지 제 4 선택 데이터를 입력으로 하는 익스 클루시브 오어 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
14 14
한 비트의 데이터를 제 1 타이밍과 제 2 타이밍에 샘플링하여 제 1 샘플링 데이터, 및 제 2 샘플링 데이터를 생성하는 데이터 샘플링부; 및 상기 데이터의 레벨과 이전 데이터의 레벨을 비교하여 상기 데이터의 천이 여부를 판별하고 그 결과에 따라 상기 제 1 샘플링 데이터 또는 제 2 샘플링 데이터를 선택적으로 출력하는 데이터 선택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 데이터 샘플링부는 상기 데이터의 중심으로부터 왼쪽에서 상기 데이터를 샘플링하여 상기 제 1 샘플링 데이터를 생성하고, 상기 데이터의 중심으로부터 오른쪽에서 상기 데이터를 샘플링하여 상기 제 2 샘플링 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 데이터 선택부는 상기 데이터의 레벨과 상기 이전 데이터의 레벨을 비교하여 선택 신호를 생성하고, 상기 선택 신호에 응답하여 상기 제 1 샘플링 데이터 또는 상기 제 2 샘플링 데이터를 선택적으로 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
17 17
외부 데이터를 분주시켜 제 1 분주 데이터, 및 제 2 분주 데이터를 생성하는 데이터 분주부; 상기 제 1 분주 데이터를 제 1 타이밍과 제 2 타이밍에 샘플링하여 제 1 샘플링 데이터, 및 제 2 샘플링 데이터를 생성하고, 상기 제 2 분주 데이터를 상기 제 1 타이밍과 제 2 타이밍에 샘플링하여 제 3 샘플링 데이터, 및 제 4 샘플링 데이터를 생성하는 데이터 샘플링부; 상기 제 1 분주 데이터의 데이터 천이를 판별하여 그 결과에 따라 상기 제 1 샘플링 데이터 또는 상기 제 2 샘플링 데이터를 제 1 선택 데이터로서 선택적으로 출력하고, 상기 제 2 분주 데이터의 데이터 천이를 판별하여 그 결과에 따라 상기 제 3 샘플링 데이터 또는 상기 제 4 샘플링 데이터를 제 2 선택 데이터로서 선택적으로 출력하는 데이터 선택부; 및 상기 제 1 선택 데이터와 상기 제 2 선택 데이터를 조합하여 상기 외부 데이터의 논리 레벨과 동일한 내부 데이터로 복원시키는 데이터 복원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
18 18
제 17 항에 있어서, 상기 데이터 분주부는 상기 외부 데이터의 라이징 타이밍에 천이하는 상기 제 1 분주 데이터, 및 상기 외부 데이터의 폴링 타이밍에 천이하는 상기 제 2 분주 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
19 19
제 17 항에 있어서, 상기 데이터 샘플링부는 상기 제 1 분주 데이터의 중심으로부터 왼쪽에서 상기 제 1 분주 데이터를 샘플링하여 상기 제 1 샘플링 데이터를 생성하고, 상기 제 1 분주 데이터의 중심으로부터 오른쪽에서 상기 제 1 분주 데이터를 샘플링하여 상기 제 2 샘플링 데이터를 생성하며, 상기 제 2 분주 데이터의 중심으로부터 왼쪽에서 상기 제 2 분주 데이터를 샘플링하여 상기 제 3 샘플링 데이터를 생성하고, 상기 제 2 분주 데이터의 중심으로부터 오른쪽에서 상기 제 2 분주 데이터를 샘플링하여 상기 제 4 샘플링 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
20 20
제 17 항에 있어서, 상기 데이터 선택부는 상기 제 1 분주 데이터의 레벨과 이전 제 1 분주 데이터의 레벨을 비교하여 제 1 선택 신호를 생성하고, 상기 제 1 선택 신호에 응답하여 상기 제 1 샘플링 데이터 또는 상기 제 2 샘플링 데이터를 상기 제 1 선택 데이터로서 선택적으로 출력하며, 상기 제 2 분주 데이터의 레벨과 이전 제 2 분주 데이터의 레벨을 비교하여 상기 제 2 선택 신호를 생성하고, 상기 제 2 선택 신호에 응답하여 상기 제 3 샘플링 데이터 또는 상기 제 4 샘플링 데이터를 상기 제 2 선택 데이터로서 선택적으로 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
21 21
제 17 항에 있어서, 상기 데이터 복원부는 상기 제 1 및 제 2 선택 데이터의 논리 레벨중 하이 레벨의 개수가 홀수개이면 상기 내부 데이터는 하이 레벨로 생성되고, 상기 제 1 및 제 2 선택 데이터의 논리 레벨중 하이 레벨의 개수가 짝수개이면 상기 내부 데이터는 로우 레벨로 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 데이터 복원부는 상기 제 1 및 제 2 선택 데이터를 입력 받는 익스클루시브 오어 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 복원 회로
지정국 정보가 없습니다
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